11. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı - METU Physics
Transkript
11. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı - METU Physics
XI. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısı 75. YIL KONFERANS SALONU 3 Aralık 2004 Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü Teknikokullar, Ankara 06500 Düzenleme Kurulu: Prof. Dr. Atilla AYDINLI (Bilkent Üniversitesi) Prof. Dr. Yalçın ELERMAN (Ankara Üniversitesi) Prof. Dr. Şinasi ELLİALTIOĞLU (ODTÜ) Prof. Dr. Tezer FIRAT (Hacettepe Üniversitesi) Prof. Dr. Engin KENDİ (Hacettepe Üniversitesi) Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK (Gazi Üniversitesi) XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA Bu sayfa boş bırakılmıştır. 2 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA Sunuş Bu doküman 3 Aralık 2004 tarihinde Gazi Üniversitesinde 75.yıl konferans salonunda yapılacak olan XI. Yoğun Madde Fiziği Ankara Toplantısında sunulan çağrılı, sözlü ve poster özetlerini içerir. Doküman içindeki tüm sunumlar sırasıyla çağrılı, sözlü ve poster sunumlar olmak üzere üç gruba ayrılmıştır. Her grup içindeki sıralama ilk yazar soyadına göre alfabetik olarak yapılmıştır. Bazı özet sahipleri, özetleri ile birlikte anahtar kelime vermeyi uygun gördüklerinden bu kelimeleri kapsayan dizin doküman sonunda oluşturulmuştur. Bu özet kitapçığına, PDF formatında http://www.fef.gazi.edu.tr/ymf11.html adresinden ulaşabilirsiniz. Toplantımıza verdikleri desteklerden dolayı Gazi Üniversitesi Rektörlüğü ve G.Ü. Fen Edebiyat Fakültesi Dekanlığına teşekkür ederim. Toplantımıza gösterdiğiniz ilgiden dolayı siz değerli katılımcılara teşekkür eder, başarılar dilerim. XI. YMF Ankara Toplantısı Düzenleme Kurulu adına Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK Dökümanı hazırlayan: S. Bora LİŞESİVDİN <[email protected]> 3 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA İçindekiler Sunuş.......................................................................................................... 4 İçindekiler..................................................................................................5 Program..................................................................................................... 9 Çağrılı Sunumlar.................................................................................... 10 Ç01: II. Tip Süperiletkenlerde “Pinning” Mekanizması ve Girdap Dinamiği...............................................11 S. Çelebi................................................................................................................................................... 11 Ç02: Küçük Açı X-Işını Saçılması (SAXS) Yöntemi ve Sinkrotron Işını Uygulamaları..............................12 S. İde........................................................................................................................................................ 12 Ç03: İki seviye yaklasiminda problemler ..................................................................................................13 T. Hakioğlu.............................................................................................................................................. 13 Sözlü Sunumlar....................................................................................... 14 S01: III-V Yarıiletkenlerinde Hall Karakterizasyonu için Kantitatif Mobilite Spektrum Analizleri............ 15 S. Acar ve M. Kasap................................................................................................................................ 15 S02: a-Si1-x:Cx:H İnce Filmlerin Optik Sabitlerinin Karbon Oranı ile Ayarlanabilmesi.............................16 B. Akaoğlu, K. Sel, İ. Atılgan and B. Katırcıoğlu................................................................................... 16 S03: Makromoleküler Kristalografi’de X-Işınının Bozucu Etkileri’nin Enerjiye Bağlılığı.......................... 17 M.Aslantaş 1,2, E.Kendi1, V.Stojanoff2................................................................................................ 17 S04: Nd:YAG Puls Lazeri Aracılığıyla büyütülen Si oksitlerinin Yapısal, Kimyasal, Elektiksel ve Optiksel Özellikleri....................................................................................................................................................... 18 G. Aygun1,*, E. Atanassova2, R. Turan1.............................................................................................. 18 S05: Tungsten (110) Yüzeyine Tutunmuş H Atomu ile CO Molekülünün Çarpışmasında H-Yüzey Bağının Kopma Olasılığı: Klasik Yoldan İncelemesi..................................................................................................19 Ü. Bayhan, M. Çivi*................................................................................................................................ 19 S06: Au/n-GaAs Schottky Diyot Parametrelerinin H2 Tavlamasına ve Schottky Engel Metalinin Kalınlığına Bağlı Değişimlerinin İncelenmesi...............................................................................................20 M. Biber, Ö. Güllü, A. Türüt................................................................................................................... 20 S07: Mekanik Öğütme Yöntemi ile Fe3O4 Nanoparçacıkların Sentezi ve Karakterizasyonu......................21 M.M.Can, Ş. Özcan ve T. Fırat............................................................................................................... 21 S08: Sm ve Gd Nadir-Toprak İyonlarının Katkılamasının Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2-xRExCu3O10+y Bileşiğinde Mıknatıslanma ve dM/dH Dinamik Duygunluğu Üzerindeki Alan Bağımlılığı........................................... 22 A. Coşkun, A. Ekicibil, B. Özçelik, K. Kıymaç....................................................................................... 22 S09: Gd1-xErxMn6Sn6 ve Gd1-xTmxMn6Sn6 İntermetalik Bileşiklerinin Magnetik Faz Geçişlerinin İncelenmesi.....................................................................................................................................................23 O. Çakır, A. Elmalı, I. Dinçer, Y. Elerman............................................................................................. 23 S10: GaTe Tabakalı Yarıiletkeni Üzerinde İdeal Schottky Diyod Yapılabilirliği: Al/GaTe/In Yapısının Elektriksel Karakterizasyonu......................................................................................................................... 24 H. Efeoğlu................................................................................................................................................ 24 S11: Ferroelektriklerin Mikroskopik teorisi: KNbO3 ve BaTiO3 kristaline uygulanması............................26 F. Karadağ, A. M. Mamedov...................................................................................................................26 S12: Tb1-xNdxMn2Si2 (0.0≤x≤1.0) Bileşiklerinin Magnetik Özellikleri.................................................... 27 A. Kılıça, S. Kervanb, Ş. Özcanc, A. Gencera........................................................................................ 27 S13: SI GaAs’lı Sistemde Elektriksel Kararsızlıkların Analizi......................................................................28 H. Y. Kurt 1, B. G. Salamov 1* ve T. S. Mammadov 1**....................................................................... 28 S14: Rb/Si(001)-2x1 sisteminin yoğunluk fonksiyoneli çalışması............................................................... 29 E. Mete..................................................................................................................................................... 29 S15: Üstüniletken YBCO’da Ardışık Isıtma ve Soğutmaların Kritik Akıma Etkisi..................................... 30 T. Öncü*, A. Şentürk, B. Kaynar, M. Artuç, Ş. Özcan, T. Fırat............................................................. 30 4 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S16: Bi2Sr2CaCu2O8+d Üstüniletkeninde Tek Eklem ve Özgün Josephson Eklem Tünelleme Spektroskopileri............................................................................................................................................. 31 L. Özyüzer................................................................................................................................................ 31 S17: Kızılötesi dedektör malzemesi MBE-HgCdTe materyalinin düşük sıcaklıkta p-tipine çevrilmesi...... 32 Y. Selamet.................................................................................................................................................32 S18: Derinlik Duyarlı Mikroçentik (DDM) Tekniği İle YBCO Süperiletkenlerinin Mekanik Karakterizasyonu İçin Yeni Bir Yöntem: Enerji Yaklaşımı.......................................................................... 33 O. Uzun 1, U. Kölemen1, N. Güçlü1, O. Şahin2 ve Z. Akdoğan3.......................................................... 33 S19: D(H)-Kaplanmış Cu(111) Yüzeyi ile H(D) Atomlarının Reaksiyonlarında İzotop ve Sıcaklığın Etkisi.. 34 C. D. Vurdu, S. Özçelik* ve Z. B. Güvenç**...........................................................................................34 Poster Sunumlar......................................................................................35 P01: Hazırlanan Al-Ti10W90-nSi Schottky diyotların elektro fiziksel parametrelerinin incelenmesi ........ 36 I.M.Afandiyeva , Sh.S.Aslanov*, L.K.Abdullayeva ve *Ş. Altındal....................................................... 36 P02: (Al-TiW+PtSi)-nSi Schottky diyotlarının hazırlanması ve akım iletim mekanizmalarının incelenmesi ........................................................................................................................................................................ 37 I.M.Afandiyeva, Sh.S.Aslanov , Ş. Altındal*.......................................................................................... 37 P03: SnO2-Bi4Ti3O12-Au yapıların elektriksel karakteristiklerinin incelenmesi........................................38 A.A.Agasıyev, I.M.Afandıyeva , Ş. Altındal*, M.Z.Mamedov................................................................. 38 P04: Karbon oranı ve güç yoğunluğunun PECVD sisteminde büyütülen a-Si1-x:Cx:H ince filmlerdeki düzensizliklere etkileri................................................................................................................................... 39 B. Akaoğlu, A. Gülses*, İ. Atılgan ve B. Katırcıoğlu..............................................................................39 P05: Al/SiO2/p-Si Schottky engel diyotlarındaki engel yüksekliğinin homojensizliği ............................... 40 Ş. Altındal, H. Kanbur, A. Tataroğlu...................................................................................................... 40 P06: Bi4Ti3O12 Amorf Filmlerin Akım-voltaj ve Kapasitans-Voltaj Karakteristikleri............................... 41 Ş. Altındal1, A. Tataroğlu1, A. Agasiev2................................................................................................ 41 P07: Fenilpridin İzomerlerinin Yapısal Parametreleri İle Elektronik Özelliklerinin Teorik Hesabı............. 42 P08: MgAuSn Bileşiğinin Fonon Dispersiyonu ......................................................................................... 43 N. Arıkan1, G. Uğur2 ve H. M. Tütüncü3.............................................................................................. 43 P09: 1,2,4,5-Tetrakis(2-tersiyer-bütil-4-metilfenoksimetil)benzen Yapısının Kristal ve Moleküler Yapısı.... 44 N. B. Arslan, C. Kazak, N. Akdemir*, C. Kantar*, E. Ağar*................................................................. 44 P10: Düzlemsel İkibantlı Süperiletkenler İçin Üst Kritik Manyetik Alanın Anizotropisi...........................45 İ.N.Askerzade, H. Şahin* ........................................................................................................................45 P11: CdS ve Cd0.99Zn0.1S ince filmlerinin optik özellikleri.......................................................................46 A. Ateş, B. Gürbulak, M. Kundakçı, E. Gür, A. Yıldırım Ve M. Yıldırım............................................... 46 P12: Dönmeyen Pdn, n=4-6 Topaklarının Çarpışmasız Buharlaşması: A Moleküler Dinamik İnceleme.... 47 H. Avcı1, M. Çivi1, Z. B. Güvenç2.......................................................................................................... 47 P13: Üç Kuyulu Moleküler Potansiyel Modeli.............................................................................................. 48 S. Aydın* , M. Şimşek**........................................................................................................................ 48 P14: GaAs Üzerinde Oluşturulan Doğal Oksit Tabakalı MIS Yapılarda Sıcaklığa Bağlı Seri Direnç ve Diğer Bazı Parametreler*............................................................................................................................... 49 Y.Baş1, M.Özer2...................................................................................................................................... 49 P15: Fe71Cr7Si9B13 Amorf Ferromagnetik Tellerin Manyetik ve Magnetoelastik Özellikleri ...............50 N. Bayri*, F. E. Atalay, V.S. Kolat ve S. Atalay..................................................................................... 50 P16: Farklı Sınır Şartlarına Sahip Çoklu Ferroelektrik p-n Eklem Yapısı ................................................... 51 M. S. Bozgeyik1 Ve A. M. Mamedov1,2.................................................................................................. 51 P17: In1-x-yGaxAlyAs/InP(001) Yarıiletken İnce Filmlerde LO Fonon Modlarının Bileşim Oranlarına Göre İncelenmesi............................................................................................................................................52 M.M. Bülbül1, E.Güç1, SPR Smith2....................................................................................................... 52 P18: Contribution of the Meissner Current to the Magnetostriction in a High Tc Superconductor........... 53 S. Çelebi*, F. İnanır b ve M.A.R. LeBlancc............................................................................................53 P19: PbTe Kristalindeki İç Sürtünme ve Kesme Modülü Özelliklerinin Araştırılması.................................54 O.I.Davarashvili1 , M.I.Enukashvili1, N.P.Kekelidze1, G.Sh.DArsavelidze2, L.L.Gabrichidze2, E.R.Kutelia2, V.P.Zlomanov3, O.I.Tamanaeva3, T.S.Mamedov4, N.D.Ahmedzade5, A.Bengi4, L.H.Tecer6 ............................................................................................................................................. 54 P20: CdS, CdSe, CdTe Bileşiklerinin, ab initio Yöntemi ile Bazı Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin İncelenmesi.....................................................................................................................................................55 E. Deligöz, K. Çolakoğlu.........................................................................................................................55 P21: Fe-Mn-Si Esaslı Bazı Şekil Hatırlamalı Alaşımlara Eşlik Eden Martensite Dönüşüm Sıcaklıklarının Belirlenmesi....................................................................................................................................................56 5 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA Ali Doğan, Tahsin Özer ..........................................................................................................................56 P22: Döteryum Molekülü İle Ni55 Atom Topağının Reaktif Olmayan Kanal .............................................57 P. Durmuş*, S.Özçelik*, Z. Güvenç**.................................................................................................... 57 P23: Ag2O Katkılı Bi-(Pb)-Sr-Ca-Cu-O Süperiletkenlerin Manyetik Tepkisi Ve Bazı Süperiletkenlik Parametrelerinin Belirlenmesi ......................................................................................................................58 İ.Düzgün1 , A.Öztürk2, İ. Karaca3, S. Çelebi2...................................................................................58 P24: Bazı Elementlerin ( Ni ,Pt ) Termoelastik Özelliklerinin Moleküler Dinamik (MD) Simülasyon Tekniği ile İncelenmesi................................................................................................................................. 59 G. Ferah , K. Çolakoğlu.......................................................................................................................... 59 P25: Ti-Eklenmiş MgB2/Cu Süperiletken Tellerin Düşük Alanlardaki Karakterizasyonu...........................60 A. Gencer1,*, A.Kılıç1, N.Güçlü2, S.Okur3, L.Özyüzer3, İ.Belenli4..................................................... 60 P26: Au/SnO2/n-Si (MIS) Yapıların Elektriksel Karakteristiklerine Frekans ve Radyasyonun Etkisi ..... 61 M. Gökçen, A. Tataroğlu, Ş. Altındal......................................................................................................61 P27: YBCO ve YBCO+ZnO Polikristal Süperiletkenlerinin Sertlik ve Elastik Modulünün Sıcaklık Bağımlılığı......................................................................................................................................................62 N. Güçlü1, U. Kölemen1, O. Uzun1, Y. Yoshino2 ve S. Çelebi3............................................................ 62 P28: Alttaş Sıcaklığının Kimyasal Püskürtme Yöntemi ile Hazırlanan ZnO İnce Filmlerin Elektriksel ve Optiksel Özellikleri Üzerine Etkisi............................................................................................................... 63 T. Güngör, N. Kavasoğlu.........................................................................................................................63 P29: İnce Filmlerin Optik Sabitlerinin Belirlenmesinde Genetik Algoritmanın Optik Geçirgenlik Spektrumuna Uygulanması............................................................................................................................ 64 T. Güngör, B. Saka*............................................................................................................................... 64 P30: Diiyodobis(3-piridin karboksiamit)çinko(II) and trans-diakuabis(piridin-2-karboksiamit)çinko(II) diyot bileşiklerinin kristal yapılarının incelenmesi.......................................................................................65 S. Güven, H. Paşaoğlu ve O. Büyükgüngör............................................................................................ 65 P31: LEC tekniği ile büyütülen GaSb yarıiletkeninde ‘nicel mobilite spektrum analiz’ tekniğinin uygulaması .................................................................................................................................................... 66 B. Y. Işık, A. Yıldız, S. Acar ve M. Kasap............................................................................................... 66 P32: Aynı şartlarda hazırlanan ve doğal olarak oksitlenmiş arayüzey yalıtkan tabakaya (SiO2) sahip Al/pSi Schottky diyotlarının engel yüksekliğinin homojensizliği ....................................................................... 67 H. Kanbur, A. Tataroğlu, Ş. Altındal...................................................................................................... 67 P33: Al/SiOx/p-Si Schottky diyotlarda ilave kapasitans, seri direnç ve arayüzey durumların etkisi........... 68 H. Kanbur, A. Tataroğlu, Ş. Altındal...................................................................................................... 68 P34: LEC Tekniği ile Büyütülen S katkılı InAs Yarıiletkeninin Sıcaklık Bağımlı Magneto ve Elektron İletim Özellikleri.............................................................................................................................................69 İ. Kara, S. B. Lişesivdin, S. Acar ve M. Kasap....................................................................................... 69 P35: Nematik Sıvı Kristallerin Optiksel Yönelimi........................................................................................ 70 R. Karapınar1, M. O’Neill2 ve S. M. Kelly3...........................................................................................70 P36: Polimerik yapılı -siyano-disiyanonikelat(II)- -siyano-trans-bis[N- (hidroksietil) etilendiamin] kadmiyum(II)..................................................................................................................................................71 G. Kaştaşa, H. Paşaoğlua A. Karadağb ve O. Büyükgüngöra...............................................................71 P37: PrMn2-xNixGe2 Bileşiklerinin XRD, AC susceptibility ve DSC çalışması....................................... 72 S. Kervana, A. Kılıçb, A. Gencerb...........................................................................................................72 P38: LaMn2-xCoxGe2 Bileşiklerinin Düşük Magnetik Alan Karakterizasyonu ........................................ 73 A. Kılıça, S. Kervanb, A. Gencera...........................................................................................................73 P39: Gümüş Kılıflı ve Kılıfsız Yığın Bi-2223 Süperiletken Üzerine Soğuma Hızlarının Etkisi ................. 74 A. Kılıç1, C. Terzioğlu2, Ö. Öztürk2, İ. Belenli2 ve A. Gencer1............................................................74 P40: IV-VI Gurubuna ait Pb(1-x) SnxTe/BaF2’ nin elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi. 75 A. İ. Kılıç, S. Acar M. Kasap ve S. Özçelik............................................................................................. 75 P41: La0.62Bi0.05Ca0.33MnO3 Numunelerde Magnetokalorik Etki..........................................................76 V.S. Kolat, S. Atalay, H. Gencer ve H.İ. Adıgüzel ................................................................................. 76 P42: AlxGa1-xAs/GaAs Kuantum Kuyu Yapısının Büyütülmesi ve X-ışınları Difraksiyonu Ölçümleri.... 77 S. Korçak, H. Gümüş, M.K. Öztürk, H. Altuntaş, A.İ. Kılıç, A. Bengi, T.S. Mamadov, S. Özçelik........ 77 P43: Polipirol/P-Si/Al Diyotunda, Yaşlanmanın Etkisiyle Kaydedilen I-V Ölçümlerinin Değerlendirilmesi ........................................................................................................................................................................ 78 D.Korucu, M.Sağlam Ve A. Turut........................................................................................................... 78 P44: MgB2 Süperiletken Numunesinin Derinlik Duyarlı Mikroçentik Deneylerindeki Yük-Derinlik Verilerinin Analizi..........................................................................................................................................79 U. Kölemen1, O. Uzun1, M. Aksan2, O. Şahin3 ve N. Güçlü1..............................................................79 P45: 3-Boyutlu Blume-Capel Modelde Soğutma Hızının Etkisi...................................................................80 B. Kutlu, A. Özkan*, N. Seferoğlu**.......................................................................................................80 P46: LEC tekniği ile büyütülen Te-katkılı InSb yarıiletkeninde galvanomagnetik ölçümler....................... 81 6 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S. B. Lişesivdin, Ü. Yurdugül, S. Demirezen, S. Acar ve M. Kasap.......................................................81 P47: Succinonitril - %7.5 Ağ. CBr4 Alaşımının Doğrusal Katılaştırılması ve Büyüme Hızı ile Sıcaklık Gradyentinin Mikroyapı Parametrelerine Etkisinin İncelenmesi ..................................................................82 N. Maraşlıa, K. Keşlioğlua, B. Arslana, H. Kayab ve E. Çadırlıb.........................................................82 P48: Fe-%18Cr-%10Mn-%16Ni ve Fe-%18Cr-%12Ni-%2Mo Alaşımlarının Fonon Dispersiyonu........... 83 M. Özduran1 , İ. Akgün2, G. Uğur2........................................................................................................83 P49: Toz Kırınımı ile Yapı Belirlenmesi ve C23H20N4O3 Molekülünün Kristal Yapısının Toz Kırınımı Yöntemi ile İncelenmesi ................................................................................................................................84 Ö.Özgen, E. Kendi, S. Koyunoğlu, A. Yeşilada, P. W. Stephens............................................................ 84 P50: MnxMg1-xTiO3 Seyreltilmiş Antiferromagnet malzemesinin Yapısal ve Elektriksel Özellikleri....... 85 B. Özkurt, Atilla Coşkun, A. Ekicibil, B. Özçelik, K. Kıymaç.................................................................85 P51: Yüksek Sıcaklık Süperiletkenlerinde Görülen Ac Kayıp Vadisinin Analizi.........................................86 A.Öztürk1, U.Kölemen2, F.İnanır3, İ.Düzgün3, S.Çelebi1.................................................................... 86 P52: Aşırı soğuk Fr izotoplarının elastik saçılması ...................................................................................... 87 M. K. Öztürk ve S. Özçelik.......................................................................................................................87 P53: Benzothiazol-2-yl-(4-dimethylamino-benzylidene)-amine molekülünün kristal yapısı.................... 88 H. Saraçoğlu, N. Çalışkan, C. Davran, S. Soylu,H. Batı Ve O. Büyükgüngör.......................................88 P54: InxGa1-xAs/GaAs(x=0,15) Süperörgüsü’ nün MBE’ de Büyütülmesi ve Bazı Elektriksel, Optiksel Özelliklerinin Belirlenmesi............................................................................................................................ 89 B. Sarıkavak, H. Altuntaş, A. Bengi, T.S. Mamedov, S. Özçelik............................................................89 P55: Katlı GaSe’nin Optik Anizotropisinin Fotoışıma ve FTIR spektroskopisi ile incelenmesi.................. 90 A. Seyhan................................................................................................................................................. 90 P56: CoSi2 Bileşiğinin Elektronik ve Titreşimsel Özellikleri....................................................................... 91 F. Soyalp1 , G.Uğur1 ve H.M. Tütüncü2................................................................................................ 91 P57: Au/SiO2/p-Si (MOS) Yapıların Elektriksel Özelliklerinin Frekans ve Sıcaklık Bağımlılığı ............ 92 Adem Tataroğlu, Şemsettin Altındal ...................................................................................................... 92 P58: 3-Feniltiyofen ve 3-(3, 4, 5-Triflorofenil) Tiyofen Moleküllerinin Yapısal, Elektronik ve Lineer Olmayan Optik Özelliklerinin Teorik Olarak İncelenmesi............................................................................ 93 P59: Kristal Bant Yapılar İçin Lame Potansiyel Modeli Ve Hamilton Jacobi Analizi..................................94 Ö. Yeşiltaş*, M. Şimşek**....................................................................................................................... 94 P60: Ayarlanabilir Optik Özelliklere Sahip Moleküler Kümeler: TTBC Kümelerinin Kontrol Edilebilir Oluşumu Ve Eksitonik Özellikleri................................................................................................................. 95 H. Yıldırım1, B. Birkan2, D. Gülen 1, S. Özçelik 3................................................................................95 P61: 2-(N’-{4-[3-Metil-3-(2,4,6-Trimetil-Fenil)-Siklobütil]-Tiazol-2-Yl}-Hidrazinometil)-Benzen-1,4DiolEtanol..................................................................................................................................................... 96 Ç. Yüksektepe1, H. Saraçoğlu1, S. Soylu1, İ. Yılmaz2, A. Çukurovalı2, N. Çalışkan1......................... 96 P62: Saf Cu(110) Kristalinin Ultraviole Ters–Fotoemisyon Spektroskopi Sonuçları...................................97 O. Zeybek................................................................................................................................................. 97 P63: Ultraviole Ters–Fotoemisyon Spektroskopi Metodu İle Cu(110) Kristali Üzerinde Na Filmlerinin İşgal Edilmemiş Bölgedeki Elektron Yapısının İncelenmesi.........................................................................98 O. Zeybek................................................................................................................................................. 98 P64: m-Phenylenediamine Köprülü İki Çekirdekli Cu2(L-m-pda)22H2O, [L = 2-hydroxy-3methoxybenzaldehyde)] Bakır(II) Kompleksinin Kristal Yapısı ve Magnetik Özelliklerinin Yarı-deneysel Moleküler Orbital Yöntemlerle Analizi......................................................................................................... 99 C. T. Zeyreka, A. Elmalıb, Y. Elermanb ................................................................................................. 99 Dizin....................................................................................................... 100 Katılımcılar............................................................................................102 7 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA Program 09:00 – 09:15 09:15 – 09:45 09:45 – 10:00 10:00 – 10:15 10:15 – 10:30 10:30 – 11:00 11:00 – 11:15 11:15 – 11:30 11:30 – 11:45 11:45 – 12:00 12:00 – 12:15 12:15 – 13:15 13:15 – 13:45 13:45 – 14:00 14:00 – 14:15 14:15 – 14:30 14:30 – 14:45 14:45 – 15:00 15:00 – 15:30 15:30 – 16:00 16:00 – 16:15 16:15 – 16:30 16:30 – 16:45 16:45 – 17:00 17:00 – 17:15 17:15 – 17:30 17:30 – 17:45 19:00 – 23:00 8 Açılış Oturum Başkanı: Engin Kendi Ç01 S01 S02 S03 Çay Arası Oturum Başkanı: Arsin Aydınuran S04 S05 S06 S07 S08 Yemek Arası (Kültür Merkezi) Oturum Başkanı: Raşit Turan Ç02 S09 S10 S11 S12 S13 Çay Arası Oturum Başkanı: Atilla Aydınlı Ç03 S14 S15 S16 S17 S18 S19 Kapanış Akşam Yemeği (Kültür Merkezi) XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA Çağrılı Sunumlar 9 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA Ç01: II. Tip Süperiletkenlerde “Pinning” Mekanizması ve Girdap Dinamiği S. Çelebi Karadeniz Teknik Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Trabzon 61080 Geçiş sıcaklığı (Tc) denilen belirli bir sıcaklığın altında sıfır direnç ve mükemmel diyamagnetizma davranışı gösteren ve bu sıcaklığın üzerinde normal iletken gibi davranan bir malzemeye süperiletken adı verilir. 1911 de keşfedilmiştir. Süperiletkenin normal faza geçmeden taşıyabileceği maksimum akım yoğunluğuna, kritik akım yoğunluğu (Jc) denir. Bu iki nicelik uygulanan alan arttıkça azalmaktadır. Dolayısı ile süperiletkenlerin teknolojide uygulanabilirliği, geçiş sıcaklığı , kritik akım yoğunluğu ve uygulanan alanla birlikte maliyetin optimize edilmesi ile mümkündür. Kritik akım yoğunluğu, süperiletkenlerde var olan kusurlardan (safsızlıklar, gözenekler, dislokasyonlar , tane sınırları vb) kaynaklanan çivileme (pinning) mekanizması ile doğrudan ilişkilidir. Böyle bir kusur girdapların serbest hareketini engeller (sınırlar) yani pinning yapar. Girdaba (vortex) uygulanan Lorentz kuvveti ,FL=JcxB, pinning kuvvetinden , Fp , büyük olunca girdap hareket eder. Neticede düzenli bir girdap örgüsü yerine akı yoğunluğu gradyantını oluşturan bir girdap dağılımı söz konusu olur.Girdap çivilenmesi (vortex pinning) arttıkça; (i) girdapların hareketinden ileri gelen enerji kaybı azalır, (ii) Kritik akım yoğunluğu artar, ve (iii) magnetizasyon histeresizi genişler ve kalıcı (remnant) magnetizasyon artar. Bu ise magnet yapımında önemli bir özelliktir. Magnetler ise parçacık hızlandırıcılarında ve Magnetik Rezonans Görüntülemede (MRI) kullanılmaktadır. Birçok teknolojik uygulama ile ilişkili olan pinning mekanizmasının yansıması , çeşitli deneysel ve teorik yöntemle ele alınacaktır. Teorik hesaplamalarda kritik hal modelleri Maxwell Denklemi ile birlikte kullanılarak deneysel verilere oldukça iyi uyum sağlanmıştır. Magnetizasyon , AC alınganlık, akı tuzaklanması, akı çizgilerinin kesişmesi ve çapraz akışı, magnetik zorlanım (magnetostriction) , ısıl işlemle ortaya çıkan gizli magnetik moment gibi konular tartışılmaktadır. 10 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA Ç02: Küçük Açı X-Işını Saçılması (SAXS) Yöntemi ve Sinkrotron Işını Uygulamaları S. İde Hacettepe Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06800, Beytepe, ANKARA Küçük açı x-ışını saçılma tekniği, içeriğinde 1-1000 nm boyutlu oluşumlar içeren çeşitli örneklerin yapısını incelemede oldukça etkindir. Bu yöntemle jeller, sıvı kristaller, biyopolimerler, proteinler, nano-kompozit filmler, amorf malzemeler ve kas gibi biyolojik örneklerin yapıları ile, dış etkiler söz konusu olduğunda, yapı değişiklikleri kolayca incelenebilmektedir [1-4]. Yöntemin uygulamalarında, bilinen olumlu özelliklerinden dolayı, son on yıldır, sinkrotron ışınını yaygın olarak kullanılmakta ve kurulan demet hatlarındaki deneysel donanımlar teknik açıdan, gün geçtikçe daha elverişli hale getirilmektedir. Böylece, çözeltilerde ve kısmi düzenli yapılarda, milisaniyenin altında hızla gelişen yapısal değişimler bile incelenebilmektedir. Bu sunumda, öncelikle, SAXS yöntemi hakkında temel bilgiler verilecek, ardından sinkrotron ışın kullanılarak yapılan güncel çalışmalardan bahsedilecektir [5]. ELETTRASAXS demet hattı ile kurulan işbirliği çerçevesinde başlatılan ve ön çalışmaları yapılmış bazı farklı projeler açıklanacaktır. Bu projelerde çalışan bilim adamlarının biyoloji, kimya, fizik, gıda, tıp, eczacılık gibi farklı bilimsel alanlarda hizmet vermesi, yötemin yaygın ve çok amaçlı kullanımına bir örnek oluşturmaktadır. Teşekkür Sinkrotron ışını gerektiren projeler için maddi ve resmi destek sağlayan ICTP-TRIL ofisine, ELETTRA-SR merkezine, SAXS demet hattı çalışanlarına ve Hacettepe Üniversitesine teşekkür ederim. Kaynaklar [1] W.Ruland,B.Smarsly, J.Appl.Cryst.(2004), 37, 575-584. [2] G.Beaucage,H.K.Kammler, S.E.Pratsinis, J.Appl.Cryst.(2004), 37, 643-651. [3] E.Mathew, A.Mirza, N. Menhart, J. Synchrotron Rad. (2004), 11, 314-318. [4] K.R.Rao, Current Science (2000) Vol. 79, No.7, 926. [5] Austrian Small Angle X-ray Scattering (SAXS) Beamline-ELETTRA, Annual Reports 1997-2002. 11 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA Ç03: İki seviye yaklasiminda problemler T. Hakioğlu Bilkent Universitesi, Fizik Bolumu 1980'li yılların başlarından beri tam olarak kanıtlanmadan kullanılan çok seviyeli açık bir kuantum sistemin yeterince düşük sıcaklıklarda iki seviyeli davranacağı varsayımına dayanan "iki seviyeli sistem yaklaşımı”ndaki problemler incelenecektir. 12 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA Sözlü Sunumlar 13 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S01: III-V Yarıiletkenlerinde Hall Karakterizasyonu için Kantitatif Mobilite Spektrum Analizleri S. Acar ve M. Kasap Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 06500 Teknikokullar, Ankara, Türkiye Manyetik alan bağımlı (0-15 kG) özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri 14 - 350 K sıcaklık aralığında yapıldı. Manyetik alan bağımlı Hall ve özdirenç ölçümlerinden, elektron ve deşik yoğunluklarını ve mobilitelerini elde etmek için Kantatif Mobilite Spektrum Analiz tekniği III-V grup bulk yarıiletkenlerine uygulandı. Bu amaçla LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı InSb, GaSb ve S katkılı InAs kullanıldı. Bireysel bant ve iletim parametreleri belirlendi. Te ve S katkısının elektron ve magneto iletime etkileri araştırıldı. Safsızlıkların InAs ve InSb yarıiletkenleri için sıcaklık bağımlı magnetoözdirenç’de iki çukur oluşturduğu bulundu. GaSb yarıiletkeni için ise Г ve L iletkenlik bandı çukurları arasındaki enerji farkı hesaplandı. Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkür ederiz. 14 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S02: a-Si1-x:Cx:H İnce Filmlerin Optik Sabitlerinin Karbon Oranı ile Ayarlanabilmesi B. Akaoğlu, K. Sel, İ. Atılgan and B. Katırcıoğlu Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara 06531, Türkiye Hidrojenlenmiş amorf silisyum karbon alaşımı (a-Si1-xCx:H) ince filmler hidrojenle seyreltilmiş çeşitli etilen (C2H4) gaz oranlarında, 30 mW/cm2 ve 90 mW/cm2 güç yoğunluklarında, plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) sistemiyle cam tabanlar üzerine büyütülmüştür. İlk olarak, Fourier dönüşümlü kızılötesi geçirgenlik spektroskopisi ile karbon ve hidrojen atomlarının bağlanma konumlanmaları ve film içindeki göreli yoğunlukları incelenmiştir. Ardından, görünür/mor ötesi geçirgenlik spektroskopisi ve bu tekniğe yönelik özel bir çözümleme yazılımı kullanılarak filmlerdeki karbon oranının ve güç yoğunluğunun kırılma endisi, soğurma katsayısı (optik yasak enerji aralığı) ve Urbach parametrelerindeki etkileri belirlenmiştir. Bu çalışmada, kırılma endisinin ve optik yasak enerji aralığının sadece filmlerdeki karbon oranı ile değiştiği ortaya konmuştur. Böylece karbon oranı ile bu parametrelerin uygulamaya göre istenildiği gibi ayarlanabileceği belirlenmiştir. Fakat, yüksek güç yoğunluğundaki filmlerde bulunan Urbach ve eğim parametreleri, yapıdaki artan bir düzensizliğe işaret etmektedir. Diğer bir deyişle, bu artan düzensizlik söz konusu filmlerin katkılanmasını ya da etkin katkılanmasını engelleyecek bir olumsuzluktur. Sonuç olarak, katkılanabilir filmler, büyüme hızını göreli olarak düşürse bile, yapıyı çok bozmayacak düşük güç yoğunluklarında büyütülmelidirler. 15 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S03: Makromoleküler Kristalografi’de X-Işınının Bozucu Etkileri’nin Enerjiye Bağlılığı M.Aslantaş 1,2, E.Kendi1, V.Stojanoff2 Fizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Hacettepe Üniversitesi, 06532 Beytepe, Ankara. 2 Brookhaven National Laboratory, National Synchrotron Light Source, Upton 11973, NY, USA. 1 Sinkrotron X-ışını kaynağı, makromoleküler kristal örneklerinin 3-boyutlu yapılarının tayini ile birlikte biyolojik önemi ve fonksiyonlarının aydınlatılmasında çok önemli bir rol oynamaktadır. Son yıllarda tasarlanan 3.nesil yüksek akılı X-ışını makromoleküler ışın yollarının ve yeni deneysel tekniklerin geliştirilmesi, X-ışınına duyarlı ve kısa ömürlü biyolojik örnekler üzerine önemli derecede bozucu etkilerini de arttırmaktadır. Kristalograflar, X-ışının makromoleküler kristal örnekleri üzerine bozucu etkilerini birincil ve ikincil olmak üzere iki sınıfa ayırtmaktadırlar. Birincil bozucu etkiler X-ışını enerjisine ve akısına, ikincil etkiler ise veri toplama süresine bağlıdır. Günümüzde bu bozucu etkilerin anlaşılması ve önemli derecede azaltılması için birçok model ve teknikler geliştirilmesine rağmen, yüksek enerjinin kullanılması ve olumlu etkileri üzerine yok denilebilecek kadar çalışma yapılmıştır. Bu nedenle, Sinkrotron X-ışınının makromoleküler kristal örnekleri üzerine doğrudan bozucu etkilerini araştırmak üzere 2. nesil Sinkrotron Laboratuarı NSLS (National Synchrotron Light Source) daki X6A ve X17B1 ışın yollarında ve 3.nesil Sinkrotron Laboratuarı ESRF (European Synchrotron Radiation Facility) deki ID15 ışın yolunda Xışını kırınım deneyleri yapılmıştır. Bu deneylerde, standart test kristal örneği olarak; oda sıcaklığında Hanging Drop metodu ile kristalleştirilmiş, ağır atom türevli Lysozyme (HEWL) kristalleri kullanılarak X-ışını kırınım deneyleri, Erbium LIII(8.4keV) ve K (57.4keV) absorpsiyon kenarlarında yapılarak alçak ve yüksek enerji deneylerinin bir karşılaştırmasını yapmak üzere, elde edilen X-ışını datalarının analizleri ve yapı çözümleri yapılmıştır. 16 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S04: Nd:YAG Puls Lazeri Aracılığıyla büyütülen Si oksitlerinin Yapısal, Kimyasal, Elektiksel ve Optiksel Özellikleri G. Aygun1,*, E. Atanassova2, R. Turan1 Middle East Technical University, Ankara, Turkey Institute of Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, Sofia 1784, Bulgaria 1 2 * [email protected] Nd:YAG lazerin 1064 nm pulsları ile O2 gazı ortamında p-tipi (100) Si pulları oksitlenmektedir. Lazer ile oksitlenerek elde edilen SiO2 tabakalarının yapısal, kimyasal, dielektrik, ve elektriksel özellikleri, reflektans spektrası ve kırılma indisi incelenmiştir. Optiksel kalınlık ve kırılma indisi sonuçlarına göre, 3.36 J/cm2 değerinden daha büyük lazer gücü ve kullanılan yüksek örnek sıcaklıklarında elde edilen filmlerin özelliklerinin daha iyi olduğu sonucu ortaya çıkarılmıştır. Buna rağmen, lazer oksitlemesi ile elde edilen tabakaların kırılma indisi değerleri fırında ısıtılarak büyütülen oksitlerin kırılma indisi değerinden daha küçüktür. XPS derinlik profil spektrası, oksitlenen tabakanın yüzeyinde stoichiometric SiO2'nun etkin olduğunu ancak oksit tabakasının derinliklerine inildiğinde sub-oksitlerın görülmeye başladığını ve ara yüzeyde de (Si−SiO2) suboksitlerin SiO2’ya daha baskın olduklarını ortaya çıkarmaktadır. MOS kapasitör yapıları aracılığıyla C-V ve G-V ölçümleri yapılmıştır. Ara yüzey durum yoğunluğu ve oksit yük yoğunluğu değerleri, ısıtılarak büyütülen oksit tabakasının elde edilen değerlerinden daha büyüktür. Oksitleme parametrelerinin optimize edilmesi ve / veya oksitleme sonrası fırınlama işlemleriyle, oksit kalitesi daha da iyileştirilebilir. 17 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S05: Tungsten (110) Yüzeyine Tutunmuş H Atomu ile CO Molekülünün Çarpışmasında H-Yüzey Bağının Kopma Olasılığı: Klasik Yoldan İncelemesi Ü. Bayhan, M. Çivi* Hacettepe Üniversitesi, Eğitim Fakültesi, Ankara, Türkiye, [email protected] *Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Ankara, Türkiye, [email protected] CO (gaz) / H(ads) / Tungsten yüzey sisteminde çarpışma ile H-Yüzey bağının kopma olasılığı klasik yolak yöntemi ile incelendi. İnceleme 0.1-2.0 eV çarpışma enerji aralığı ve molekül-atom arasındaki etkin potansiyel de 0.2-6.2 eV aralığında gerçekleştirildi. 18 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S06: Au/n-GaAs Schottky Diyot Parametrelerinin H2 Tavlamasına ve Schottky Engel Metalinin Kalınlığına Bağlı Değişimlerinin İncelenmesi M. Biber, Ö. Güllü, A. Türüt Atatürk Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 25240, Erzurum, TÜRKİYE Bir yüzeyine ohmik kontak yapılmış n-tipi GaAs III-V yarıiletkeninin diğer yüzeyine, 300C’de H2 ortamında tavlandıktan sonra, vakum ortamında farklı kalınlıklarda (5, 25, 50, 75 ve 100nm) Au buharlaştırılarak Au/n-GaAs Schottky kontaklar elde edilmiştir. Aynı kalıklara sahip olmak üzere H2 tavlamasız Au/n-GaAs referans Schottky kontaklar yapılarak, H2 tavlamasının ve Schottky engel metal kalınlığının, diyotların akım-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristikleri üzerine etkileri araştırılmıştır. 19 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S07: Mekanik Öğütme Yöntemi ile Fe3O4 Nanoparçacıkların Sentezi ve Karakterizasyonu M.M.Can, Ş. Özcan ve T. Fırat Fizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, 06800, ANKARA Yapılan bu çalışmada, teknolojik uygulamada önem kazanan magnetik Fe3O4 (magnetite) nanoparçacıkların eldesi, bu parçacıkları sentezlenme yöntemi olan mekanik öğütme tekniğinin anlaşılması ve geliştirilmesi hedeflenmiştir. Mekanik öğütme tekniği kullanılarak, demir parçacıkları öğütülerek magnetite nanoparçacıkları sentezlenmiştir. Sentezleme sırasında, hazne hızı, öğütme süresi ve malzeme/bilye kütleleri oranı gibi parametrelerin magnetite nanoparçacıkların tanecik boyutuna ve faz oluşumuna etkileri irdelenmiştir. Öğütme sırasında dikkate alınan parametrelerden, sadece birini değiştirilerek (diğerleri sabit kalmak koşulu ile) 10nm- 20 nm aralığında magnetite nanoparçacıkları elde edildiği deneysel olarak gözlenmiştir. Yapılan nanoyapıların yapı analizi X-ışını toz kırınımı ile, malzemenin magnetik davranışı (histerisis eğrisi) titreşimli örnek magnetometresi (VSM) ile ve en son olarak ta parçacık büyüklüğü tünelleme elektron mikroskobu (TEM) ile elde edilmiştir. Yapılan çalışmada gözlemlenen diğer bir önemli bulgu olarak, parçacık büyüklüğü ile doyum manyetizasyonu ve artık mıknatıslanma arasında bir ilişki olduğunun belirlenmiştir. 20 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S08: Sm ve Gd Nadir-Toprak İyonlarının Katkılamasının Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2-xRExCu3O10+y Bileşiğinde Mıknatıslanma ve dM/dH Dinamik Duygunluğu Üzerindeki Alan Bağımlılığı A. Coşkun, A. Ekicibil, B. Özçelik, K. Kıymaç Çukurova Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 01330, Balcalı, Adana Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2-xRExCu3O10+y (RE; Gd0.01, Sm0.03) malzemesi için yapılan magnetizasyon ölçümleri magnetik alanın bir fonksiyonu olarak maksimum uygulanan alan 4kOe alınarak T<Tc değerleri için 15 T 75 K aralığında farklı sabit sıcaklıklarda yapılmıştır. Analizler sonucunda üç önemli özellikler gözlenmiştir; birincisi Sm ve Gd katkılı örnekler için M-H eğrileri benzerdir ve ve her biri belirli bir Hc kritik alan değerinde bir minimum göstermektedir bu Hc değerinin üzerinde ise monotonik bir azalma gözlenmektedir. İkincisi, dM/dH dinamik duygunluk değerlerinde artan sıcaklıkla birlikte süperiletken hacimle bağlantılı olarak bir azalma görülmektedir. Diğer bir değişle T ile birlikte dM/dH’ deki azalma süperiletken bölgelerin boyutlarındaki bir azalmaya neden olurken, paramagnetik bölgelerde büyümektedir. Üçüncüsü ise, Artan sıcaklıkla birlikte Sm ve Gd katkılı her iki örnek içinde histeresiz eğrilerinde hızlı bir azalma oluşmaktadır ki, bu akı çivileme merkezlerinin varlığını işaret etmektedir. Böylece sonuçlar gösterdi ki Ca2+Sm3+ ve Gd3+ katkılaması taşıyıcı hol konsantrasyonunda bir azalmaya neden olmuştur. 21 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S09: Gd1-xErxMn6Sn6 ve Gd1-xTmxMn6Sn6 İntermetalik Bileşiklerinin Magnetik Faz Geçişlerinin İncelenmesi O. Çakır, A. Elmalı, I. Dinçer, Y. Elerman Fizik Mühendisligi Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Ankara Üniversitesi, Besevler, Ankara RMn6Sn6 seklindeki intermetalik bileşikler (R: nadir yer elementi) hekzagonal HfFe6Ge6 tipinde kristalleşip uzay gurubu P6/mm’dir. Atomlar c ekseni boyunca – Mn-(R,Sn)-MnSn-Sn-Sn-Mn seklinde sıralanırlar. Bu bileşiklerde R ve Mn olmak üzere iki farklı alt örgü vardır. Magnetik yapı, bu iki alt örgünün etkileşmesi ile belirlenir. Düzlemler arası Mn momentleri Mn-Sn-Sn-Mn seklinde paralel sıralanırlar. R`nin Gd, Tb, Dy, Ho, Tm olmasına bağlı olarak, güçlü Mn-R antiferromagnetik çiftlenimi oluşur buda tüm sıcaklık boyunca ferrimagnetik bir düzenlenişin oluşmasını sağlar. Eğer R; Sc, Y, Lu ise, RMn6Sn6 bileşiği antiferromagnetik düzenlenişe sahiptir. Gd1-xErxMn6Sn6 ve Gd1-xTmxMn6Sn6 bileşikleri, x`in farklı değerleri için argon atmosferi altında arc fırınında üretilmiştir. Rigaku marka D-Max 220 model x-isini toz kırınımmetresi kullanılarak x-isini kırınım deneyleri yapılıp, Fullprof programı ile, örneklerin örgü parametreleri bulunmuştur. Elde edilen örnekler 50 Oe`lik düşük Magnetik alanda sıcaklığa bağlı olarak 5 K ile 350 K sıcaklık aralığında alan soğutmalı (FC) ve alan soğutmasız (ZFC) DC magnetizasyon ölcümleri alinmistir. Gd1-xErxMn6Sn6 bilesiginde x= 0.8, Gd1-xTmxMn6Sn6 bilesiginde ise x= 0.85 değerleri için farklı yüksek alanlarda sıcaklığın magnetizasyona bağlı ölçümleri alınıp, bu değerler için 20 kOe de metamagnetik faz geçişleri gözlenmiştir. ErMn6Sn6 bileşiği kompleks bir magnetik davranış göstermektedir. 352 K nin altında antiferromagnetik olarak düzenlenip, 75 K`de ikinci magnetik faz geçişi gerçekleşir. TmMn6Sn6 bileşiğinde, 347 K ve 60 K` de olmak üzere iki farklı magnetik faz geçişi vardir. 347`K nin altında Mn alt örgüsü antiferromagnetik olarak düzenlenir. 60 K`nin altında ise Tm alt örgüsü de düzenlenerek yapı ferrimagnetizmaya gecer. GdMn6Sn6 bileşiğinde Gd ve Mn alt örgülerinin anisotropileri kolay eksen boyuncadır. Gd tüm sıcaklık boyunca düzenlenip, Mn alt örgüsü ile ferrimagnetik olarak çiftlenir. Gd1xErxMn6Sn6 bileşiğinde x≤ 0.75, Gd1-xTmxMn6Sn6 bileşiğinde x≤ 0.7 degerleri için, güçlü Mn-Gd antiferromagnetik çiftlenimi bu iki alt örgü arasındaki düzenlenimin ferrimagnetik olmasına sebep olur. Mıknatıslanma eğrilerinde bu açıkça gözlenmektedir. Gd1-xErxMn6Sn6 bileşiğinde, x=0.8, Gd1-xTmxMn6Sn6 bileşiğinde ise x=0.85 degerleri icin, daha zengin magnetik geçişler gözlenmiştir. Bu çalışmada iki nadir yer elementinin yer değiştirmesi ile R elementine bagli olarak R-Mn ve Mn-Mn çiftlenimlerinin nasıl değiştiği ve magnetik yapıda nasıl bir değişim olduğu incelenmiştir. 22 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S10: GaTe Tabakalı Yarıiletkeni Üzerinde İdeal Schottky Diyod Yapılabilirliği: Al/GaTe/In Yapısının Elektriksel Karakterizasyonu H. Efeoğlu Atatürk Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü, 25240 Erzurum Yarıiletkenler üzerinde oluşturulan Schottky diyod (SB) yapılar günümüz teknolojisinde pek çok uygulama alanı bulmasına rağmen mevcut teoriler ile taşıyıcı iletim mekanizması kısmen açıklığa kavuşturulmuştur1,2. Deneysel olarak gözlenen I-V karakteristiğinde yarıiletkenin başlangıçtaki yüzey durumunun etkin olduğu bilinmektedir. Foton emisyon spektroskopisi (PES), Auger elektron spektroskopisi (AES) ve düşük enerjili elektron kırınımı (LEED) teknikleri ile SB oluşumunun ilk aşamalarında metal-yarıiletken ara yüzeyinin kimyasal, yapısal ve elektronik özellikleri hakkında önemli bilgiler sağlamaktadır3. Termal emisyon teorisine göre I-V-T ölçümlerinde azalan sıcaklıkla engel yüksekliğinde anormal bir azalma ve idealite faktöründe artış gözlenmektedir. Azalan sıcaklıkla gözlenen bu anormal davranış SB oluşumunda yarıiletken yüzeyindeki doymamış bağlar ile de ilişkilendirilmektedir. Vakumda yarılmış kristal üzerinde, yüzeyi passive edilmiş veya siliside tabanlı SB için I-V karakteristiklerinde ideale yaklaşım sağlanmıştır. III-VI grubundaki tabakalı yarıiletkenler, tabakalar arasındaki van der Waals etkileşimi ile karakterize edilmekte ve bu tabakalar boyunca oluşan yarılma düzlemleri atomik seviyede düzgün yapıya sahip olabilmektedirler. Herbir atomun tabaka içinde bağlarını tamamlamaları nedeniyle bu malzemelerde son tabaka yüzeyinde doymamış bağ bulunmamaktadır ve bunun sonucu olarak yabancı atomlara karşı asal olmaları beklenmektedir4. Bu bilgiler tabakalı yarıiletkenler üzerinde ideal SB yapıların fabrikasyonunun yapılabilirliğine işaret etmektedir. Bu beklenti P V Galiy et al4’in InSe, GaSe ve TlGaSe2 tabakalı kristallerin yüzeyinde N2 ve su buharının adsorblanmadığı ancak O2’ye karşın zayıf bir aktivitenin gözlendiği çalışması ile de desteklenmektedir. Almeida5 ise GaTe üzerinde Au, In, Ag ve Al elementlerinin kimyasal reaksiyonları x-ray fotoelektron spektroskopy kullanılarak incelenmiştir. Bu çalışmada p-GaTe tabakalı yarıiletkeni üzerinde fabrika edilmiş olan Al/GaTe/In yapılarının I-V-T ölçümlerinin analizi verilmekte. Veri sonuçları, fabrikasyonu yapılan SB diyotlarının, teorinin öngördüğü ideal davranışı sergileyebileceğini göstermekte olup p-GaTe yarıiletkeninin iletkenliğinin yüzeysel alıcılar tarafından kontrol edilerek düşük sıcaklıklarda oluşan seri direnç etkisi azaltıldığı taktirde, teorik limitlere ulaşılabileceği öngörülmektedir. Referanslar: 1- R T Tung, Materials Science and Engineering R 35 1-138, 2001 2- W Mönch, Semiconductor Surfaces and Interfaces, Springer-Verlag Berlin Heidelberg New York 2001 3- N Newman, M van Schilfgaarde, T Kendelwicz, M D Williams and W E Spicer Physical Review 33(2) 1146-1159 1986 4- P V Galiy, T M Nenchuk and J M Stakhira, J. Phys. D. Appl. Phys. 34, 18-24 2000 5- J Almeida, H Berger, and G Margaritondo, Journal of Appl. Phys. 84(4) 1990-1993 1998 23 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA 24 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S11: Ferroelektriklerin Mikroskopik teorisi: KNbO3 ve BaTiO3 kristaline uygulanması F. Karadağ, A. M. Mamedov Çukurova Üniversitesi, Adana, [email protected] Ferroelektriklik Katı hal Fiziği içerisinde en çok çalışılan konulardan birisidir. Bu çalışmanın amacı ferroelektrik kararsızlığın modellerini tartışmak ve örgü dinamiğinin mikroskopik teorisi temelinde ferroelektrikliğin titiz formulasyonunu dikkatli bir şekilde vermektir. Daha sonra bu teoriyi KNbO3 ve BaTiO3 kristallerine uygulamaktır. Ferroelektrik açıdan aktif olan Nb ve Ti iyonunun yer değiştirmelerine karşı duyarlılık sergileyen KNbO3 ve BaTiO3 kristallerinde Nb ve Ti yer değiştirmelerine göre içerisinde bulunduğu adyabatik potansiyel, temel ilkelerden (ab initio) yöntemlerle bulunmuş diyagonal kuvvet sabitleri belirlenmiştir. Perovskite yapıdaki ferroelektrik KNbO3 yerel kuvvet sabitlerinin ve potansiyelin kümesel hesabında Hartree-Fock Moleküler OrbitalÖz Uyumlu Alan yöntemi kullanılmıştır. 25 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S12: Tb1-xNdxMn2Si2 (0.0≤x≤1.0) Bileşiklerinin Magnetik Özellikleri A. Kılıça, S. Kervanb, Ş. Özcanc, A. Gencera Ankara Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 06100-Tandoğan, Ankara TAEK, Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi, Malzeme Araştırma Bölümü, 06100-Beşevler, Ankara c Hacettepe Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Beytepe, Ankara a b Bu çalışmada, Tb1-xNdxMn2Si2 (0.0≤x≤1.0) örneğinin yapısal ve magnetik karakterizasyonu XRD (X-ray diffraction ), DSC (differential scanning calorimetry), AC alınganlık ölçümleri ile yapıldı. Bütün bu bileşikler hacim merkezli tetragonal ThCr2Si2 tipi yapıda kristalleşir ve uzay grubu I4/mmm’dir. Birim hücre parametreleri Vegard yasasına uyarlar. Düşük sıcaklıklarda, nadir toprak alt örgüsü de düzenlenerek Mn alt örgüsü yeniden şekillenir. x=0.2, x =0.4 ve x =0.6 numunelerinde spinlerin yeniden yönelim sıcaklıkları tespit edilmiş ve bu numunelerin AC alınganlık eğrilerindeki çıkıntılar Néel sıcaklığı TN1(Mn) olarak tanımlanmıştır. DSC tekniği kullanılarak belirlenen bu sistemdeki Néel sıcaklığı TN2(Mn) örnekler Nd konsantrasyonu x'e bağlı olarak arttıkça lineer azalır. Sonuç olarak magnetik faz geçiş sıcaklıklarından yararlanılarak x-T magnetik faz diyagramı elde edildi. 26 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S13: SI GaAs’lı Sistemde Elektriksel Kararsızlıkların Analizi H. Y. Kurt 1, B. G. Salamov 1* ve T. S. Mammadov 1** Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Beşevler 06500 Ankara, Türkiye * Bakü Devlet Üniversitesi, Fizik Bölümü, Bakü 370145, Azerbaycan ** Azerbaycan Bilimler Akedemisi, Fizik Enstitüsü, Bakü 370143, Azerbaycan 1 N-tipi akım-voltaj karakteristiğine sahip bir yarıiletken sistemi, hem akım hem de boşalma ışık emisyonunu kullanarak analiz edildi ve böylece SI GaAs da elektriksel kararsızlıklar gözlenebilmiştir. Bu çalışmada, biri GaAs katotlu (yani b tipi yapı) IR görüntü çevirici olan iki tip yapının taşıma özelliklerini karşılaştırdık. Sistemin özelliklerini belirleyen başlıca iki kısım yarıiletken (yani a tipi yapı) ve gaz boşalma tabakasıdır. Bu durumda a tipi yapı IR görüntü çeviriciden farklıdır; çünkü GaAs katodun gaz boşalmasına bakan yayınlayıcı yüzeyi ince bir metal filmle kaplanmıştır ve diğer bir kontak olarak görev yapmaktadır. İki yapıdaki taşıma özelliklerinin benzerliği, kararsız bölgelerde akım ve boşalma ışık emisyonundaki osilasyonların benzer olduğunu gösterir. Dolayısıyla, sistemde gözlenen akım-voltaj karakteristiklerini ve boşalma ışık emisyonunu inceleyerek, gaz boşalma aralıksız bir yapıdaki akım kararsızlıkları hakkında bilgi sahibi olabiliriz. Bir yarıiletken sisteminin karmaşık davranışları geniş bir gaz basıncı ve elektrotlar arası mesafede katodun farklı çapları için deneysel olarak analiz edildi. Kararlı bir voltajla beslendiğinde, farklı osilasyon genlikli akım ve boşalma ışık emisyonu kararsızlıkları meydana gelir. Deneysel şartlar altında, elektrotlar arası mesafenin sadece pasif bir rol oynadığı ve boşalma ışık emisyonundaki karasızlıktan sorumlu olmadığı gösterilmiştir. Aynı zamanda katodun farklı D çapları için, akım ve boşalma ışık emisyonu geniş bir bölgede gözlenmiştir.Yaptığımız deneysel çalışma büyük çaplı yüksek – dirençli yarıiletken plakalardaki elektriksel kararsızlıkları incelemek için yeni bir metot sunmaktadır. Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkür ederiz. 27 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S14: Rb/Si(001)-2x1 sisteminin yoğunluk fonksiyoneli çalışması E. Mete Fizik Bölümü, Balıkesir Üniversitesi Alkali metallerin silikon yüzey üzerinde tutunması yarıiletken yüzeylerin metalizasyonu için prototip model olarak görülmektedir. Bu çalışmada, norm-koruyan psüdopotansiyeller ile yerel yoğunluk yaklaşımı dahilinde 2x1 simetrisine sahip Si(001) yüzeyinde 0.5 ve 1 tek-katman kaplama için Rb atomu tutunması probleminin ilk-prensip toplam enerji yoğunluk fonksiyoneli hesabı yapıldı. Yarım katman kaplamada asimetrik dimerler oluşmasına karşın 1 tek-katman kaplama için simetrik dimerlerin enerjetik olarak tercih edildiği bulundu. Hangi tutunma konfigürasyonlarının enerjetik açıdan daha olası olduğunu tespit etmek için mümkün olan bütün seçenekler çalışıldı. Bu yapısal özelliklerle birlikte sistemin elektronik bant yapısı ve yüzey durumları incelendi. Hesapsal sonuçlar mevcut deneysel bulgularla karşılaştırılarak yorumlandı. 28 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S15: Üstüniletken YBCO’da Ardışık Isıtma ve Soğutmaların Kritik Akıma Etkisi T. Öncü*, A. Şentürk, B. Kaynar, M. Artuç, Ş. Özcan, T. Fırat *Gıda Işınlama ve Sterilizasyon Bölümü, ANTHAM, TAEK, Sarayköy/Ankara Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe/Ankara Bu çalışmada ardışık ısıl çevrimlerin malzemenin transport özelliklerine etkisi araştırıldı. Standart katı hal reaksiyonu ile hazırlanan Y1Ba2Cu3O7-x yığın süperiletken örneklerin iki faz içerdikleri X ışınları toz kırınım yöntemi ile, tanecikli yapıda oldukları SEM fotoğrafları ile tespit edildi. Hazırlanan örneklerin kritik sıcaklığı A.a. direnç-sıcaklık ölçüm sistemi kullanılarak ölçüldü. Ardışık ölçümler sonucunda, üstüniletken malzemenin içinde mikro çatlaklar oluştuğu, ölçümler magnetik alan altında yapıldığında manyetostrüksiyona bağlı olarak mikro çatlakların sayısının daha da arttığı fakat malzeme oda sıcaklığında bir süre bekletildiğinde bu mikro çatlakların iyileşip yok olduğu, hazırlanan üstüniletken örneklerin geçmişlerini hatırladıkları ve örneklerin başlangıç durumuna dönebilmesi için iki ölçüm arasında belirli bir süre (kendine gelme süresi) kadar bekletilmeleri gerektiği sonucuna varıldı. 29 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S16: Bi2Sr2CaCu2O8+d Üstüniletkeninde Tek Eklem ve Özgün Josephson Eklem Tünelleme Spektroskopileri L. Özyüzer İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Fizik Bölümü, İzmir Optimum ve aşırı dozda oksijen dopingi yapılmış Bi2Sr2CaCu2O8+d tek kristalleri üzerine tünelleme çalışmaları yapılmıştır. Nokta kontak yöntemi ile üstüniletkenyalıtkan-normal metal (SIN) ve SIS kırma eklemleri ile birlikte özgün Josephson eklemleride nanoboyuttaki kristallerden elde edilmişlerdir. Bunlara ek olarak 10x10 mikrometre boyutlarında mesa yapı dizileri fotolitografi ve iyon demeti dağlama yöntemi ile üretilerek, 4.2 K den başlayarak oda sıcaklığına kadar karakterize edilmiştir. Aynı kristalden elde edilen dört farklı eklem tipinin sanki parçacık pikleri, çukur ve bump yapıları karşılaştırılmıştır. Sonuçların yüzey spektroskopileri ile karşılaştırılmasında çukur ve bump yapılarının bulunmadığı görülmüştür. Özgün Josephson eklemlerinden elde edilen enerji aralığının tek eklem geometrilerinde elde edilenlerde çok daha küçük olduğu bulunmuştur. Özgün Josephson eklemlerinin, özgün sanki parçacık özellikleri göstermeyip yerel ısınma ve dengede olmama durumu gösterdiği bulunmuştur. Bu özellik onların terahertz radyasyon kaynağı ve SQUID olarak uygulamalarında dezavantaj sağladığından, ısınmayı engelleyecek yeni teknikler önerilmiştir. 30 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S17: Kızılötesi dedektör malzemesi MBE-HgCdTe materyalinin düşük sıcaklıkta p-tipine çevrilmesi Y. Selamet İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü Cıva kadmiyum tellürid (Hg1-xCdxTe) en önemli kızılötesi foton detektör malzemelerinden birisidir. Bu yarıiletken ile üretilen dedektörler bir çok savunma silahlarında ve gece görüş uygulamaları için kullanılmaktadır. Moleküler demet epitaksisi (MBE) ile ve özellikle Si alttaşları üzerine büyütülen HgCdTe malzemesi 2048x2048 formatındaki odaksal düzlem dizilerinde (FPA), çok renkli/spektrumlu detektörlerde de kullanılmaktadır. Ancak MBE ile büyütülen HgCdTe malzemelerinin ptipi katkılama sorunları bu malzemenin daha ileri, karmaşık detektör yapılarında kullanımını sınırlamaktadır. Bu karmaşık tasarımlı detektörlerin çalışma sıcaklığının yükseltilmesi için çok önemlidir. HgCdTe grup-I ve grup-V elementleri ile p-tipi katkılanabilir. Ancak grup-I elementlerinin HgCdTe içinde hızlı difüze oldukları, grup-V elementlerinin de amfoterik karakter gösterdikleri gözlemlenmiştir. Grup-V elementleri ile katkılanan HgCdTe, genellikle n-tipi davranış göstermekte, p-tipine çevrilebilmesi için yüksek sıcaklıkta (425-450oC) tavlanması gerekmektedir. Bu tavlama, MBE’nin düşük sıcaklık ile üretim avantajlarını azaltmaktadır. HgCdTe malzemelerinin düşük sıcaklıkta p-tipine dönüştürme yolları ile bu malzemenin ve bunlar üzerine yapılan detektörlerin son durumu incelenecektir. 31 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S18: Derinlik Duyarlı Mikroçentik (DDM) Tekniği İle YBCO Süperiletkenlerinin Mekanik Karakterizasyonu İçin Yeni Bir Yöntem: Enerji Yaklaşımı O. Uzun 1, U. Kölemen1, N. Güçlü1, O. Şahin2 ve Z. Akdoğan3 Gaziosmanpaşa Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 60240, TOKAT 2 Süleyman Demirel Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 32260, İSPARTA 3 Gaziosmanpaşa Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Matematik Bölümü, 60240, TOKAT 1 Son yıllarda kullanılmaya başlanan derinlik duyarlı mikroçentik (DDM) tekniği, geleneksel yöntemlere kıyasla, aletsel ve gözleyiciden kaynaklanan hataları en aza indirmektedir. Bu avantajının yanı sıra, uygulanan yük ve çentik derinliğinin bilgisayar kontrollü olarak sürekli ve hassas bir şekilde ölçülebilmesi, çentme (deformasyon) işleminin enerji karakteristiklerinin belirlenmesine de izin verir. Bu sebeple, DDM tekniği malzemelerin mekaniksel karakterizasyon çalışmalarında en yaygın kullanılan yöntemlerden birisi haline gelmiştir [1-4]. Çalışmamızda, saf ve ağırlıkça %1 ZnO katkılı YBCO seramik süperiletkenlerinin mekaniksel özellikleri, DDM tekniği ile incelendi. Elde edilen veriler, literatürde yaygın olarak kullanılan yöntemlerden farklı olarak “çentme işleminde yapılan iş (veya kısaca enerji) yaklaşımı” ile irdelendi. Bu bağlamda, DDM tekniği ile elde edilen yük (P; N)-çentik derinliği (h; m) grafiklerinde, eğrilerin altında kalan alanlara karşılık gelen bazı temel enerjiler önerildi. Alanların yeniden bölümlendirilmesi ile oluşturulabilecek mümkün bütün enerjiler düşünülerek, her bir alana eşlik edecek altı temel enerji (Mutlak enerji;WM, Toplam enerji;WT, Plastik enerji;WP, Elastik enerji;WE, W1 ve W2 enerjileri) öngörüldü. Yapılan hesaplamalar sonucunda, bu enerji terimleri arasında lineer bir ilişki olduğu gözlendi. Ayrıca, literatürde sertlik ve elastiklik sabiti hesaplamalarında kullanılan çentik derinliğinin, hacminin veya alanının belirlenmesine gerek kalmaksızın, sadece enerji yaklaşımı kullanılarak YBCO malzemelerinin sertlik ve elastiklik sabitleri hesaplandı. Yine enerji yaklaşımının bir sonucu olarak, YBCO süperiletken seramik malzemelerinin mekaniksel karakterizasyonun da kullanılabilecek bazı sabitler önerildi. Referanslar [1] A. E. Giannakopoulos, S. Suresh, Scripta Materialia, 40 10 (1999) 1191-1198. [2] A. A. Elmustafa, D. S. Stone, Acta Materialia, 50 (2002) 3641-3650. [3] E. Atar, H. Çimenoğlu, E. S. Kayalı, Surface and Coating Tech., 162 (2003) 167-173. [4] O. Uzun, U. Kölemen, S. Çelebi, N. Güçlü, Journal of the Euro. Ceramic Soc. (2004) (Baskıda). Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2003K120510) teşekkür ederiz. 32 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA S19: D(H)-Kaplanmış Cu(111) Yüzeyi ile H(D) Atomlarının Reaksiyonlarında İzotop ve Sıcaklığın Etkisi C. D. Vurdu, S. Özçelik* ve Z. B. Güvenç** Gazi Üniversitesi, Kastamonu, Türkiye, [email protected] *Gazi Üniversitesi, Ankara, Türkiye, [email protected] **Çankaya Üniversitesi, Ankara, Türkiye, [email protected] Bu çalışmada, Cu(111) yüzeyi üzerine tutunmuş D(veya H) atomlarıyla gaz-fazlı H(veya D) atomlarının reaksiyon dinamiğinin bir yarı-klasik moleküler dinamik çalışması yapıldı. 30 K ve 94 K yüzey sıcaklıklarında H(D) --> D(H) + Cu(111) sisteminin simülasyonunu yapmak için; yüzeyde tutunan D(veya H) atomları 15%, 25% ve 50% kaplama oluşturacak biçimde Cu(111) yüzeyi üzerinde gelişigüzel yerleştirildi. Bu sistemin etkileşmesi, bir LEPS fonksiyonu ile hesaplandı. LEPS parametreleri, GGA ve DFT metodu ile bir ve iki hidrojen atomunun Cu(111) yüzeyi üzerinde farklı yerleşimleri için hesaplanmış enerji değerleri kullanılarak bulundu. Sıcak-atom ve Eley-Rideal mekanizması yolu ile oluşan H2, D2, ve HD ürünleri, bu sıcaklıklarda ve kaplama oranlarında gösterildi. Ürünlere ait dönme, titreşim, toplam ve öteleme enerji dağılımları için olasılıklar hesaplandı. Ayrıca, yüzeyde tuzaklanma, gelen atomun inelastik saçılması ve yüzeyde tutunan atomun veya gelen atomun tabakanın içine girmesi gibi çeşitli oluşumlar analiz edildi. Bu sistemin izotopik yer değiştirme ve yüzey sıcaklığına bağlılığı incelendi ve sıcak-atom yolunun ürün oluşumundaki önemli katkıları gösterildi. Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkür ederiz. İlgili Referanslar: 1. Ziya B. Guvenc, Xianwei Sha, and Bret Jackson, J. Chem. Phys. 115, (2001) 1-10. 2. Bret Jackson, Xianwei Sha and Ziya B. Guvenc, J. Chem. Phys. 116, (2002) 1-10. 3. Ziya B. Guvenc, Xianwei Sha, and Bret Jackson, J. Phys. Chem. B 106 (2002) 8342-8348. 33 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA Poster Sunumlar 34 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P01: Hazırlanan Al-Ti10W90-nSi Schottky diyotların elektro fiziksel parametrelerinin incelenmesi I.M.Afandiyeva , Sh.S.Aslanov*, L.K.Abdullayeva ve *Ş. Altındal Bakü Devlet Üniversitesi Fizik Bölümü, 370145, Bakü, AZERBAYCAN *Gazi Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , 06500, Teknikokullar, Ankara,TÜRKİYE Schottky diyotların (SD) elektriksel karakteristikleri metal-yarıiletken ara yüzeyindeki durumlara oldukça duyarlıdır. Metal bir TiW alaşım film Si yarıiletken üzerine magnetron püskürtme yöntemiyle oluşturuldu. Sistemlerin mikro yapısı X-ışınlarıyla incelendi. Al-Ti10W90-nSi sandviç yapı homojen gaz karışımı ortamında sıcaklığa maruz bırakıldı. Hazırlanan diyot matrisi, alanları 1 х10-6cm2 - 14 х10-6cm2 arasında değişen 14 diyot içermektedir. Yapıların akım-voltaj (I-V) karakteristikleri 300-450 K sıcaklık aralığında incelendi. Doğru belsem ve ters belsem için akım ifadeleri sırasıyla, If=Isexp V ve Ir=Isexp *V olup katsayıları =(30.6 -4.1)V-1 ve *=(1.79-0.62)V-1 dır. I-V karakteristiklerinin analizi akım iletiminde yüzey durumlarının etkin olduğunu gösterdi. Diyotların direnci sıcaklığa bağlı olarak incelendi. Anahtar Kelimeler: Ti10W90-nSi Schottky diyotları, elektro fiziksel parametreler, sıcaklığa bağımlılık 35 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P02: (Al-TiW+PtSi)-nSi Schottky diyotlarının hazırlanması ve akım iletim mekanizmalarının incelenmesi I.M.Afandiyeva, Sh.S.Aslanov , Ş. Altındal* Bakü Devlet Üniversitesi Fizik Bölümü, 370145, Bakü, AZERBAYCAN *Gazi Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , 06500, Teknikokullar, Ankara,TÜRKİYE Bu çalışmada hazırlanan (Al-TiW+PtSi)–nSi Schottky diyotların teknolojik incelenmesinin ve onların elektriksel karakteristiklerinin sonuçları rapor edildi. Diyotların temel parametreleri akım-voltaj karakteristikleri V>3kT/q için 300-450 K sıcaklık aralığında hesaplandı. Deneysel sonuçlar, tünel akımının 298-373 K sıcaklık aralığında ve termiyonik emisyonun ise 373-458 K sıcaklık aralığında etkin olduğu gözlendi. Tünel akımı parametresi Eoo ve etkin sıcaklık T* değerleri hesaplandı. Engelin homojen olduğu sonucuna varıldı. Elde edilen deneysel sonuçlar akım iletiminde ilave taşıyıcı yüklerin olduğu gösterdi. Onların büyüklüğü nanometre mertebesindedir. Metalyarıiletken ara yüzeyinde homojen olmayan yüzey durumları mevcuttur. Anahtar Kelimeler: Akım iletim mekanizması, (Al-TiW+PtSi)–nSi Schottky diyotları, sıcaklığa bağımlılık. 36 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P03: SnO2-Bi4Ti3O12-Au yapıların elektriksel karakteristiklerinin incelenmesi A.A.Agasıyev, I.M.Afandıyeva , Ş. Altındal*, M.Z.Mamedov Bakü Devlet Üniversitesi Fizik Bölümü, 370145, Bakü, AZERBAYCAN *Gazi Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , 06500, Teknikokullar, Ankara,TÜRKİYE Bi4Ti3O12 ince filmlerin yüksek kademeli sıcaklık ve geniş kapasiteli özelliklerinden dolayı araştırmalara temel teşkil etmektedir. Bu çalışmada SnO2-Bi4Ti3O12-Au ince film yapılarının magnetron püskürtme metoduyla elde edilen elektriksel özelliklerinin sonuçları sunuldu. Statik akım-voltaj(I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) özellikleri direnç bağımlılığı dikkate alınarak hem doğru hem de ters ön gerilim altında incelendi. I-V karakteristiği 0-0.7 V aralığında lineer ve 0.7-1.4 V aralığında ise üstel bir davranış gösterdi. Doğru ve ters ön gerilim altındaki dinamik özelliklerde incelendi. Hazırlanan bu yapıların ileri yönde iki engel yüksekliğine sahip olduğu gözlendi. 50 kHz deki C-2-V eğrisinin eğiminden katkı atomlarının sayısı (Nd) 1.36x1015 cm-3 elde edildi. Potansiyel engel yüksekliği ve ideal olmama katsayısı elde edildi. Dielektrik sabiti( `), dielektrik kayıp( ``) ve kayıp açı(tan ) değerleri geniş bir frekans aralığında elde edildi. Anahtar Kelimeler: Bi4Ti3O12 ince filmler, dielektrik sabiti, dielektrik kayıp, SnO2-Bi4Ti3O12-Au ince film 37 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P04: Karbon oranı ve güç yoğunluğunun PECVD sisteminde büyütülen a-Si1-x:Cx:H ince filmlerdeki düzensizliklere etkileri B. Akaoğlu, A. Gülses*, İ. Atılgan ve B. Katırcıoğlu Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara 06531, Türkiye * Poster sunucusu. Geniş alan elektronikte (düz ekran gösterim gibi) geniş yüzeyli tabanlar üzerine büyütülmüş çok eklemli iletken, yarıiletken ve yalıtkan ince film yapılara gereksinim vardır. Plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) sistemleri bu tür geniş alanda (20-100 cm çaplı), düşük sıcaklıkta, ucuz maliyetli tabanlar üzerine filmlerin büyütülmesinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Büyütme parametreleri gerektiği gibi ayarlanmazsa, geniş tabanlar üzerine büyütülen filmlerde düzensizlikler gözlemlenmesi kaçınılmazdır. Hatta, bu doğrultuda plazma sisteminin mimarisini yeniden oluşturmak gerekebilir. Bu çalışmada, laboratuar ölçekli (24 cm çaplı) bir PECVD sisteminin topraklanmış alt elektrotunda cam tabanlar üzerine, hidrojenle seyreltilmiş çeşitli etilen (C2H4) gaz oranlarında, 30 mW/cm2 ve 90 mW/cm2 güç yoğunluklarında, 8 tür filmden oluşan hidrojenlenmiş amorf silisyum karbon alaşımı (a-Si1-xCx:H) film takımı büyütülmüştür. Filmlerin büyüme hızı, kırılma indisi ve optik yasak enerji aralığı üzerinde etilen gaz oranının ve güç yoğunluğunun etkileri alt elektrotun çapı boyunca incelenmiştir. 90 mW/cm2 gücünde büyütülen filmler, 30 mW/cm2 gücünde büyütülenlere göre daha hızlı büyütülse bile, alt elektrotun çapı boyunca büyüme hızında önemli düzensizliklere yol açmaktadır. Öte yandan, 30 mW/cm2 güç yoğunluğunda üretilen filmlerin hem biriktirme hızları hem de kırılma indisi ve optik yasak enerji aralıkları bakımından daha düzenli filmler olduğu tespit edilmiştir. Bu film sabitlerinin alt elektrot boyunca dağılımı karbon ve hidrojenin büyümedeki etkinliği açısından irdelenmiş ve yorumlanmıştır. 38 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P05: Al/SiO2/p-Si Schottky engel diyotlarındaki engel yüksekliğinin homojensizliği Ş. Altındal, H. Kanbur, A. Tataroğlu Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 06500, Ankara, Türkiye Yaklaşık 30 Å kalınlığında bir yalıtkan tabakaya sahip Al/SiO2/p-Si diyotların akımvoltaj (I-V) ve kapasitans–voltaj (C-V) karakteristikleri incelendi. Farklı sıcaklıklar için incelenen I-V verilerinden idealite faktörü 2-1.82 ve engel yüksekliği 0.76-0.85 eV aralığında bulundu. İdealite faktörünün yüksek değerleri MIS diyotlardaki ara yüzey durum yoğunluklarının daha yüksek olduğuna atfedildi. I-V verilerindeki değişim sıcaklık artışı ile sıfır besleme altındaki engel yüksekliğinin artışını (BO) ve kalite faktöründeki (n) azalmayı açıklar. Ln(Io/T2) - 1/T eğrisi lineer değildir ama Ln(Io/T2) 1/nT eğrisi lineerdir. Sıcaklık ile etkin engel yüksekliğinin değişimini açıklayan bu sonuç nV’ den elde edildi.V-1/T eğrisi de engel yüksekliklerinin Gaussian dağılımlarını açıklamak için çizildi. V-1/T eğrisinden engel yüksekliğinin ortalama değeri( B ) ve sıfır belsem altındaki standart sapma ( so ) sırasıyla 0.775 eV ve 0.0975 eV olarak bulundu. Anahtar Kelimeler : Sıcaklık bağımlılığı; Engel yüksekliğinin homojensizliği; Gaussian dağılımı; Standard sapma. Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkür ederiz. 39 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P06: Bi4Ti3O12 Amorf Filmlerin Akım-voltaj ve Kapasitans-Voltaj Karakteristikleri Ş. Altındal1, A. Tataroğlu1, A. Agasiev2 Gazi Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , 06500, Teknikokullar, Ankara,TÜRKİYE 2 Bakü Devlet Üniversitesi Fizik Bölümü, 370145, Bakü, AZERBAYCAN 1 Akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G-V) karakteristikleri oda sıcaklığında ölçüldü ve elde edilen deneysel sonuçlar Bi4Ti3O12 filmler için ölçülen literatürdeki diğer ölçümlerle de detaylıca karşılaştırıldı. Kapasitans da simetrik bir yapı gözlenmesine karşın akım-voltaj (I-V) ölçümleri doğrultucu davranış gösterdi. Bu sonuçlar, yapısal bozukluklar, BTO kapasitörler deki ara yüzey durumları ve polarizasyonun varlığına atfedildi. Ara yüzey durumların karakteristik parametreleri oda sıcaklığında Ec-Ess’nin bir fonksiyonu olarak I-V ölçümlerinden elde edildi. Ara yüzey durum yoğunluğu Nss ortalama 2x1011 eV-1cm-2 tahmin edildi. İdealite faktörü n doğru besleme I-V ölçümlerinden 1.5 bulundu. Buna ilaveten, seri direnç Rs oda sıcaklığında kuvvetli yığılma bölgesindeki kondüktans ölçümlerinden 350 bulundu. Anahtar Kelimeler: Bi4Ti3O12 amorf filmler, idealite faktörü, ara yüzey durum yoğunluğu, seri direnç. Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkür ederiz. 40 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P07: Fenilpridin İzomerlerinin Yapısal Parametreleri İle Elektronik Özelliklerinin Teorik Hesabı H. Alyar, M. Bahat, E. Kasap ve Z. Kantarcı and G. Uğurlu Gazi Üniversitesi Fizik Bölümü, Ankara, Türkiye Gaz fazında 2- ,3- ,4-fenil pridin moleküllerinin yapısal parametreleri ile elektronik özellikleri Hartree-Fock (HF) metodu ve Yoğunluk Fonksiyonu Teorisi (DFT/B3LYP) hibrit yaklaşımı ile 6-31++G** Temel Seti kullanılarak hesaplandı.Yaptığımız hesaplamalarda bu moleküllerin yapısal parametreleri olan bağ uzunlukları, bağ açıları, dihedral açıları ve elektronik özelliklerinden moleküler orbital enerjileri ile dipole momentlerinin dihedral açıya bağlı değişimleri GAUSSIAN 98W paket programıyla yapıldı. Her iki metodla yapılan bağ uzunlukları ile ilgili hesaplamalarda iki metot arasındaki fark çok küçük ve yaklaşık 0.01A° ile 0.02A° aralığındadır. Bağ açılarında ise fark 1° yi geçmez. Açılar için en büyük sapma yaklaşık 7°-10° halkalar arasındaki dihedral açılar için elde edildi. Hesaplamalardan elde edilen sonuçlar literatürdeki mevcut deneysel ve teorik sonuçlarla karşılaştırılması sunuldu. 41 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P08: MgAuSn Bileşiğinin Fonon Dispersiyonu N. Arıkan1, G. Uğur2 ve H. M. Tütüncü3 Gazi Üniversitesi, Kırşehir Eğitim Fakültesi, Kırşehir, Türkiye Gazi Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Teknikokullar, Ankara, Türkiye 3 Sakarya Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Adapazarı , Türkiye 1 2 Bu çalışmada, MgAuSn bileşiği için lineer tepki yaklaşımında pseudo potansiyel metot ve yerel yoğunluk yaklaşımı kullanılarak, yapısal ve dinamik özelliklerin hesaplanması yapılmıştır. Bileşiğin önce örgü sabiti hesaplanmış ve daha önce yapılan teorik ve deneysel sonuçlarla karşılaştırılmıştır. Hesaplanan örgü sabiti ve yoğunluk fonksiyon pertürbasyon teorisi kullanılarak MgAuSn için fonon dispersiyon eğrisi çizilmiştir. 42 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P09: 1,2,4,5-Tetrakis(2-tersiyer-bütil-4-metilfenoksimetil)benzen Yapısının Kristal ve Moleküler Yapısı N. B. Arslan, C. Kazak, N. Akdemir*, C. Kantar*, E. Ağar* Ondokuz Mayıs Üniversitesi,Fen-Ed. Fakültesi, Fizik Bölümü, Samsun * Ondokuz Mayıs Üniversitesi,Fen-Ed. Fakültesi, Kimya Bölümü, Samsun İncelemiş olduğumuz bu yapı genellikle polisitrin polimerlerinin sentezinde kullanılırlar. Bu polimerler önemli uygulamaları ve nadir bulunan özellikleri nedeniyle son yıllarda ilgi çekmişlerdir. C54H70O4 ‘ün kırınım verileri, Stoe IPDSII difraktometre sisteminde, MoK radyasyonu kullanılarak tarama modunda oda sıcaklığında toplandı. Bileşik monoklinik kristal sistemi ve P21/n uzay grubunda kristallenmiştir. Birim hücre parametreleri a = 10.1833 (9)Ao , b = 21.5350(16)Ao, c =11.5029(11)Ao, = 90.00, = 107.725(7), = 90.00, V = 2402.8(4)(Ao)3 Z = 2. Molekül düzlemsel yapıda oluşmadı. Kristal yapı direkt yöntem ile Shelxs97 programı kullanılarak çözüldü ve en küçük kareler yöntemi ile Shelxl97 programı kullanılarak arıtıldı. Arıtım sonucunda R = 0.0721 S = 1.040 olarak elde edildi. 43 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P10: Düzlemsel İkibantlı Süperiletkenler İçin Üst Kritik Manyetik Alanın Anizotropisi İ.N.Askerzade, H. Şahin* Fizik bölümü, Fen Fakültesi, Ankara Üniversitesi, Beşevler,06100, Ankara *Cumhuriyet Üniversitesi, Fen Fakültesi,Fizik Bölümü 58140 Kampüs / Sivas 2001 yılında keşfedilen süperiletken magnezyum diborürün ( MgB2 ) kristal yapısının düzlemsel karaktere sahip olduğu ve bu süperiletkenin iki-bantlı olduğu kabul görmektedir. Genelleştirilmiş anizotropik iki bantlı Ginzburg-Landau teorisi II kullanılarak üst kritik magnetik alanın anizotropi parametresinin H c2 sıcaklığa H c2 bağımlılığı hesaplanmıştır. Tek-bantlı Ginzburg-Landau teorisinden farklı olarak sıcaklık azaldıkça anizotropi parametresi -nın arttığı tespit edilmiştir. Elde edilen sonuçların literatürdeki deneysel verilerle (Lyard et. al. Phys .Rev. Lett., 2004) uygunluğu gösterilmiştir. 44 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P11: CdS ve Cd0.99Zn0.1S ince filmlerinin optik özellikleri A. Ateş, B. Gürbulak, M. Kundakçı, E. Gür, A. Yıldırım Ve M. Yıldırım Atatürk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü 25240 Erzurum Spray Pyrolysis methodu kullanılarak CdS ve Cd0.99Zn0.1S ince filmleri büyütüldü. Büyütülen filmlerin sıcaklığa bağlı olarak optik özellikleri incelendi. Yasak enerji aralığı, Steepness parametresi ve Urbach enerjisinin sıcaklığa bağlı olarak değişimi araştırıldı.Yapılan ölçümlerden, yapıya katkılanan Zn’un yasak enerji aralığında ve Steepness parametresinde bir artışa, Urbach enerjisinde ise bir azalmaya sebep olduğu görüldü. 10K ve 320K sıcaklıklarında, CdS için yasak enerji aralıkları 2.52 ve 2,44 eV olarak, Cd0.99 Zn0.1S içinse 2,55 ve 2,48 eV olarak hesaplandı. 45 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P12: Dönmeyen Pdn, n=4-6 Topaklarının Çarpışmasız Buharlaşması: A Moleküler Dinamik İnceleme H. Avcı1, M. Çivi1, Z. B. Güvenç2 Gazi Üniversitesi Fizik Bölümü, Beşevler, 06500 Ankara, Türkiye Çankaya Üniversitesi,Elektronik ve İletişim Mühendisliği Bölümü, Balgat, 06530 Ankara, Türkiye 1 2 Pdn, n=4-6 Topaklarının çarpışmasız buharlaşması mikrokanonik moleküler dinamik bilgisayar simülasyonu ile incelendi. Topaklar embedded-atom potansiyel yüzeyi ile modellendi. Global buharlaşma hız sabitleri topak büyüklüğü ve iç enerjinin fonksiyonu olarak analiz ve hesap edildi. Buharlaşma dinamiği kopan parçaların kütle-merkezleri arasındaki uzaklık ve iç enerji gibi parametrelere göre zamanın fonksiyonu olarak irdelendi. 46 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P13: Üç Kuyulu Moleküler Potansiyel Modeli S. Aydın* , M. Şimşek** Gazi Ü. Fen-Ed. Fakültesi Fizik Bölümü,06500-Ankara/TÜRKİYE, **[email protected], *[email protected] Genel bir sistem için lineer olmayan hareket denklemi x(t ) w02 x(t ) g x 3 (t ) ax 5 (t ) 0 ile verilmiş ise, sistemin potansiyel enerji fonksiyonu, V ( x) 1 2 1 4 1 x gx agx 6 2 4 6 uygun parametre aralığında üç kuyulu davranışa sahiptir. Klasik yaklaşımla, söz konusu kuyulardaki bir parçacığın periyodu eliptik integraller kullanılarak analitik olarak bulunabilir. Bu çalışmada , potansiyelin üç kuyu davranışı için elde edilen a, g çiftleri göz önüne alınarak , iki atomlu bir molekülün denge mesafeleri, kuyu durumlarına karşılık gelen yay sabitleri, dönü-titreşim sabitleri gibi moleküler etkileşme sabitleri elde edilmiştir. Ayrıca, dönü durumları üç-kuyulu potansiyel davranışına sahip olan CH 3CHO (acetaldehyde), H 3 CCCl 3 , H 3 CNO 2 gibi çok atomlu moleküler sistemlere, Duffing+ gax 5 dinamik sistemi yardımı ile yeni bir potansiyel modeli oluşturulabileceği tartışılmıştır. 47 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P14: GaAs Üzerinde Oluşturulan Doğal Oksit Tabakalı MIS Yapılarda Sıcaklığa Bağlı Seri Direnç ve Diğer Bazı Parametreler* Y.Baş1, M.Özer2 Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, ANKARA Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, ANKARA 1 2 Bu çalışmada 400 m kalınlıklı, (100) yönelimli n-GaAs kimyasal yöntemle temizlenerek ohmik kontak oluşturulduktan sonra 4 gün süre ile temiz bir ortamda bekletildi ve doğal oksit büyümesine izin verildi.Oksit üzerine metal (Au %88, Ge %12) buharlaştırılarak Schottky engeli oluşturuldu. Bu MIS yapıların 150-375 K sıcaklık aralığında akımgerilim ve sığa-gerilim ölçümleri yapılarak bazı parametreleri belirlendi.Engel yüksekliği, idealite faktörü ve seri direncin sıcaklığa bağlı olarak değiştiği görüldü. Anahtar Kelimeler: GaAs, MIS yapılar, Schottky engeli, seri direnç * Bu çalışma Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri(FEF.05/2003-32) tarafından desteklenmiştir. 48 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P15: Fe71Cr7Si9B13 Amorf Ferromagnetik Tellerin Manyetik ve Magnetoelastik Özellikleri N. Bayri*, F. E. Atalay, V.S. Kolat ve S. Atalay *İnönü Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü Malatya Amorf ve ısıl işlem görmüş Fe71Cr7Si9B13 tellerin magnetizasyon eğrileri (M-H), coercivity (Hc), anizotropi sabiti, E etki (Young elastik katsayısının magnetik alanla değişimi), magnetoempedans (MI) ve stres empedans (SI) etkilerindeki değişimler incelendi. Yarıçapları yaklaşık 125 m olan amorf Fe71Cr7Si9B13 tellerin kristalleşme sıcaklıkları DTA sistemi kullanılarak 565 C olarak ölçüldü. Numunelerde üretim esnasının bir sonucu olarak var olan iç streslerin azaltılması amacıyla, numuneler 0.3 ile 300 dakika arasında değişen zaman aralıklarında ve kristalleşme sıcaklığının altında olan 460 C’ lik sıcaklık değerinde ısıl işleme tabi tutuldu. Numunelerin coercivity değerleri dc M-H eğrilerinden hesaplandı. Numunelere farklı sürelerde ısıl işlem uygulanmasıyla coercivity değerlerinin değiştiği belirlendi. 460 C’ de 60 dakikalık ısıl işlem sonucunda, numunenin coercivity değerinin 1 A/m’ lik minimum bir değere düştüğü ve bu sürenin üzerindeki ısıl işlem zamanlarında coercivity değerinin yüzey kristalleşmesinden dolayı belirgin bir şekilde arttığı gözlendi. Amorf ve ısıl işlem uygulanmış numunelerin E etki ölçümleri, vibrating reed metodu kullanılarak yapıldı ve kısmen yüzey kristalleşmesine uğramış numune için Young modülündeki maksimum değişim yaklaşık %75 olarak ölçüldü. Mabnetoempedans ve stres empedans ölçümleri, bilgisayar kontrollü HP 4294A empedans analizörü ve HP 42941A empedans probu kullanılarak ölçüldü. Isıl işlem sonucunda iç streslerin büyük ölçüde azaltıldığı numunelerde MI etkinin değişimi 1 MHz’ lik frekans değerinde %200 olarak gözlendi. Ayrıca empedans, uygulanan tork ve boyuna gerilme streslerinin fonksiyonu olarak da ölçüldü ve tork ile % 150, gerilme stresi ile % 255 oranında empedans değerlerinde değişim gözlendi. 49 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P16: Farklı Sınır Şartlarına Sahip Çoklu Ferroelektrik p-n Eklem Yapısı M. S. Bozgeyik1 Ve A. M. Mamedov1,2 Çukurova Üniversitesi Fizik Bölümü, Adana, TÜRKİYE Çukurova Üniversitesi Fizik Bölümü, Şanlıurfa, TÜRKİYE 1 2 Aynı polarizasyona sahip olmayan eklem ara yüzeylerindeki farklı sınırların tesirlerini açıklamak için çoklu pn eklem yapısının bazı özellikleri teorik olarak çalışılmıştır. Farklı eklemlerin sızma bölgelerinde Poisson denklemi çözülerek toplam polarizasyon, elektrik potansiyeli ve kapasitans ferroelektrik ve paraelektrik fazda hesaplanmıştır. Spontan polarizasyon yönünün ve oluklu olarak modellenmiş ara yüzey etkilerinin izleri hesaplarda gözlenmiştir. Bu model özellikle yarıiletken ferroelektrikleri ele almıştır. 50 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P17: In1-x-yGaxAlyAs/InP(001) Yarıiletken İnce Filmlerde LO Fonon Modlarının Bileşim Oranlarına Göre İncelenmesi M.M. Bülbül1, E.Güç1, SPR Smith2 1 2 Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 06500, Ankara. Department of Physics, Üniversity of Essex, Colchester, CO4 3SQ, U.K. Bu çalışmada, MBE yöntemiyle InP(001) alttaşlar üzerine büyültülmüş In1-x-yGaxAlyAs ( x y 47 %) yarıiletken ince filmlerin birinci dereceden boyuna optik (LO) fonon modlarının kompozisyonlarına karşılık çizgi genişliği özellikleri çalışıldı. LO modlarının genişliği ve asimetrikliği bir bağlaşım Gausyen fonksiyonu olan ‘uzaysal bağlaşım’ modeli kullanılarak açıklandı. Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkür ederiz. 51 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P18: Contribution of the Meissner Current to the Magnetostriction in a High Tc Superconductor S. Çelebi*, F. İnanır b ve M.A.R. LeBlancc a Department of Physics, Faculty of Science and Arts, Karadeniz Technical University, 61080 Trabzon, Türkiye b Department of Physics, Rize Faculty of Science and Arts, Karadeniz Technical University, Rize, Türkiye c Department of Physics, University of Ottawa, Ottawa, Ontario, Canada K1N6N5 * Corresponding author.e-mail, [email protected] fax. 90-462-3253195 We show that the magnetostriction hysteresis curves, measured at different temperatures by Chabanenko et al [Supercond. Sci. Technol. 11 (1998) 1181] in a La1.85Sr0.15CuO4 single crystal, can be well reproduced by exploiting the critical state framework proposed by Ikuta et al [Phys.Rev.Lett.70, (1993) 2116] to describe this phenomenon in high Tc superconductors, provided that the role of the Meissner current circulating at the surface of the crystals is taken into account. Keywords: Magnetostriction, Meissner current, reversible Abrikosov diamagnetism, critical current, flux pinning, surface barrier, surface sheath. 52 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P19: PbTe Kristalindeki İç Sürtünme ve Kesme Modülü Özelliklerinin Araştırılması O.I.Davarashvili1 , M.I.Enukashvili1, N.P.Kekelidze1, G.Sh.DArsavelidze2, L.L.Gabrichidze2, E.R.Kutelia2, V.P.Zlomanov3, O.I.Tamanaeva3, T.S.Mamedov4, N.D.Ahmedzade5, A.Bengi4, L.H.Tecer6 Tiflis Devlet Üniversitesi, Tiflis Metalurji ve Malzeme Enstitüsü, 3 M.V.Lomonosov adına Moskova Devlet Üniversitesi , 4 Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 5 Azerbaycan Milli Bilimler Akademisi Fizik Enstitüsü, 6 Zonguldak Karaelmas Üniversitesi 1 2 Cr ile katkılı ve katkısız PbTe kristalinde iç sürtünme ve kesme modülü 650 ºC ye kadar, düşük frekanslarda ölçülme yöntemi ile incelenmiştir.Katkılı PbTe kristali katkısız ile karşılaştırıldığında oda sıcaklığındaki kesme modülünün 2.5 kat ve elastikiyet sınırının 5-6 kat daha büyük olduğu ilk defa saptandı. 53 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P20: CdS, CdSe, CdTe Bileşiklerinin, ab initio Yöntemi ile Bazı Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin İncelenmesi E. Deligöz, K. Çolakoğlu Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü Bu çalışmada II – VI yarıiletkenlerinden CdS, CdSe ve CdTe bileşiklerinin (Zinc blende yapı) bazı yapısal ve elektronik özellikleri SIESTA (ab initio /LDA ) program paketi kullanılarak hesaplanmıştır. İlk adımda enerji-hacim, örgü sabiti, basınç-hacim, basınçentalpi değişimleri, bulk modülü ve bulk modülünün basınç türevi (dB/dp ) hesaplamaları yapılmış, daha sonra durumlar yoğunluğu (density of state ) ve elektronik band yapılarına ait eğriler elde edilerek bulunan sonuçlar deneysel ve başka teorik değerlerlerle karşılaştırılmıştır. 54 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P21: Fe-Mn-Si Esaslı Bazı Şekil Hatırlamalı Alaşımlara Eşlik Eden Martensite Dönüşüm Sıcaklıklarının Belirlenmesi Ali Doğan, Tahsin Özer KSÜ, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Avşar Kampusu, 46100, Kahramanmaraş. Bu çalışmada çoklu lineer regresyon metodu kullanılarak, bazı demir esaslı şekil hatırlamalı alaşımların kompozisyon yüzdelerine ilişkin datalar yardımıyla, martensite, austenite başlama sıcaklıkları ve sıcaklık hysteresislerinin kompozisyonel bağımlılıkları için yeni ampirik “As = 516 - 5.27 Mn + 6.4 Si - 2.60 Cr - 12.4 Ni + 160 Ce - 108 Ti 220 N Ms = 245 - 5.78 Mn + 38.7 Si - 6.09 Cr - 5.07 Ni + 139 Ce - 145 Ti - 395 N AsMs = 271 + 0.51 Mn - 32.3 Si + 3.49 Cr - 7.35 Ni + 21.4 Ce + 37.7 Ti + 175 N” bağıntıları elde edilmiştir. Demir esaslı bazı şekil hatırlamalı alaşımlar için elde edilen değerler deneysel sonuçlarla karşılaştırılmış ve deneysel değerlerle uyum içerisinde olduğu görülmüştür. 55 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P22: Döteryum Molekülü İle Ni55 Atom Topağının Reaktif Olmayan Kanal P. Durmuş*, S.Özçelik*, Z. Güvenç** *Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06500 Teknikokullar-Ankara **Çankaya Üniversitesi, Bilgisayar Mühendisliği Bölümü, 06530 Balgat-Ankara Ni55+D2(vi=0,ji=0) çarpışma sisteminin yarı klasik simülasyon sonuçları detaylı bir şekilde sunulmuştur. Atom topağının yapıları embedded-atom potansiyeli tarafından,, D2 ve Nin arasındaki etkileşim LEPS (London-Eyring-Polanyi-Sato) fonksiyonu tarafından elde edildi. Bu analiz D2’nin rölatif öteleme enerjisini ve etki parametresinin fonksiyonu olarak bozunmadan saçılmaya uğrayanların olasılıklarını içerir. Ni55 ile D2’nin reaktif olmayan etkileşmesinde ilginç özellikler bulmayı bekleriz. Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkür ederiz. 56 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P23: Ag2O Katkılı Bi-(Pb)-Sr-Ca-Cu-O Süperiletkenlerin Manyetik Tepkisi Ve Bazı Süperiletkenlik Parametrelerinin Belirlenmesi İ.Düzgün1 , A.Öztürk2, İ. Karaca3, S. Çelebi2 Karadeniz Teknik Üniversitesi, Rize Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 53100, Rize 2 Karadeniz Teknik Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 61080,Trabzon 3 Niğde Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 51200, Niğde 1 Bi-(Pb)-Sr-Ca-Cu-O yüksek sıcaklık süperiletken malzemenin elektriksel ve magnetik özelliklerine Ag2O ilavesinin etkisi araştırıldı. AC alınganlık ölçümleri çeşitli alan genliklerinde çeşitli frekanslarda sıcaklığın fonksiyonu olarak gerçekleştirildi. Ag2O miktarının artması ile taneler arası kritik akım yoğunluğunun Jcm azaldığı gözlendi.Tanelerin etkin hacimsel kesri fg bulunduktan sonra Kritik Hal Modelleri ile yapılan hesaplamalar ve deneysel verilerin karşılaştırılması sonucunda, taneler arasında dolaşan kritik akım yoğunluğunun alan ve sıcaklık bağlılığı belirlendi. Tanelerin hacimsel kesrinin çalışılan üç süperiletken malzemede, uygulanan alana göre değişimi ve Ag2O miktarına göre değişimi araştırıldı. Her bir numunenin AC alınganlık verilerinin frekans bağlılığından aktivasyon enerjisi tahmin edildi. 57 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P24: Bazı Elementlerin ( Ni ,Pt ) Termoelastik Özelliklerinin Moleküler Dinamik (MD) Simülasyon Tekniği ile İncelenmesi G. Ferah , K. Çolakoğlu Gazi Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü Bu çalışmada, Modifiye Morse potansiyeline dayalı klasik Embedded–Atom Metod (EAMD) simülasyon tekniği ile Ni ve Pt elementlerinin sıcaklık, basınç, Etop, örgü sabiti, vs’nin MD adım sayısı ile değişimleri, P –V davranışı, ergime sıcaklığı ve statik/dinamik elastik sabiti hesaplamaları yapılmış, elde edilen sonuçlar mevcut deneysel ve teorik değerlerle kıyaslanmıştır. 58 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P25: Ti-Eklenmiş MgB2/Cu Süperiletken Tellerin Düşük Alanlardaki Karakterizasyonu A. Gencer1,*, A.Kılıç1, N.Güçlü2, S.Okur3, L.Özyüzer3, İ.Belenli4 Fizik Bölümü, Ankara Üniversitesi Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Tokat 3 Fizik Bölümü, İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, İzmir 4 Fizik Bölümü, Abant Izzet Baysal Üniversitesi, Bolu 1 2 Bu çalışmada, powder-in-tube (PIT) tekniği kullanılarak Cu tüplerinin içerisine toz MgB2 ile birlikte 0-20 % oranında Ti eklenmiş süperiletken MgB2/Cu tellerinin üretimi ve düşük alanlardaki magnetik özellikleri incelenmiştir. Farklı Ti oranlarındaki numunelerin düşük alan karakterizasyonu AC alınganlık ölçümleri ile gerçekleştirilmiştir. Bu ölçümlerden, katkılandırılmamış MgB2/Cu telinin diamagnetik geçiş sıcaklığı 37.8 K olarak bulunmuş ve ölçülen temel harmonik alınganlık ve AC kayıplar Bean modeli sonuçları ile karşılaştırılmış ve nitel olarak uyumlu olduğu tespit edilmiştir. Ti katkısının kritik akım yoğunluğu (Jc) üzerine etkisi alınganlık sonuçlarından yararlanılarak açıklanmıştır. 59 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P26: Au/SnO2/n-Si (MIS) Yapıların Elektriksel Karakteristiklerine Frekans ve Radyasyonun Etkisi M. Gökçen, A. Tataroğlu, Ş. Altındal Gazi Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , 06500, Teknikokullar, Ankara,TÜRKİYE İnce bir yalıtkan tabakaya sahip (17 Å) metal-yalıtkan-yarıiletken (MIS) yapılar, bir 60Co radyasyon kaynağıyla radyasyona tabi tutuldu ve elektriksel özellikleri radyasyondan önce ve sonrası için incelendi. MIS yapı 0 V gerilim altında 0-5x105 Gy doz aralığında γ radyasyonuna maruz bırakıldı. Seçilen örnek MIS1 numunesinin ara yüzey durum yoğunluğu düşük frekans-yüksek frekans metoduyla hesaplandı. Kapasitans ve kondüktans ölçümleri 200 Hz-2 MHz frekans aralığında yapıldı. MIS yapının seri direncinin voltaj, frekans ve radyasyon dozuna bağlı olarak değiştiği gözlendi. C(f)-V ve G(f)-V eğrileri, etkin radyasyon tarafından üretilen kusurlardan dolayı oldukça etkilenmekte olduğu gözlendi. Seri direnç artan radyasyon dozuyla artmaktadır. Sonuçlar tetikleme voltaj kaymasının radyasyon doz hızına ve frekansa kuvvetlice bağlı olduğunu göstermektedir. Buna ilave olarak ara yüzey durumlarının (Nss) azalan frekansla arttığı gözlendi. Anahtar kelimeler: -ışını, elektriksel karakteristikler, MIS yapı, radyasyon etkileri, seri direnç. Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkür ederiz. 60 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P27: YBCO ve YBCO+ZnO Polikristal Süperiletkenlerinin Sertlik ve Elastik Modulünün Sıcaklık Bağımlılığı N. Güçlü1, U. Kölemen1, O. Uzun1, Y. Yoshino2 ve S. Çelebi3 Gaziosmanpaşa Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü,60240,Tokat Iwate Üniversitesi Japon Society for the Promotion of Science, 4–3–5 Moroika 020–8551, Japonya 3 Karadeniz Teknik Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü,61080, Trabzon 1 2 Malzemelerin mikromekanik özellikleri analitik modeller veya deneysel olarak, derinlik duyarlı mikroçentik (DDM) ölçümü ile belirlenebilir [1, 2]. Bu çalışmada, YBCO ve YBCO+1%ZnO polikristal süperiletkenleri için, maksimum 4,9 N’ luk kuvvet altında ve 40 ile 243 K sıcaklığı arasında Vickers mikrosertlik testi yapıldı. Sertlik ve elastik modülünün belirlenmesinde, uygulanan yük (P) ile yer değiştirme (h) eğrilerinden hesaplanan enerjiler (toplam, plastik ve elastik enerji) kullanıldı. Sıcaklık azaldıkça sertlik ve elastik modülünün arttığı gözlendi. Bununla birlikte, malzemenin özelliklerini karakterize edebilecek bazı özel sabitler, toplam enerji sabiti (νT), plastik enerji sabiti (νP), elastik enerji sabiti (νE) ve toplam, plastik elastik enerjiler arasındaki sabitler (νPT, νET, νEP) önerildi. Referanslar [1] U. Kölemen, S. Çelebi, Y.Yoshino, A .Öztürk Physica C 406 (2004) 20-26. [2] O. Uzun, U. Kölemen, S. Çelebi, N. Güçlü, Journal of the Euro. Ceramic Soc. (2004) (Baskıda) Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2003 K 120510) teşekkür ederiz. 61 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P28: Alttaş Sıcaklığının Kimyasal Püskürtme Yöntemi ile Hazırlanan ZnO İnce Filmlerin Elektriksel ve Optiksel Özellikleri Üzerine Etkisi T. Güngör, N. Kavasoğlu Hacettepe Üniversitesi Fizik Mühendisliği Bölümü, Beytepe Ankara-06800. Bu çalışmada Kimyasal Püskürtme (KP) tekniği ile saydam alttaşlar üzerine hazırlanan ZnO saydam iletken oksit ince filmlerin elektriksel ve optiksel özelliklerinin alttaş sıcaklığına (250-400C) bağlı değişimlerinin incelenmesi amaçlanmıştır. Elde edilen deneysel veriler ve X-ışını kırınım desenlerinden yararlanılarak KP tekniği ile ZnO ince film üretimi için en uygun alttaş sıcaklığı belirlenecektir. 62 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P29: İnce Filmlerin Optik Sabitlerinin Belirlenmesinde Genetik Algoritmanın Optik Geçirgenlik Spektrumuna Uygulanması T. Güngör, B. Saka* Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi , Beytepe-Ankara 06800 *Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, BeytepeAnkara 06800 Bu çalışmada Genetik algoritma (GA) ile görünür ve yakın infrared bölgesindeki optik geçirgenlik spektrumu kullanılarak saydam alttaşlar üzerine biriktirilmiş ince filmlerin optik sabitlerinin hesaplanması amaçlanmıştır. Bu metot, optik geçirgenlik spektrumunu kullanan diğer iteratif yöntemlere göre global minimum bulma yaklaşımını kullanmaktadır. Yöntemin geçerliliği teorik ve deneysel olarak elde edilmiş optik geçirgenlik spektrumları kullanılarak test edilmiştir. 63 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P30: Diiyodobis(3-piridin karboksiamit)çinko(II) and trans-diakuabis (piridin-2-karboksiamit)çinko(II)diyot bileşiklerinin kristal yapılarının incelenmesi S. Güven, H. Paşaoğlu ve O. Büyükgüngör Ondokuzmayıs Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü,Samsun,Türkiye Çinko metali biyolojik organizmalarda oldukça bol bulunan ve enzimatik reaksiyonlarda önemli rol oynayan bir elementtir. Nikotinamit ilaç endüstrisinde farmakolojik öneme sahip olan bir bileşiktir. Çinko merkezli kompleksler pikolinamit(pa; piridin-2-karboksiamit) ve nikotinamit(na; 3-piridin karboksiamit) ligandları kullanılarak hazırlandı. Kristal yapıları x-ışını kırınım tekniğiyle belirlendi. Yapı analizleri çinko metal iyonunun [Zn(pa)2(H2O)2]I2 kompleksinde oktahedral çevreye sahipken, ZnI2(na)2 kompleksinde bozunmuş tetrahedral çevreye sahip olduğunu göstermektedir. Pikolinamit ligantı piridinin N ve karbonil grubunun O atomlarıyla ,nikotinamit ligantı ise piridinin N,karbonil grubunun O ve amid grubunun N atomlarıyla koordinasyona katılmaktadır. ZnI2(na)2 kompleksinde iyot atomu Zn metaline bağlanarak koordinasyona katılırken, [Zn(pa)2(H2O)2]I2 kompleksinde serbest iyon halinde bulunmaktadır. Kristal paketlenmeden sorumlu etkileşimler, [Zn(pa)2(H2O)2]I2 kompleksi için zayıf hidrojen bağları ve … etkileşmeleri iken, [Zn(pa)2(H2O)2]I2 kompleksi için ise hidrojen bağları ve Pi-ring etkileşmeleridir. (a) (b) ŞEKİL: (a) ZnI2(na)2 kompleksinin, (b) [Zn(pa)2(H2O)2]I2 kompleksinin gösterimi 64 ORTEPIII XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P31: LEC tekniği ile büyütülen GaSb yarıiletkeninde ‘nicel mobilite spektrum analiz’ tekniğinin uygulaması B. Y. Işık, A. Yıldız, S. Acar ve M. Kasap Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500 Ankara, Türkiye. LEC tekniği ile büyütülen n-tipi Te katkılı GaSb numunesinde, manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri 14- 350K sıcaklık aralığında yapıldı. Ölçüm sonuçları nicel mobilite spektrum analiz tekniği ile analiz edildi. Sıcaklık bağımlı bireysel bant parametreleri (µГ, µL µhh, µlh, nГ, nL,,nhh and nlh) ve Г ve L vadileri arasındaki enerji farkı hesaplandı. Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkür ederiz. 65 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P32: Aynı şartlarda hazırlanan ve doğal olarak oksitlenmiş arayüzey yalıtkan tabakaya (SiO2) sahip Al/p-Si Schottky diyotlarının engel yüksekliğinin homojensizliği H. Kanbur, A. Tataroğlu, Ş. Altındal Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 06500, Ankara, Türkiye İncelenen Al/p-Si Schottky diyotlar (33 adet) aynı çeyrek ince silikon yarıiletken üzerinde hazırlandı. Bu diyotların deneysel olarak ileri öngerilimde akım-gerilim (I-V) ve 1 MHz frekans ile ters öngerilim uygulanarak elde edilen kapasitans-gerilim (C-V), iletkenlik-gerilim (G-V) karakteristiklerinden etkin Schottky engel yüksekliği (B), idealite faktörü (n), ara yüzey durumlarının yoğunluğu (Nss) ve seri direnç (Rs) hesaplandı.B, n, Nss ve Rs için hesaplanan değerler sırası ile 0.66 - 0.74 eV, 1.74 2.87, 0.565x1013 - 1.17x1013 eV-1 cm-2 ve 623 - 4900 arasında değişmektedir. C-V karakteristiklerinden elde edilen B, 0.656 - 1.118 eV arasında değişmektedir. İdealite faktörlerindeki bu yüksek değerler, ara yüzey durum yoğunluğunun ve metal ile yarıiletken arasındaki yalıtkan tabaka kalınlığının yüksek olduğunu göstermektedir. Ara yüzeydeki yalıtkan tabaka kalınlığının artırılması ile etkin Schottky engel yüksekliği ve ara yüzey durumları azalırken idealite faktörünün artığı bulundu. Artan frekans ile ilave kapasitansın azaldığı gözlendi. Bu gözlem Schottky engel yüksekliğindeki homojensizliğin, içerisinden akım geçirilen metal-yarıiletken kontak (MS) yapılarda da oldukça etkili olabileceğini gösterdi. Anahtar Kelimeler : Schottky engel homojensizliği; idealite faktörü; ara yüzey durumları; Yalıtkan tabaka; seri direnç. Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkür ederiz. 66 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P33: Al/SiOx/p-Si Schottky diyotlarda ilave kapasitans, seri direnç ve arayüzey durumların etkisi H. Kanbur, A. Tataroğlu, Ş. Altındal Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 06500, Teknikokullar, Ankara, Türkiye Al/SiOx/p-Si Schottky diyotların oda sıcaklığında akım-gerilim karakteristikleri incelendi. Ayrıca kapasitans-gerilim ve iletkenlik–gerilim (C-V ve G-V) ölçümleri geniş bir frekans aralığında (100 Hz -1 MHz ) çalışıldı. Ara yüzey durumların enerji dağılımı (Nss) ileri öngerilim altında I-V ölçümlerinden Nss 1013 cm-2eV-1 elde edildi. Nss için bu yüksek değerler ideal olmayan I-V ve C-V karakteristiklerinden kaynaklanmaktadır. C-V ve G-V ait frekans dağılımları ara yüzey durumlarına bağlı olarak açıklanabilir. Özellikle düşük frekanslarda , Nss a.c sinyali ve ilave kapasitansı takip edebilir. Anahtar Kelimeler: İlave kapasite; ara yüzey durumları; Seri direnç; gerilim bağımlılığı; frekans bağımlılığı. Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkür ederiz. 67 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P34: LEC Tekniği ile Büyütülen S katkılı InAs Yarıiletkeninin Sıcaklık Bağımlı Magneto ve Elektron İletim Özellikleri İ. Kara, S. B. Lişesivdin, S. Acar ve M. Kasap Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar,06500 Ankara, Türkiye. LEC tekniği ile büyütülen n-tipi S katkılı InAs yarıiletkeninde özdirenç, magneto özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri sıcaklığın (14 K – 350 K) ve manyetik alanın (0 – 13.5 kG) fonksiyonu olarak ölçüldü. Sıcaklık bağımlı özdirenç ölçümleri lineer ve kuvvet modelleri kullanılarak analiz edildi. LEC tekniğinin doğasından ve S katkılamadan kaynaklanan safsızlık seviyeleri sıcaklık bağımlı magneto özdirenç katsayısında 30 K ve 180 K civarlarında belirgin iki minimum oluştuğu gözlendi. Düşük sıcaklık bölgesindeki minimum, S katkısından ve orta sıcaklık bölgesindeki minimum, LEC tekniğindeki C ve Zn safsızlıklarından kaynaklanan bu iki tip safsızlık seviyesinden gelen elektron saçılmalarıyla ilişkilidir. Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkür ederiz. 68 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P35: Nematik Sıvı Kristallerin Optiksel Yönelimi R. Karapınar1, M. O’Neill2 ve S. M. Kelly3 Fizik Bölümü, Yüzüncü Yıl Üniversitesi, 65080 Van, Türkiye Department of Physics, University of Hull, Hull HU6 7RX, UK 3 Department of Chemistry, University of Hull, Hull HU6 7RX, UK 1 2 Sıvı kristal (SK) göstergelerin üretiminde ilk olarak moleküler düzeyde düzgün yönelimli ince filmlerin elde edilmesi gereklidir. Bu amaç için genel olarak sürtme yöntemi kullanılmaktadır. Ancak, sürtme işlemi levha yüzeylerinde toz ve elektrostatik yük oluşumuna neden olmakta ve bu durum göstergelerdeki ince film transistor elemanlarına zarar vermektedir. Yine oluşan SK yönelimin eş-eksenli özelliği nedeniyle, bu tür göstergelerde sınırlı bir görüş açısı sorunu ortaya çıkmaktadır. Böylece düzgün yönelimli ince SK filmlerin oluşumuna yönelik olarak çeşitli yeni yöntemlerin geliştirilmesi son zamanlarda gittikçe artan bir ilgiye neden olmaktadır. Bu çalışmada, SK moleküllerin ince fotopolimer yüzeyler üzerindeki yönelimi inceleme konusu edilmektedir. Üzerlerine çizgisel kutuplanmış mor ötesi lazer ışığı gönderilen fotopolimer filmlerde bir optiksel anizotropinin ortaya çıktığı gözlenmiş ve bu optiksel anizotropi lazer ışığının ışıma süresine bağlı olarak incelenmiştir. Bu tür fotopolimer filmlerle kaplı iletken levha yüzeylerinde SK moleküllerin belirli bir optik eksen boyunca yöneldikleri deneysel olarak belirlenmiş ve moleküllerin levha yüzeyindeki bağlanma enerjisi hesaplanmıştır. Bu yöntem kullanılarak büklümlü nematik SK göstergenin yapımı gerçekleştirilmiştir. 69 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P36: Polimerik yapılı -siyano-disiyanonikelat(II)- -siyano-transbis[N- (hidroksietil) etilendiamin] kadmiyum(II) G. Kaştaşa, H. Paşaoğlua A. Karadağb ve O. Büyükgüngöra Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 55139, Kurupelit, Samsun b Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen Fakültesi, Kimya Bölümü,60250, Tokat a Siyano grubunun merkez konumundaki bir çok atomu bağlama yeteneği, çeşitli molekül gruplarının yada süper moleküllerin hazırlanmasında yaygın olarak kullanılmaktadır. Siyano kompleksler, iyon değiştirici, moleküler elek yada gaz depolayıcı maddeler olarak kullanıldığı gibi gazların ayrılmasında, seyreltik çözeltilerden gümüş iyonunun toplanmasında ve radyoaktif atık sulardan radyoaktif sezyum atomunun soğurulmasında da kullanılmaktadır. Özellikle kadmiyum ve nikel ile hazırlanan siyano-köprülü bileşikler örgü boşluklarında küçük organik molekülleri hapsederek ev-sahibi misafir sistemleri oluşturabilmektedir. Diğer taraftan hetero-nükleer bir boyutlu siyano bileşikler, spin dinamiği çalışmaları için oldukça uygundur. Paramagnetik merkez atom içeren ve çeşitli boyutlara sahip siyano komplekslerin magnetik çalışmaları da yapılabilmektedir. Bu özellikleri nedeniyle siyano kompleksler son yıllarda bir çok çalışmaya konu olmuştur. Bu çalışmada, catena-poli[[-siyano-1:22C:N-disiyano-12C-trans-bis[N-(2hidroksietil)etan-1,2-diamin-22-N,N]kadmiyum(II)nikel(II)]--siyano-1:222C:N], [CdNi-(CN)4(C4H12N2O)2], bileşiği sentezlenerek yapısı kırmızı-altı spektroskopisi ve xışını kırınım tekniği ile aydınlatıldı. 2,2-CT tipi zincir yapıya (bir boyutlu zig-zag) sahip olan polimerik kompleks, kare-düzlem geometrili Ni(CN)4 anyonu ile Cd(hidet-en)2 (hidet-en = hidroksietiletilendiamin) katyonundan oluşmaktadır. Kadmiyum atomu, iki katlı eksen üzerinde bozunmuş bir oktahedral çevreye sahipken, kare düzlem geometrili Ni atomu molekülün inversiyon merkezinde bulunmaktadır. Şekil : [CdNi-(CN)4(C4H12N2O)2] bileşiğinin ORTEP(III) gösterimi 70 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P37: PrMn2-xNixGe2 Bileşiklerinin XRD, AC susceptibility ve DSC çalışması S. Kervana, A. Kılıçb, A. Gencerb Malzeme Bölümü ANAEM, TAEK Fizik Bölümü, Ankara Üniversitesi a b Bu çalışmada, PrMn2-xNixGe2 (0.0≤x≤1.0) örneğinin yapısal ve magnetik karakterizasyonu XRD (X-ray diffraction ), DSC (differential scanning calorimetry), AC alınganlık ölçümleri ile yapıldı. Bütün bu bileşikler hacim merkezli tetragonal ThCr2Si2 tipi yapıda kristallenir ve uzay grubu I4/mmm’dir. Mn yerine Ni atomlarının gelmesi, birim hücre parametresi c ve birim hücre hacminin lineer azalmasına sebep olurken x’in küçük değerlerinde ferromagnetik davranıştan antiferromagnetik davranışa geçmesine sebep olur. x =0.8 ve x =1.0 numunelerinde Néel sıcaklıkları sırasıyla 33 K ve 35 K olarak tespit edilmiştir. Mn’nın yerine magnetik olmayan Ni atomunun yerleşmesi Moleküler alan kuvvetini azaltarak Curie sıcaklığının azalmasına neden olur. Sonuç olarak magnetik faz geçiş sıcaklıklarından yararlanılarak x-T magnetik faz diyagramı elde edildi. 71 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P38: LaMn2-xCoxGe2 Bileşiklerinin Düşük Magnetik Alan Karakterizasyonu A. Kılıça, S. Kervanb, A. Gencera Fizik Bölümü, Ankara Üniversitesi Malzeme Bölümü ANAEM, TAEK a b Bu çalışmada, LaMn2-xCoxGe2 (0.0≤x≤1.0) örneğinin yapısal ve düşük alan magnetik karakterizasyonu XRD (X-ray diffraction ), DSC (differential scanning calorimetry), AC alınganlık ölçümleri ile yapıldı. Bütün bu bileşikler hacim merkezli tetragonal ThCr2Si2 tipi yapıda kristallenir ve uzay grubu I4/mm’dir. Mn yerine Co atomlarının gelmesi, birim hücre parametreleri ve birim hücre hacminin lineer azalmasına sebep olurken düşük Co konsantrasyonlarında numuneler ferromagnetik davranış gösterirler. Sonuç olarak magnetik faz geçiş sıcaklıklarından yararlanılarak x-T magnetik faz diyagramı elde edildi. 72 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P39: Gümüş Kılıflı ve Kılıfsız Yığın Bi-2223 Süperiletken Üzerine Soğuma Hızlarının Etkisi A. Kılıç1, C. Terzioğlu2, Ö. Öztürk2, İ. Belenli2 ve A. Gencer1 Ankara Üniversitesi, Fizik Bölümü Ankara Abant İzzet Baysal Üniversitesi,, Fizik Bölümü Bolu 1 2 Bu çalışmada, aynı koşullarda Gümüş kılıflı ve kılıfsız olarak hazırlanan Bi-2223 süperiletken malzemeleri aynı sıcaklıkta tavlandıktan sonra sırasıyla 10 oC/h, 25 oC/h, 50 o C/h, 75 oC/h ve 100 oC/h gibi soğuma hızlarına tabi tutularak hazırlanmıştır. Bu malzemelerin süperiletken özellikleri elektriksel direnç ve AC alınganlık ölçümleriyle araştırıldı. Elde edilen sonuçlarla soğuma hızlarının gümüş kılıflı ve kılıfsız Bi-2223 numuneleri üzerindeki etkileri incelendi ve bu iki tür numune arasında süperiletkenlik özelliklerine göre karşılaştırma gerçekleştirilmiştir. 73 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P40: IV-VI Gurubuna ait Pb(1-x) SnxTe/BaF2’ nin elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi A. İ. Kılıç, S. Acar M. Kasap ve S. Özçelik Gazi Üniversitesi, Fen –Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 06500 Teknikokullar, Ankara, Türkiye Bu çalışmada IV-VI yarıiletken gurubundan, İndisleri x=0,2 ve 0,22 olan çok küçük bant aralığına sahip Pb(1-x) SnxTe/BaF2 yarıiletkeninin elektriksel özellikleri incelenmiş ve Pb(1x) SnxTe/BaF2 malzemesinin sıcaklığa bağımlı olarak özdirenç, ‘mobilite’ ve taşıyıcı yoğunluklarının analizleri yapılmıştır.Sıcaklığa bağımlı özdirenç hesaplamalarında ‘gruneissen-block’ denkleminden faydalanılmış ,Yine sıcaklığa bağımlı mobilite hesaplamalarında yüksek sıcaklıklarda akustik fononlar tarafından saçılma mekanizmasının =A.T- bağıntısıyla baskınlığı gözlenmiştir. Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkür ederiz. 74 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P41: La0.62Bi0.05Ca0.33MnO3 Numunelerde Magnetokalorik Etki V.S. Kolat, S. Atalay, H. Gencer ve H.İ. Adıgüzel İnönü Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü Malatya La0.67Ca0.33MnO3 ve La0.62Bi0.05Ca0.33MnO3 kompozisyonlarına sahip polikristal numuneler, standart katıhal reaksiyon yöntemiyle yüksek saflıkta La2O3 , CaCO3 , MnO ve Bi2O3 çıkış bileşikleri kullanılarak üretildi. LaCaMnO yapısına Bi katkılanarak oluşturulan perovskite yapının magnetik ve magnetokalorik davranışlarındaki değişiklikler incelendi. Üretilen perovskite yapıdaki numunelerin yapısal karakterizasyonu X-ışınları toz kırınımmetresiyle incelenerek örgü sabitleri 3.863 A ve 3.8586 A olarak hesaplandı. Böylece La yerine Bi katkılanmasının yapının genel karakterizasyonu üzerinde önemli bir değişikliğe neden olmadığı belirlenerek, Bi katkılamanın sadece yapının örgü sabitinde bir miktar azalmaya neden olduğu sonucuna ulaşıldı. Numunelerin grain büyüklükleri taramalı LEO-EVO-40 elektron mikroskobu (SEM) kullanılarak ölçüldü. Buna göre 1200 C lik ısıl işlem altında üretilen La0.62Bi0.05Ca0.33MnO3 polikristal numunesinin grain büyüklüklerinin 4 m ile 10 m arasında olduğu, La0.67Ca0.33MnO3 poli kristal numunesi için ise aynı grain büyüklüklerine ancak 1400C lik ısıl işlemle ulaşılabildiği belirlendi. Böylece LaCaMnO perovskite yapıya Bi katkılamanın, yapının oluşturulması için gerekli olan ısıl işlem sıcaklığı üzerinde olumlu bir etkiye sahip olduğu bulunmuş ve küçük konsantrasyon oranında (x=0.05) katkılanan Bizmutun ısıl işlem sıcaklığını yaklaşık olarak 200C düşürdüğü belirlenmiştir. Numunelerin magnetik ve magnetokalorik davranışları, Crygenic, Q3398 vibrating sample magnetometre (VSM) kullanılarak incelendi. Magnetizasyonun sıcaklığa bağlılığı (M-T) eğrileri kullanılarak La0.67Ca0.33MnO3 ve La0.62Bi0.05Ca0.33MnO3 polikristal numunelerin Curie sıcaklıkları (Tc) sırasıyla yaklaşık 269K ve 248K olarak ölçüldü ve Bi katkılamanın Curie sıcaklığını bir miktar düşürdüğü belirlendi. M-H eğrileri kullanılarak numunelerin magnetik entropi değişimleri farklı magnetik alan değerleri için hesaplandı. Curie sıcaklığı civarında ve 1 Teslalık magnetik alan değişimi altında Bi katkılanmış numunenin maksimum magnetik entropi değişimi SM=3.5 J/kg.K olarak hesaplandı ve sonuç olarak perovskite yapıya Bi katkılamanın magnetokalorik özellikler açısından olumlu bir etki yaptığı gözlendi. 75 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P42: AlxGa1-xAs/GaAs Kuantum Kuyu Yapısının Büyütülmesi ve Xışınları Difraksiyonu Ölçümleri S. Korçak, H. Gümüş, M.K. Öztürk, H. Altuntaş, A.İ. Kılıç, A. Bengi, T.S. Mamadov, S. Özçelik Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü T.Okullar-Ankara Yüksek kalitede AlxGa1-xAs/GaAs kuantum kuyulu (QW) yapı SEMICON VG80H model MBE makinesinde büyütüldü. Bu yapıda Zn ile katkılanmış (100) yönelimli p-tipi GaAs alttaş üzerine 0,5 m kalınlığında GaAs tampon tabaka, x=60 için 1 m kalınlığında Be katkılı p-tipi Al0.6Ga0.4As tabaka, 0,15 m kalınlığında x=60’dan 20’ye monoton olarak değişen AlxGa1-xAs tabaka, 50Å kalınlığında katkılanmamamış GaAs kuantum kuyusu ,0,15 m kalınlığında x=20’den 60’a değişen AlxGa1-xAs tabaka, x=60 için 1 m kalınlığında Si katkılı n-tipi Al0.6Ga0.4As tabaka ve 0,25 m kalınlığında Si katkılı ntipi GaAs tabakası büyütülerek tekli kuantum kuyulu (QW) lazer diyot yapısı oluşturuldu. Sonuçların testi için tabaka kalınlıkları X-ışınları difraksiyonu ve LEPTOS simülasyon programı ile analiz edildi. Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2003K120470-15) teşekkür ederiz. 76 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P43: Polipirol/P-Si/Al Diyotunda, Yaşlanmanın Etkisiyle Kaydedilen I-V Ölçümlerinin Değerlendirilmesi D.Korucu, M.Sağlam Ve A. Turut Gazi Üni., Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara, Türkiye, [email protected] *Atatürk Üni., Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Erzurum, Türkiye, [email protected] *Atatürk Üni., Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Erzurum,Türkiye, [email protected] Bu çalışmada, kendi araştırma laboratuarında ürettiğimiz polipirol/p-Si/Al diyotunun idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnci gibi karakteristik parametrelerinde yaşlanmanın etkisiyle görülen değişimlerin bir değerlendirilmesi yapılmaktadır.Polipirol/p-Si/Al diyotunun I-V eğrileri 7,15,30,60 ve 90 gün sonra kaydedilerek karakteristik parametrelerin geçen zaman sürecindeki değişimi farklı bir bakış açısıyla araştırılmaya çalışılmıştır.Ayrıca bu çalışmada diyotun doğru belsem I-V verileri kullanılıp Cheung fonksiyonları yardımıyla dV d ln I I grafiğinden elde edilen numunenin idealite faktörü ve seri direnç değerleri ile H I I grafiğinden bulunan seri direnç değerlerinin birbiriyle uyum gösterdiği görülmüştür. Benzer şekilde doğru besleme I-V grafiğinden elde edilen engel yüksekliği değerleri ile Cheung fonksiyonları metoduyla bulunan engel yüksekliği değerlerinin de birbirine yakın değerler olduğu görülmüştür. Ancak doğru belsem I-V grafiğinden elde edilen idealite faktörü değerlerinin Cheung fonksiyonları metoduyla hesaplanan idealite faktörü değerlerinden küçük olduğu görülmüş ve bunun nedenleri incelenmeye çalışılmıştır. Diyotumuzda yaşlanmanın etkisiyle I-V karakteristiklerinin zamanla iyileştiği gözlenmiştir. Bu durum, kimyasal olarak hazırlanan yarıiletken üzerindeki ince oksit tabakasının varlığıyla açıklanmaktadır. Yarıiletken ile polimer arasındaki dipol ortadan kaybolduğu zaman kararlı değerlere ulaşmak mümkündür. 77 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P44: MgB2 Süperiletken Numunesinin Derinlik Duyarlı Mikroçentik Deneylerindeki Yük-Derinlik Verilerinin Analizi U. Kölemen1, O. Uzun1, M. Aksan2, O. Şahin3 ve N. Güçlü1 Gaziosmanpaşa Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü,60240, Tokat İnönü Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 44069, Malatya 3 Süleyman Demirel Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 32260, Isparta 1 2 Bu çalışmada, MgB2 süperiletken numunesinin mekaniksel özelliklerini karakterize etmek için dinamik ultra-mikroçentik deney tekniği kullanıldı. Numunenin yük-yer değiştirme eğrileri farklı maksimum yük değerleri için elde edildi. Bu eğrilerin uygulanan yükün kaldırılmasına (unloading) karşılık gelen kısımları, Oliver-Pharr metodu kullanılarak analiz edildi. Yapılan hesaplamalar sonucunda, hem sertlik (H ), hem de etkin (reduced) modülün (Er) uygulanan yüke bağlı olarak değiştiği (çentik boyut etkisi; ISE) gözlendi. Diğer bir yandan MgB2 süperiletkeninin çentik deformasyonu davranışını belirlemek için hf/hmax değerleri kullanıldı. Her bir ölçüm için bulunan ortalama hf/hmax deneysel değerlerinin literatürde belirtilen kritik değer (0,7)’ den daha düşük olduğu gözlendi. Bu sonuç ise, MgB2 süperiletken numunesinin işlem sertleşmesi davranışı gösterdiğini ortaya koydu. Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2003K120510)teşekkür ederiz. 78 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P45: 3-Boyutlu Blume-Capel Modelde Soğutma Hızının Etkisi B. Kutlu, A. Özkan*, N. Seferoğlu** Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Ankara, Türkiye, [email protected] * Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Ankara, Türkiye, [email protected] ** Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Ankara, Türkiye,[email protected] Bu çalışmada 3-boyutlu Blume-Capel modelin basit kübik örgüdeki üçlü kritik davranışı Creutz algoritmasını[1] temel alan Cellular Automaton algoritması[2] ile incelendi. Bugüne kadar yaklaşık metotlar ve simülasyon teknikleri kullanılarak yapılan çalışmalar, Blume- Capel modelin 2 ve 3-boyutta üçlü-kritik noktaya sahip olduğunu göstermiştir [36]. Bu çalışmalardan, faz geçişinin ikinci dereceden birinci dereceye dönüştüğü, üçlükritik noktanın tespitinin oldukça güç olduğu ve bu noktanın belirlenmesinde yarı kararlı durumların ortaya çıkarılmasının önemli bir etkiye sahip olduğu görülmektedir. Üçlü kritik noktanın belirlenmesinde, “soğutma” işlemi yaygın olarak kullanılmaktadır [7-10]. Bu çalışmada, soğutma hızının yarı kararlı durumların oluşumu üzerindeki etkisi incelendi. Bu amaçla, modelin D/J –kT/J faz uzayında üçlü kritik nokta civarındaki D/J = 2.8, 2.84, 2.9 parametreleri için L=20 örgüsünde kritik davranışı farklı soğutma hızları kullanılarak incelendi. Modelin ikinci derece faz geçiş bölgesindeki D/J = 2.8 parametresinin kritik davranışı üzerinde soğutma hızının herhangi bir etkiye sahip olmadığı, üçlü-kritik bölgede yer alan D/J = 2.84 parametresinde, soğutma hızına bağlı olarak kritik davranışın, ikinci derece faz geçişinden birinci derece faz geçişine dönüştüğü görülmektedir. Birinci derece faz geçiş bölgesindeki D/J = 2.9 parametre değerinde ise, soğutma hızı artarken, düşük sıcaklık bölgesinde görülen düzenin “++” dan “00”a dönüştüğü tespit edilmiştir. Bu durum, üçlü-kritik nokta civarında soğutma hızının kritik davranış üzerinde büyük etkiye sahip olduğunu göstermektedir. Referanslar [1] M. Creutz,Ann. Phys. 167,62(1986) [2] B. Kutlu, Int. J. of Mod. Phys. C12,1401(2001) [3] M. Deserno, Phys. Rev. E56, 5204(1997) [4] T.W. Burkhardt, H.J.F. Knops, Phys. Rev. B15,1602(1977) [5] A. F. Siqueira, I. P. Fittipaldi, Physica A138,592(1986) [6] S. Grollan, E. Kierlik, M. L. Rosinberg, G. Tarjus, Phys. Rev. E63,041111(2001) [7] S. B. Ota, S. Ota, J of Cond. Matt.,12,2233(2000) [8] C. Chatelain, B. Berche, W. Janke, P. E. Berche, Phys. Rev. E64,036120(2001) [9] A. Falicov, A. N. Berker, Phys. Rev. Lett.,76,4380(1996) [10] I. Puha, H. T. Diep, J. of Mag. Matt.,224,85(2001) 79 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P46: LEC tekniği ile büyütülen Te-katkılı InSb yarıiletkeninde galvanomagnetik ölçümler S. B. Lişesivdin, Ü. Yurdugül, S. Demirezen, S. Acar ve M. Kasap Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500 Ankara, Türkiye. LEC tekniği ile büyütülen, n-tipi Te katkılı InSb yarıiletkende özdirenç, magnetoözdirenç ve Hall etkisi ölçümleri sıcaklığın (14-350K) ve manyetik alanın (0-1.35 T) fonksiyonu olarak yapıldı. Ölçüm sonuçları geleneksel ve nicel mobilite spektrum analizi teknikleri kullanılarak analiz edildi. Analiz sonuçlarından; LEC kristal büyütme tekniğinden ve Te katkısından kaynaklanan safsızlık seviyelerinin, magneto ve elektron iletim özelliklerine şiddetli bir etkisi olduğu bulundu. Sıcaklık bağımlı manyeto özdirenç katsayısı düşen sıcaklıkla iki minimum sergileyerek bir artış göstermektedir. Bu minimumlar iki tip safsızlıkla ilgili olduğu bulundu. Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkür ederiz. 80 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P47: Succinonitril - %7.5 Ağ. CBr4 Alaşımının Doğrusal Katılaştırılması ve Büyüme Hızı ile Sıcaklık Gradyentinin Mikroyapı Parametrelerine Etkisinin İncelenmesi N. Maraşlıa, K. Keşlioğlua, B. Arslana, H. Kayab ve E. Çadırlıb Erciyes Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 38039 Kayseri Niğde Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü,, 51200, Niğde a b Succinonitril- % 7.5 ağ. Karbon tetrabromür alaşımı sabit büyüme hızında (V = 33 μm/s) beş farklı sıcaklık gradyenti için (G = 4.1-7.6 K/mm) ve sabit sıcaklık gradyentinde (G = 7.6 K/mm) beş farklı büyüme hızı için (V = 7.2-116.7 μm/s) tek yönlü doğrusal olarak katılaştırılmıştır. Katılaştırma esnasında çekilen fotoğraflardan birinci ve ikinci dedritik kollar arası mesafeler, dendrit uç yarıçapları ve yumuşak bölge derinlikleri ölçülmüştür. Deneysel olarak ölçülen mikroyapı parametreleri teorik modellerden elde edilen sonuçlar ile kıyaslanmıştır. Elde ettiğimiz deneysel sonuçlar ile mevcut teorik modellerden elde edilen sonuçlar ve literatürdeki benzer deneysel çalışmalarda elde edilen sonuçların uyum içerisinde olduğu görülmüştür. 81 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P48: Fe-%18Cr-%10Mn-%16Ni ve Fe-%18Cr-%12Ni-%2Mo Alaşımlarının Fonon Dispersiyonu M. Özduran1 , İ. Akgün2, G. Uğur2 1 2 Gazi Üniversitesi, Kırşehir Fen Edebiyat Fakültesi, 06500 Ankara, TÜRKİYE Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, 06500 Ankara, TÜRKİYE Bu çalışmada, Akgün ve Uğur tarafından tanımlanan çok-cisim etkileşmeli potansiyel (M.B.R.) kullanılarak yüzey merkezli kübik (f.c.c) yapıda Fe-%18Cr-%10Mn-%16Ni ve Fe-%18Cr-%12Ni-%2Mo alaşımlarının fonon frekansları incelendi. İncelenen Fe-% 18Cr-%10Mn-%16Ni ve Fe-%18Cr-%12Ni-%2Mo alaşımları için MBR’yi tanımlayan parametreler Akgün ve Uğur tarafından tanımlanan metoda göre hesaplandı. Sonuç olarak Fe-%18Cr-%10Mn-%16Ni ve Fe-%18Cr-%12Ni-%2Mo alaşımlarının fonon frekansları temel simetri yönlerinde, hesaplanan iki ve üç-cisim kuvvet sabitlerini kullanarak hesaplandı. Teorik sonuçlar deneysel dispersiyonla mukayese edildi. 82 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P49: Toz Kırınımı ile Yapı Belirlenmesi ve C23H20N4O3 Molekülünün Kristal Yapısının Toz Kırınımı Yöntemi ile İncelenmesi Ö.Özgen, E. Kendi, S. Koyunoğlu, A. Yeşilada, P. W. Stephens Bu çalışmada, antibakteriyal ve antifungal gibi çeşitli biyolojik aktiviteleri olan ve farmakolojide geniş bir araştırma alanı olan 2-pirazolin türevlerinden polikristal formda olan bir örnegin kristal yapisi toz kirinim yöntemi ile incelendi. 2 - [ 3-metoksifenil-5(furil-2-il)-2-pirazolin-1-il ] -3-metil - 4(3H) - kinazolinon (C23H20N4O3) molekülünün kristal sistemi monoklinik, uzay grubu P21/n ve örgü parametreleri a=16.534(2), b = 9.863(1), c = 13.624(1) Å ve β = 116.609( 9)˚ , Z=4 olarak bulundu. Molekülün kimyasal diyagramı aşağıda verilmektedir. OCH3 O N N N N CH3 O 83 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P50: MnxMg1-xTiO3 Seyreltilmiş Antiferromagnet malzemesinin Yapısal ve Elektriksel Özellikleri B. Özkurt, Atilla Coşkun, A. Ekicibil, B. Özçelik, K. Kıymaç Çukurova Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 01330, Balcalı, Adana Bu çalışmada MnxMg1-xTiO3 seyreltilmiş antiferromagnet malzemesinin (0.65≤x≤0.95) değerleri için elektriksel ve magnetiksel özellikleri incelenmiştir. Bu oksitler önemli bir ilgi alanı oluşturmaktadır, çünkü x değerindeki herhangi değişim faz dönüşümlerine neden olmaktadır. Bu malzeme üzerinde X-ışınları kırınım desenleri, Taramalı Elektron Mikroskobu çalışmaları (SEM) ve EDAX Analizi çalışmaları yapılmış ve bu analizler ışığında baskın fazın tüm x değerleri için MnTiO3 olduğu anlaşılmıştır. Mn ve Mg atomlarının yer değiştirmesi sonucunda herhangi bir yapısal değişiklik gözlenmemiştir. Bununla beraber, x değerlerindeki azalmayla birlikte MgTiO3 ve Mg2TiO4 fazlarına rastlanmıştır. Ayrıca örneğin elektriksel iletkenlik ölçümleri yapılmış ölçümler sonucunda bu değerin ~210 K’de sabitlendiği gözlenmiştir. Örneğin yarıiletken özelliği anımsatan enerji aralığı değeri 0.31 eV olarak hesaplanmıştır. 84 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P51: Yüksek Sıcaklık Süperiletkenlerinde Görülen Ac Kayıp Vadisinin Analizi A.Öztürk1, U.Kölemen2, F.İnanır3, İ.Düzgün3, S.Çelebi1 Karadeniz Teknik Üniv., Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 61080,Trabzon Gaziosmanpaşa Üniv., Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 60240,Tokat 3 Karadeniz Teknik Üniv., Rize Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Rize 1 2 Bilindiği gibi, II. tip süperiletkenlerin “pinning” özellikleri oldukça ilgi çeken araştırma alanlarından biridir. Bu malzemelerde kritik akım yoğunluğu, magnetizasyon, tuzaklanan akı, tersinmezlik çizgisi, akı sürüklenmesi, akı çizgilerinin kesişmesi ve çapraz akışı, magnetik levitasyon, AC alınganlık ve AC histeresis kayıpları bu “pinning” özelliğinin bir yansımasıdır. II. tip süperiletkenlerin birçok çeşidinde AC-kayıpları, belli bir h0 genliğine sahip Ha uygulanan alanı için birim hacim ve birim çevrim başına enerji kaybı W(h0, Hb, T, v), sabit bir T sıcaklığında ve sabit düşük v frekansında, h0 ile aynı doğrultuda olan Hb statik magnetik alanın fonksiyonu olarak ölçüldüğünde bir vadi gösterdiği bazı bilim adamları tarafından yayınlanmıştır. Bu özellik Clem vadisi olarak bilinir. Bu olay özellikle h0<H* olduğunda farkedilir olur ve 0<Hb H* aralığında gerçekleşir. değerlerinin, Hb Literatürde slab geometrisindeki bir süperiletken malzeme için, max DC alanının etkisi ile kritik akım yoğunluğunun alan bağlılığını temsil eden n parametresi (Jc α H-n) n 0 iken bir vadiden geçtiği belirtilmektedir. Biz de çalışmamızda, silindir geometrisi için, Hb’nin(DC alan) sabit tutulup h0’ın(AC alan genliği) değiştiği durumlar için teorik AC kayıp hesaplamalarını gerçekleştirerek bu alandaki çalışmalara bir yenilik katmayı hedefledik. Ayrıca, kritik hal modelleri ile yapılan teorik hesaplamalar ağırlıkça %1 ZnO ilaveli YBCO numunesi için Hb’nin sabit tutulup h0’ın değiştiği durumlardaki deneysel alınganlık ölçümlerine oldukça iyi uyum eğrileri verdi. Sonuçlar kritik hal çerçevesinde tartışıldı ve numuneye ait bazı süperiletkenlik parametreleri belirlendi. 85 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P52: Aşırı soğuk Fr izotoplarının elastik saçılması M. K. Öztürk ve S. Özçelik Gazi Üniversitesi, Fen-Ed. fakültesi, 06500 Teknikokullar, Ankara, Türkiye Aşırı düşük sıcaklıklarda bozonik Fr izotoplarının elastik çarpışmalarında, toplam elastik, spin yük ve ‘difüzyon’ tesir kesitlerin hesaplamaları ayrıntılı olarak incelendi. Fr izotoplarının singlet ve triplet etkileşme potansiyelleri parametrik olarak inşa edildi ve ‘shape’ rezonans bölgesinde Fr’mun saçılma özelliklerinin hesaplanmasında kullanıldı. Enerjinin fonksiyonu olarak toplam elastik, spin yük ve difüzyon tesir kesitleri önemli bir yapı gösterir ve düşük sıcaklıklarda geniş değerlere sahip. 32 picoK- 3 K menzili sıcaklıklarda nümerik ve yarı-klasik sonuçlar ayrıntılı karşılaştırılır. Hatta bir kaç Kelvin sıcaklıklarda spin-yük ve ‘difüzyon’ tesir kesitlerinin geniş olması Fr izotoplarının ‘yoğuşma’sını üretmek için etkili bir yol sağlayabilir. 86 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P53: Benzothiazol-2-yl-(4-dimethylamino-benzylidene)-amine molekülünün kristal yapısı H. Saraçoğlu 1 , N. Çalışkan 1 , C. Davran 2 , S. Soylu 1 ,H. Batı 2 Ve O. Büyükgüngör 1 1 Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 55139, Kurupelit, Samsun 2 Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Kimya Bölümü, 55139, Kurupelit, Samsun Schiff bazı bileşikleri antibakteriyel, antikanserojen ve antitoksik özelliklere sahiptir. Özellikle kükürt içeren Schiff bazları daha da etkindir. Benzotiazol gruplar ise organik boyar madde olarak kullanıldığı gibi gram-pozitif ve gram-negatif bakterilerle mücadelede, veremin, sıtmanın tedavisinde mikrop öldürücü ve ateş düşürücü özelliklere sahiptir. C16 H 15 N 3 S molekülünün sentezi yapılmıştır. Sentezlenen kristalin x-ışını verilerinden Z=8 ve uzay grubunun P 21 / c olduğu Bu çalışmada bir Schiff bazı olan görülmüştür. Yapının asimetrik birimde A ve B gibi iki bağımsız moleküle sahip olduğu, C-N bağına göre de her iki molekülün birbirinin dönme izomeri olduğu tespit edilmiştir. Ayrıca A ve B moleküllerinin birbirinden farklı molekül içi bağlar sergilediği; bu bağların A molekülü için C-H...N biçiminde ve B için C-H...S şeklinde gerçekleştiği görülmektedir. Simetri merkezi etrafında yapı C-H... moleküller arası hidrojen bağlarına da sahiptir. Moleküler yığılmada C-H... ve - etkileşimleri etkin rol oynamaktadır. 87 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P54: InxGa1-xAs/GaAs(x=0,15) Süperörgüsü’ nün MBE’ de Büyütülmesi ve Bazı Elektriksel, Optiksel Özelliklerinin Belirlenmesi B. Sarıkavak, H. Altuntaş, A. Bengi, T.S. Mamedov, S. Özçelik Gazi Univ., Fizik Bölümü, Ankara, Türkiye Yüksek kaliteli InxGa1-xAs/GaAs süperörgüsü (SLS) x=0,15 için V80H-MBE sistemi ile büyütüldü.n-tipi GaAs (100) alttaş büyütme odasına transfer edildi. 640-680°C’ de As2 akısı altında 20-30 dak tutularak oksit temizlenmesi yapıldı. Her periyodun kalınlığı 0,3µm olan 5 periyotlu InGaAs süperörgü yapısı 560°C’ de büyütüldü. Ga büyütme oranı 1µm/saat olarak RHEED kullanılarak ayarlandı ve Ga akısı tüm büyütme süresince değiştirilmedi. As4 /Ga oranı da yaklaşık 1-2 olacak şekilde As2 akısı da tüm süreçte sabit tutuldu.Tabaka kalınlığı, X-ışınları difraksiyonu yolu ile belirlendi. Katkılı numuneler C-V profili yoluyla karakterize edildi. Diyot yapıları için ise I-V yoluyla karakterize edildi. I-V ölçümlerinden idealite faktörü (n), potansiyel engel yüksekliği ( B ) ve arayüzey durumları belirlendi. C-V, (G/W) –V ölçümlerinden katkı atomlarının yoğunluğu, difüzyon potansiyeli,potansiyel engel yüksekliği ( B ), seri direnç (Rs), Fermi enerjisi belirlendi. Anahtar Kelime: Kristal büyültme, MBE, RHEED, difüzyon potansiyeli, potansiyel engel yüksekliği, seri direnç Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkür ederiz. 88 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P55: Katlı GaSe’nin Optik Anizotropisinin Fotoışıma ve FTIR spektroskopisi ile incelenmesi A. Seyhan Ortadoğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, Ankara Bu çalışmada katlı yarıiletken GaSe’nin optik anizotropisi Fotoışıma ve FTIR spektroskopisi ile incelendi. GaSe’nin fotoışıma spektrumunda görülen, birbirine yakın iki tepe, doğrudan bant kenarlarından kaynaklı serbest ve bağlı eksitonlar olarak yorumlandı. GaSe’ nin fotoışıma ve geçirgenlik spektrumu, gönderilen ışığın dalga vektörü k’nın kristalin büyüme ekseni c’ye, dik ve parallel olmak üzere iki farklı sekilde ölçüldü. Fotoışıma ve geçirgenlik spektrumunda tepe noktaları her iki durum için (k //c, k c) oldukça farklı bulundu. Gözlenen bu fark, GaSe’nin anizotropik bant yapısı ve optiksel soğurma seçme(selection rule) kuralı ile alakalıdır ki her iki ölçüm sonuçlarının uyumlu olması da bunu doğrulamaktadır. 89 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P56: CoSi2 Bileşiğinin Elektronik ve Titreşimsel Özellikleri F. Soyalp1 , G.Uğur1 ve H.M. Tütüncü2 Gazi Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara, TÜRKİYE Sakarya Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Adapazarı, TÜRKİYE 1 2 Bu çalışmada, CoSi2 bileşiği için lineer tepki yaklaşımında pseudo potansiyel metodu ve genelleştirilmiş eğim yaklaşımı kullanılarak, elektronik ve titreşimsel özellikleri hesaplanmıştır. CoSi2 bileşiğinin örgü sabiti ve bulk modülü hesaplanmış ve daha önce yapılan deneysel sonuçlarla karşılaştırılmıştır. Hesaplanan örgü sabiti ile yoğunluk fonksiyon pertürbasyon teorisi kullanılarak elektronik bant yapısı ve fonon frekansları hesaplanmıştır. Bulunan sonuçlar deneysel çalışmalarla uyum içindedir. 90 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P57: Au/SiO2/p-Si (MOS) Yapıların Elektriksel Özelliklerinin Frekans ve Sıcaklık Bağımlılığı Adem Tataroğlu, Şemsettin Altındal Gazi Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , 06500, Teknikokullar, Ankara,TÜRKİYE Al/SiO2/p-Si (MOS) yapıların elektriksel özellikleri 1 MHz’de 10 kHz–10 MHz frekans ve 295-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Metal-oksit-yarıiletken (MOS) yapının arayüzey oksit tabaka kalınlığı kuvvetli akümülasyon bölgesindeki ölçülen oksit kapasitansından hesaplandı. MOS yapının elektriksel özellikleri kapasitans-voltaj(C-V) ve iletkenlik-voltaj(G/-V) ölçümlerinden hesaplandı. Ayrıca numunenin C-V karakteristiklerine arayüzey durum yoğunluğu(Nss) ve seri direncin(Rs) etkileri araştırıldı. Hem kapasitans hem de iletkenlik yüksek sıcaklıklarda ve düşük frekanslarda nispeten sıcaklığa ve frekansa duyarlıdır. Nss ve Rs artan sıcaklıkla azalmaktadır. Bu davranış ara yüzeyin yeniden yapılanıp düzenlenmesine atfedilir. C-V ve G/-V karakteristikler, Nss, Rs ve yalıtkan tabaka kalınlığının MOS yapıların elektriksel parametrelerine kuvvetlice etki eden önemli parametreler olduğunu doğrular. Anahtar kelimeler: MOS yapı, elektriksel özellikler, seri direnç, ara yüzey durum yoğunluğu. Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkür ederiz. 91 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P58: 3-Feniltiyofen ve 3-(3, 4, 5-Triflorofenil) Tiyofen Moleküllerinin Yapısal, Elektronik ve Lineer Olmayan Optik Özelliklerinin Teorik Olarak İncelenmesi G. Uğurlu, M. Bahat, E. Kasap, Z. Kantarcı ve H.Alyar Fizik Bölümü,Gazi Üniversitesi,Ankara,Türkiye Tiyofen ve tiyofen türevleri, molekül ve polimer olarak teknolojide yoğun olarak kullanılmaktadır. Örneğin 3-feniltiyofen ve onun flor katkılı türevleri elektrikli aygıtlarda kullanılmaktadır. Bundan dolayı bu moleküller son zamanlarda bir çok teorik ve deneysel çalışmalara konu olmuştur. Bu çalışmada, 3-feniltiyofen ve 3-(3,4,5-triflorofenil)tiyofen moleküllerinin yapısal parametreleri, elektronik özellikleri, dipol moment, ve en yüksek dolu moleküler orbital (HOMO) ve en düşük boş moleküler orbital (LUMO) enerjileri B3LYP/6-31++G (d,p) ve HF/6-31++G (d,p) modelleri ile hesaplanmıştır. Bu moleküllerin lineer olmayan optik özelliklerden polarizabilite ve hiperpolarizabilite özelliklleri HF/6-31++G (d,p) modeli ile dihedral açının fonksiyonu olarak incelendi. Dihedral açı 0ºden 180º ye kadar 10º aralıklarla artırıldı. Hesaplamalar GAUSSIAN98W paket programı kullanılarak yapıldı.Bu çalışma kısmen TBAG-AY/287(102T150) projesi çerçevesinde gerçekleştirilmiştir. 92 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P59: Kristal Bant Yapılar İçin Lame Potansiyel Modeli Ve Hamilton Jacobi Analizi Ö. Yeşiltaş*, M. Şimşek** Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü 06500 Teknikokullar/ANKARA * [email protected], ** [email protected] Kristallerin band yapılarını incelemek için periyodik Kronig-Penney potansiyel modeli yaygın olarak kullanılmaktadır. Bu çalışmada, periyodik potansiyellerin bir başka türü V ( x) j ( j 1) sn 2 ( x, m) a cn 2 ( x, m) şeklindeki formunun da kristal yapılar için alternatif bir model olabileceği önerilmektedir. d p 2 m ( E V ( x)) Riccati İncelenen kuantum yapı için yazılabilen p 2 i dx denklemini sağlayan p kuantum momentum fonksiyonunun singüler yapısı, kompleks x düzleminde residu tekniği ile incelenmiştir. Ayrıca, Schrödinger dalga denkleminin Lame potansiyeli için yapılan çözümlerinde, kuantum Hamilton Jacobi metodu kullanılmıştır. Sonuçta farklı sistemlerin bant yapılarına uygulanabilir özdeğer ve özfonksiyonları elde edilmiştir. olan Lame potansiyellerinin 93 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P60: Ayarlanabilir Optik Özelliklere Sahip Moleküler Kümeler: TTBC Kümelerinin Kontrol Edilebilir Oluşumu Ve Eksitonik Özellikleri H. Yıldırım1, B. Birkan2, D. Gülen 1, S. Özçelik 3 Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara. Mühendislik ve Temel Bilimler Fakültesi, Sabancı Üniversitesi, İstanbul. 3 Kimya Bölümü İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, İzmir 1 2 1,1’,3,3’-tetraetil-5,5’,6,6’-tetraklorobenzimidazolkarbosiyanin (TTBC) kümelerinin eksiton-band yapısı ve eksiton-band gevşemesi deneysel ve kuramsal yöntemlerle incelendi. İyonik ortamda (sodyum hidroksit içeren sulu çözeltilerde) TTBC ve iyon derişiklikleri ayarlanarak sentezlenen moleküler kümelerin soğurma ve ışıma spektrumlarındaki değişiklikler oda sıcaklığında gözlemlendi. TTBC/sodyum hidroksit derişikliklerini ayarlayarak, eksitonik özellikleri kontrol edilebilen moleküler kümelerin oluşturulabileceğine ilişkin güçlü deneysel veriler sunuldu. Deneysel sonuçlar eksitonik spektral özelliklerin sayısal benzetişimler yapılarak yorumlandı. Bu yorumlama sonucunda, TTBC/sodyum hidroksit derişiklikleri üzerindeki kontrolün, birbirleriyle etkileşmeyen J-kümelerinden (1-boyutlu) birbirleriyle kuvvetli olarak etkileşen Jkümelerine (2-boyutlu) geçişi kontrol edebileceği olasılığı üzerine ayrıntılı bir tartışma sunuldu. 94 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P61: 2-(N’-{4-[3-Metil-3-(2,4,6-Trimetil-Fenil)-Siklobütil]-Tiazol-2-Yl}Hidrazinometil)-Benzen-1,4-DiolEtanol Ç. Yüksektepe1, H. Saraçoğlu1, S. Soylu1, İ. Yılmaz2, A. Çukurovalı2, N. Çalışkan1. Ondokuz Mayıs Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü 55139 Kurupelit/Samsun. 2 Fırat Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Kimya Bölümü 23119-Elazığ. 1 2-(N’-{4-[3-Metil-3-(2,4,6-trimetil-fenil)-siklobütil]-tiazol-2-yl}-hidrazinometil)-benzen1,4-dioletanol (C24H27N3O2S. C2H6O) molekülünün sentezi yapıldıktan sonra kristal yapısı belirlenmiştir. Molekülün etanol ile yaptığı O—H…N, N—H…O ve O—H…O hidrojen bağları sayesinde, kristal yapının polimerik düzenleniş gösterdiği bulunmuştur. Molekülün kararlı bir kristal yapı oluşturabilmesi için π-π ve π-halka etkileşimleri de bulunmaktadır. Molekül içerisinde hidrazon E düzenlenişine sahiptir (Şekil 1). Şekil 1. C24H27N3O2S. C2H6O Molekülünün ORTEP-III şekli. Termal elipsoidler % 50 olasılıkta çizilmiştir. 95 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P62: Saf Cu(110) Kristalinin Ultraviole Ters–Fotoemisyon Spektroskopi Sonuçları O. Zeybek Balıkesir Universitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Soma Caddesi, 10100 Balıkesir Ultraviole Ters-Fotoemisyon Spekroskopisi katıların yüzeylerinde işgal edilmemiş elektron durumlarını incelemek için çok yararlı ve uygulanabilir bir spektroskopik metot olarak tayin edilmiştir. Saf Cu(110) kristalinin yüzeyinden elde edilen ultraviole TersFotoemisyon Spektroskopi tayfı, bir çok grup tarafından alındığı gibi, 9.1 eV sabit foton enerjisi ve farklı elektron enerji aralıklarında ölçülmüştür. Bu çalışmada ise yapılan deneylerde farklı bir yol izlenmiştir yani işgal edilmemiş yüzey durumları ultraviole Ters-Fotoemisyon Spektroskopi tekniği tarafından ışınır modda kontrol edilmiştir. Yüzeyin normaline göre salınan foton için 45 ve gelen elektron demetinin normal olmayan geliş açısı için 25 ve 19 eV sabit elektron kinetik enerjisi parametreleri göz önüne alınarak, oda sıcaklığında saf Cu(110) kristalinden elde edilen ultraviole TersFotoemisyon Spektroskopi tayfı Yüzey Brillouin Bölgesi’ndeki Y noktasında alınmıştır. İşgal edilmemiş kütle ve yüzey durumları, ultraviole Ters-Fotoemisyon Spektroskopisinin enerji yarılması yaklaşık 0,5 eV mertebesinde tahlil edilmiştir. İşgal edilmemiş Cu(110) yüzey durumlarının deneysel bağlama enerjileri 1,8 eV, 2,0 eV ve 2,5 eV’de rapor edilmiştir. Hesaplanmış değerler 2,5 eV, 4,85 eV, 5,63 eV, 6,4 eV, 6,9 eV ve 7,3 eV’de rapor edilmiştir. İlk kez bu çalışmada işgal edilmemiş durumlar 2,3 eV, 8,0 eV, 8,8 eV ve 9,4 eV’de ortaya çıkarılmıştır. 96 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P63: Ultraviole Ters–Fotoemisyon Spektroskopi Metodu İle Cu(110) Kristali Üzerinde Na Filmlerinin İşgal Edilmemiş Bölgedeki Elektron Yapısının İncelenmesi O. Zeybek Balıkesir Universitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Soma Caddesi, 10100 Balıkesir Ultraviole Ters-Fotoemisyon Spekroskopisi atomların, moleküllerin yada katıların işgal edilmemiş bölgedeki elektronların elektronik yapılarının incelenmesi için kullanılan bir spektroskopik metodudur. Bu metot iki işgal edilmemiş durum arasındaki radyoaktif translasyonu ile yayılan ultraviole foton şiddetinin ölçülmesini kapsar. Alaşımlı yüzeylerin ve temiz yüzeylerin geometrik yapısı ile birlikte elektronik ve optiksel davranışlarının incelenmesi onların geniş bir biçimde endüstriyel uygulamalarının anlaşılması için gereklidir. Bir çok yüzey fiziği ve yüzey kristallografik teknikleri için tekli kristal örnekleri gereklidir ki bu amaç doğrultusunda bu çalışmada (110) yüzey kesitli Cu kullanıldı. Yaklaşık olarak 2 eV civarında temiz Cu(110) kristalinin işgal edilmemiş durumlarının yoğunlukları, Na filmlerinin kalınlığının artmasıyla azaldığı bu çalışmada bulunmuştur. Bu sonuç Yansıma Anisotropi Spektroskopi metodu ile elde edilen sonuçlarla uyum içindedir. Ultraviole Ters-Fotoemisyon Spektroskopi metodu ile Cu(110) kristali üzerinde absorbe olmuş Na filmleri üzerine oda sıcaklığında gelen elektron demetinin normal olmayan geliş açılarının ölçümleri gerçekleştirildi. Bu çalışmada yüzey durumlarının enerji pozisyonları Y noktası etrafındaki 4,7 eV mertebesindeki boşluk bandı etrafında odaklanılmıştır. Ultraviole Ters-Fotoemisyon Spektroskopisi deneyinde, 17 ve 19 eV enerji seviyesinde gelen elektron enerjilerinin Na filmlerinin kalınlığının artmasıyla 7,8 eV’de Fermi seviyesine doğru bir kayma olduğu da bulunmuştur. 97 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P64: m-Phenylenediamine Köprülü İki Çekirdekli Cu2(L-m-pda) 2H2O, [L = 2-hydroxy-3-methoxybenzaldehyde)] Bakır(II) 2 Kompleksinin Kristal Yapısı ve Magnetik Özelliklerinin Yarıdeneysel Moleküler Orbital Yöntemlerle Analizi C. T. Zeyreka, A. Elmalıb, Y. Elermanb Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi, 06100 Beşevler-Ankara, Türkiye Ankara Üniv., Müh. Fak., Fizik Müh. Bölümü, 06100 Beşevler-Ankara, Türkiye a b Bu çalışmada, m-phenylenediamine köprülü iki çekirdekli Cu2(L-m-pda)22H2O, [L = 2-hydroxy-3-methoxybenzaldehyde) bakır(II) kompleksinin, kristal yapısı ve magnetik özellikleri incelenmiştir. Komplekse ait kristalografik bilgiler şu şekilde bulunmuştur: Kristal sistemi: triklinik, uzay grubu: P 1 , örgü parametreleri: a = 8.953(2) Å, b = 11.264(1) Å, c = 11.318(2) Å, = 100.74(2), = 105.23(10), = 103.47(3), V = 1033(1) Å3, Z = 1, R = 0.0445, Dhesap=1.524 g.cm-3. Her bir bakır(II) iyonu Schiff bazı ligandlarının N2O2 grupları ile koordinasyonuyla, tetrahedron geometriye sahiptir. Molekül içi CuCu uzaklığı 7.401(6) Å’ dur. Kristal yapı içerisinde bakır(II) iyonları ile koordinasyona girmemiş iki su molekülü vardır ve bu su molekülleri ile kompleksin oksijen atomları arasında hidrojen bağları bulunmaktadır {O5–Ha. . .O4 [2.37(1)], O5–Hb. .. O3 [2.42(1)], O5–Hb. . .O1 [2.77(1)], O5–Hb. . .O2 [2.19(1)], O5–Ha. . O1 [2.44(1)], O6– Hb. . .O3 [2.99(1)], O6–Hb. . .O5 [1.89(1)], and O6–Ha. . .O5 [2.12(1) Å]} Kompleksteki Cu(II) iyonları arasındaki magnetik süper C 11 C 12 değiş-tokuş etkileşmelerinin C10 C 14 C 13 O6 C9 belirlenmesi amacı ile, 5K’ C16 C 15 C8 C22 N2 den oda sıcaklığına kadar O3 O2 C 20 sıcaklığa bağlı magnetik O5 C 18 O1 Cu1 alınganlık ölçümleri C19 O4 N1 C 17 yapılmıştır. Deneysel olarak C 21 C2 C6 C7 C1 gözlenen magnetik C5 alınganlık ile teorik olarak C3 C4 hesaplanan magnetik alınganlık değerleri en küçük Cu2(L-m-pda)22H2O kareler yöntemi ile karşılaştırılarak süper değiştokuş etkileşmesine ait parametreler J = 0.4 cm-1 ve g = 2.17 bulunmuştur. Extended Hückel Moleküler Orbital (EHMO) yöntemi kullanılarak yapılan moleküler orbital hesapları ile, yapıdaki süper-değiştokuş etkileşmesi yolundaki moleküler orbitallerin, etkileşmeye katkıları açıklanmaya çalışılmıştır. Böylece HOMO’ leri ile LUMO’ ler arasındaki enerji farkı hesaplanmıştır. Kompleksin kristal yapısı ile magnetik özellikleri ve yapılan benzer çalışmalar göz önüne alınarak, gözlenen zayıf antiferromagnetik değiş-tokuş etkileşmesinin hangi faktörlere bağlı olduğu araştırılmıştır. 98 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA Dizin Kimi özet sahiplerinin verdikleri anahtar kelimelere göre düzenlenmiştir. ( -ışını · 61 (Al-TiW+PtSi)–nSi Schottky diyotları · 37 İlave kapasite · 68 A Akım iletim mekanizması · 37 ara yüzey durum yoğunluğu · 41, 92 ara yüzey durumları · 67, 68 B Bi4Ti3O12 amorf filmler · 41 Bi4Ti3O12 ince filmler · 38 C critical current · 53 D dielektrik kayıp · 38 dielektrik sabiti · 38 difüzyon potansiyeli · 89 E elektriksel karakteristikler · 61 elektriksel özellikler · 92 elektro fiziksel parametreler · 36 Engel yüksekliğinin homojensizliği · 40 F flux pinning · 53 frekans bağımlılığı · 68 G GaAs · 49 Gaussian dağılımı · 40 gerilim bağımlılığı · 68 I idealite faktörü · 41, 67 K Kristal büyültme · 89 M Magnetostriction · 53 MBE · 89 Meissner current · 53 MIS yapı · 61 MIS yapılar · 49 MOS yapı · 92 99 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA P potansiyel engel yüksekliği · 89 R radyasyon etkileri · 61 reversible Abrikosov diamagnetism · 53 RHEED · 89 S Schottky engel homojensizliği · 67 Schottky engeli · 49 seri direnç · 41, 49, 61, 67, 68, 89, 92 sıcaklığa bağımlılık · 36, 37 Sıcaklık bağımlılığı · 40 SnO2-Bi4Ti3O12-Au ince film · 38 Standard sapma · 40 surface barrier · 53 surface sheath · 53 T Ti10W90-nSi Schottky diyotları · 36 Y Yalıtkan tabaka · 67 100 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA Katılımcılar Selim ACAR Gazi Üniversitesi [email protected] Barış AKAOĞLU Orta Doğu Teknik Üniversitesi [email protected] Arzu AKBAŞ Hacettepe Üniversitesi [email protected] Nurgül AKINCI Zonguldak Karaelmas Üniversitesi [email protected] İdris AKYÜZ Osmangazi Üniversitesi [email protected] Şemsettin ALTINDAL Gazi Üniversitesi [email protected] Hamit ALYAR Gazi Üniversitesi [email protected] Nihat ARIKAN Gazi Üniversitesi [email protected] N. Burcu ARSLAN Ondokuz Mayıs Üniversitesi [email protected] Erdal ARSLAN Gazi Üniversitesi [email protected] Murat ARTUÇ Hacettepe Üniversitesi [email protected] Mehmet ASLANTAŞ Hacettepe Üniversitesi [email protected] Ferhunde ATAY Osmangazi Üniversitesi [email protected] Aytunç ATEŞ Atatürk Üniversitesi [email protected] İlker AY Hacettepe Üniversitesi [email protected] Sezgin AYDIN Gazi Üniversitesi [email protected] Gülnur AYGÜN Orta Doğu Teknik Üniversitesi [email protected] Serdar BADOĞLU Hacettepe Üniversitesi [email protected] Hasan BARUT Gazi Üniversitesi Yunus BAŞ Gazi Üniversitesi [email protected] Ülkü Bayhan Hacettepe Üniversitesi [email protected] Nevzat Bayri İnönü Üniversitesi [email protected] Aylin BENGİ Gazi Üniversitesi [email protected] Mehmet BİBER Atatürk Üniversitesi [email protected] Vildan BİLGİN Mehmet Sait BOZGEYİK Osmangazi Üniversitesi [email protected] Çukurova Üniversitesi [email protected] Ceyhun BULUTAY Bilkent Üniversitesi [email protected] M. Mahir BÜLBÜL Gazi Üniversitesi [email protected] Musa Mutlu CAN Hacettepe Üniversitesi [email protected] Emre COŞKUN G.Y.T.E Öznur ÇAKIR Ankara Üniversitesi [email protected] Mehmet ÇAKMAK Gazi Üniversitesi [email protected] Nagihan ÇAYLAK Hacettepe Üniversitesi [email protected] Selahattin ÇELEBİ Karadeniz Teknik Üniversitesi [email protected] Ömer ÇELİK Hacettepe Üniversitesi [email protected] Ali ÇETİNKAYA Çukurova Üniversitesi [email protected] Mehmet ÇİVİ Gazi Üniversitesi [email protected] Engin DELİGÖZ Gazi Üniversitesi [email protected] Emine DÖNMEZ Balıkesir Üniversitesi [email protected] 101 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA Perihan DURMUS Gazi Üniversitesi [email protected] Hasan EFEOĞLU Atatürk Üniversitesi [email protected] Ahmet EKİCİBİL Çukurova Üniversitesi [email protected] Şinasi ELLİALTIOĞLU Orta Doğu Teknik Üniversitesi [email protected] Ayhan ELMALI Ankara Üniversitesi [email protected] Aynur ERAY Hacettepe Üniversitesi [email protected] Emre ERSİN Gazi Üniversitesi [email protected] Gülen FERAH Gazi Üniversitesi [email protected] Tezer FIRAT Hacettepe Üniversitesi [email protected] Ali GENCER Ankara Üniversitesi [email protected] Elif GÜÇ Gazi Üniversitesi Nusret GÜÇLÜ Gaziosmanpaşa Üniversitesi [email protected] Demet GÜLEN Orta Doğu Teknik Üniversitesi [email protected] Oğuz GÜLSEREN Bilkent Üniversitesi [email protected] Alkan GÜLSES Orta Doğu Teknik Üniversitesi [email protected] Hilal GÜMÜŞ Gazi Üniversitesi [email protected] Tayyar GÜNGÖR Hacettepe Üniversitesi [email protected] Ebru GÜNGÖR Hacettepe Üniversitesi [email protected] Semra GÜVEN Ondokuzmayıs Üniversitesi [email protected] Ziya B. GÜVENÇ Çankaya Üniversitesi [email protected] Tuğrul HAKİOĞLU Bilkent Üniversitesi B. Yasemin IŞIK Gazi Üniversitesi [email protected] Semra İDE Hacettepe Üniversitesi [email protected] Fedai İNANIR Karadeniz Teknik Üniversitesi [email protected] Hatice KANBUR Gazi Üniversitesi [email protected] İlker KARA Gazi Üniversitesi [email protected] Faruk KARADAĞ Çukurova Üniversitesi [email protected] Serdar KARADENİZ ANAEM [email protected] Rıdvan KARAPINAR Yüzüncü Yıl Üniversitesi [email protected] Mehmet KASAP Gazi Üniversitesi [email protected] Gökhan KAŞTAŞ Ondokuzmayıs Üniversitesi [email protected] Neşe KAVASOĞLU Hacettepe Üniversitesi [email protected] M. Burak KAYNAR Hacettepe Üniversitesi [email protected] Canan KAZAK Ondokuz Mayıs Üniversitesi [email protected] Engin KENDİ Hacettepe Üniversitesi [email protected] Selçuk KERVAN ANAEM (TAEK) [email protected] Kâzım KEŞLİOĞLU Erciyes Üniversitesi [email protected] Ahmet KILIÇ Ankara Üniversitesi [email protected] Ali İhsan KILIÇ Gazi Üniversitesi V. Serkan KOLAT İnönü Üniversitesi Sabit KORÇAK Gazi Üniversitesi Demet KORUCU Gazi Üniversitesi [email protected] Uğur KÖLEMEN Gaziosmanpaşa Üniversitesi [email protected] Salih KÖSE Osmangazi Üniversitesi [email protected] 102 [email protected] XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA Hilal YÜCEL KURT Gazi Üniversitesi [email protected] Ayşe KUZUCU Balıkesir Üniversitesi [email protected] S. B. LİŞESİVDİN Gazi Üniversitesi [email protected] A. M. MAMEDOV Çukurova Üniversitesi [email protected] Tofig S. MAMMADOV Gazi Üniversitesi [email protected] Ersen METE Balıkesir Üniversitesi [email protected] Öznur METE Ankara Üniversitesi [email protected] Nazan OCAK Ondokuz Mayıs Üniversitesi [email protected] Özcan ÖKTÜ Hacettepe Üniversitesi [email protected] Tolga ÖNCÜ ANTHAM (TAEK) [email protected] Şadan ÖZCAN Hacettepe Üniversitesi [email protected] Süleyman ÖZÇELİK Gazi Üniversitesi [email protected] Mustafa ÖZDURAN Gazi Üniversitesi [email protected] Tahsin ÖZER Kahranmaraş Sütcü İmam Üniv. [email protected] Metin ÖZER Gazi Üniversitesi metinö[email protected] Aycan ÖZKAN Gazi Üniversitesi [email protected] Berdan ÖZKURT Çukurova Üniversitesi [email protected] M. Kemal ÖZTÜRK Gazi Üniversitesi [email protected] Lütfi ÖZYÜZER İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü [email protected] Serap SAFRAN Hacettepe Üniversitesi [email protected] Hanife SARAÇOĞLU Ondokuz Mayıs Üniversitesi [email protected] Beyza SARIKAVAK Gazi Üniversitesi [email protected] Nurgül SEFEROĞLU Gazi Üniversitesi [email protected] Yusuf SELAMET İzmir Yuksek Teknoloji Enstitusu [email protected] Ayşe SEYHAN Orta Doğu Teknik Üniversitesi [email protected] Fethi SOYALP Gazi Üniversitesi [email protected] Serkan SOYLU Ondokuz Mayıs Üniversitesi [email protected] Hasan ŞAHİN Cumhuriyet Üniversitesi [email protected] Ahmet Ümit ŞAHİN Gazi Üniversitesi [email protected] Emre TANIR Hacettepe Üniversitesi [email protected] Adem TATAROĞLU Gazi Üniversitesi [email protected] Amir SEPEHRİANZAR Hüseyin TECİMER [email protected] Ali TEKE Balıkesir Üniversitesi [email protected] Ali Şimşek TEKEREK Ankara Üniversitesi [email protected] Esin UÇAR Hacettepe Üniversitesi [email protected] Güventürk UĞURLU Gazi Üniversitesi [email protected] Aydın UZEL Gazi Üniversitesi [email protected]. Orhan UZUN Gaziosmanpaşa Üniversitesi [email protected] Can Doğan VURDU Gazi Üniversitesi [email protected] Özlem YEŞİLTAŞ Gazi Üniversitesi [email protected] Hasan YILDIRIM Orta Doğu Teknik Üniversitesi [email protected] Abdullah YILDIZ Gazi Üniversitesi [email protected] Ümit YURDUGÜL Gazi Üniversitesi [email protected] 103 XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA H. Hilal Yücel KURT Gazi Üniversitesi [email protected] Sevgi YÜRÜŞ Hacettepe Üniversitesi [email protected] Orhan ZEYBEK Balıkesir Üniversitesi [email protected] C. Tuğrul ZEYREK ANAEM [email protected] Fadime ZORLU Gazi Üniversitesi 104