Bölüm 5

9.11.2015
Yarıiletkenler
Yarıiletkenler
 Germanyumun kimyasal yapısı
 Silisyum kimyasal yapısı
Yarıiletken Yapım Teknikleri
 n Tipi Yarıiletkenin Meydana Gelişi
 p Tipi Yarıiletkenin Meydana Gelişi
Yarıiletkenlerde Akım Akışı
Yarıiletken Malzemelerin Üretimleri
Enerji‐Band Diyagramları
1
9.11.2015
Yarıiletkenler
Yarıiletkenler: Elektrik akımını bir değere kadar akmasına izin vermeyen bu değerden sonra sonsuz küçük direnç gösteren maddelerdir.
Yarı iletkenler periyodik cetvelde 3‐5. gruba girerler. İletkenlik bakımından iletkenler ile yalıtkanlar arasında yer alırlar. Normal halde yalıtkandırlar.
Ancak ısı, ışık ve magnetik etki altında bırakıldığında veya gerilim uygulandığında bir miktar valans elektronu serbest hale geçer, yani iletkenlik özelliği kazanır.
Yarıiletkenler
Bu şekilde iletkenlik özelliği kazanması geçici olup, dış etki kalkınca elektronlar tekrar atomlarına dönerler.
Basit eleman halinde bulunduğu gibi laboratuarda bileşik eleman halinde de elde edilir.
Yarı iletkenler kristal yapıya sahiptirler. Yani atomları kübik kafes sistemi denilen belirli bir düzende sıralanmıştır.
Bu tür yarı iletkenler içlerine bazı özel maddeler katılarak da iletkenlikleri arttırılmaktadır.
2
9.11.2015
Yarıiletkenler
Elektronikte yararlanılan yarı iletkenler ve kullanılma yerleri
Adı
Kullanım Yeri
Germanyum (Ge) (Basit)
Diyot, transistör, entegre devre
Silikon (Si) (Basit)
Diyot, transistör, entegre devre
Selenyum (Se) (Basit)
Diyot
Bakır oksit (kuproksit) (CuO) (Bileşik)
Diyot
Galliyum Arsenic (Ga As) (Bileşik)
Tünel diyot, laser, fotodiyot, led
Indiyum Fosfor (In P) (Bileşik)
Diyot, transistör
Kurşun Sülfür (Pb S) (Bileşik)
Güneş pili (Fotosel)
Germanyum
Yarımetalik, yani metal ile ametaller arasında özellikler gösterir. Periyodik cetvelde 4. gruptadır.
Atom numarası 32’dir. YMK yapıya sahiptir.
3
9.11.2015
Germanyum
Germanyum nadir elementlerden olup, yer kabuğunda % 0,0004‐0,0007 oranında bulunur. Yer kabuğunda yoğun olarak bulunmadığından, germanyumun elde edilmesi oldukça zordur. Hiçbir zaman serbest halde bulunmaz.
Silisyum (Silikon)
Silisyum, yeryüzünde en çok bulunan elementlerden biridir. Atom numarası 14'tür. "Si" simgesi ile gösterilmektedir. Camın ana maddesi kum olarak bilinir. Silisyum kumda çok bulunmaktadır.
4
9.11.2015
Silisyum Kovalent Bağ Yapısı
Silisyum ve Germanyum
5
9.11.2015
Galyum ve Arsenik
GaAs Kovalent Bağ Yapısı
6
9.11.2015
Elektronlar ve Oyuklar
Silisyum gibi katkısız bir yarıiletken içerisinde uyarılmış bazı elektronlar, bant değiştirerek iletim bandına girerler ve böylece akım oluşturabilirler.
Silisyum içerisindeki bir elektron band aralığından karşıya geçtiğinde yörünge içerisinde bir boşluk (oyuk) bırakırlar.
Elektronlar ve Oyuklar
Harici bir voltaj etkisi altında malzeme içerisinde elektronlar ve oyuklar hareket edebilir. N‐tipi yarıiletkende katkı maddesi ekstra elektron sağlayarak iletkenliği artırır. P‐tipi yarıiletkende ise katkı maddesi ekstra oyuklar oluşturarak iletkenliği artırır. 7
9.11.2015
N‐Tipi Madde
Germanyum (Ge) (4e)
Antimon (Sb) (5e)
katkılanırsa, 4’er elektron kovalent bağ yapar. 1 elektron da boşta (serbest) kalır. Dış etki uygulanırsa bir elektron akışı meydana gelir.
N‐Tipi Madde
N‐tipi yarıiletken yapıda, yapıya katılan ve elektron vererek pozitif yüklenen katkılama atomları “Donör İyonları” olarak tanımlanır. N‐tipi yarıiletkende çoğunluk taşıyıcılar elektronlardır.

N-tipi yapı içerisinde az miktarda oyuklar da mevcut olabilir.

N-tipi malzeme içerisinde oyuklara azınlık tașıyıcıları adı
verilmektedir.
8
9.11.2015
N‐Tipi Yarıiletken İçerisinde Elektron Akışı
Kristale bir gerilim uygulandığında içindeki serbest hale elektronlar, bataryanın negatif kutbu tarafından itilirler ve pozitif kutup tarafından çekilerek kaynağın (‐) kutbundan (+) kutbuna doğru sürekli bir elektron akışı meydana getirirler.
 Ancak akım yönünün ise (+)’dan (‐)’ye doğru olduğu kabul edilir. P‐Tipi Madde
Germanyum (Ge) (4e)
Indium (ln) (3e) katkılanırsa, Indium atomu komşu Germanyum atomundan 1 elektron alır ve aralarında kovalent bağ oluşur. 1 elektron kaybeden Germanyum atomunda bir elektron boşluğu (oyuk) oluşur. Bu maddeye P‐tipi madde denir.
9
9.11.2015
P‐Tipi Madde
P‐tipi yarıiletken yapıda, yapıya
katılan ve elektron alan katkılama atomları “Akseptör İyonları” olarak tanımlanır.
P‐tipi maddelerde çoğunluk akım taşıyıcısı oyuklardır.  Aynı zamanda bu yapı içerisinde az da olsa serbest elektron
bulunur. Bunlara da azınlık taşıyıcıları adı verilir.
P‐Tipi Yarıiletken İçerisinde Elektron Akışı
Pozitif elektrik yüklü oyuklardır.
P‐tipi madde içerisinde bataryanın pozitif ucundan negatif ucuna doğru, elektronlar ise negatif kutuptan pozitif kutba doğru itilirler. Aslında oyuklar hareket etmemektedir. Oyuklarla elektronlar yer değiştirmektedir.
10
9.11.2015
Yarıiletken Malzemelerin Üretimleri
Germanyum ve Silisyum hammaddeleri tabiatta saf halde bulunmadıkları için öncelikle saflaştırma işlemlerine tâbi tutulurlar. Saflaştırma işlemi için hammaddeler ilk önce bir dizi kimyasal reaksiyon ve bölgesel arıtma işlemine tâbi tutulurlar.
Germanyum ve silisyumun saflaştırma işlemleri farklıdır. Germanyumun Elde Edilmesi
Germanyum gümüş grisi bir geçiş elementidir. Germanyum yerküre kabuğunun yüzde 0.0004 ile 0.0007’sini oluşturur.
Arygyrodite Germanite ve Renierte gibi yaygın olmayan minerallerde bulunur. Germanyumun yarıiletken olarak kullanılabilmesi için öncelikle içindeki yabancı madde oranının 1/100.000.000’un altına düşürülmesi gerekmektedir.
Bunun için bölgesel saflaştırma işlemi yapılır.
11
9.11.2015
Germanyumun Saflaştırılması
Germanyumun saflaştırılmasında en çok uygulanan yöntem "Bölgesel saflaştırma”dır.
Çubuk şekline getirilmiş, yaklaşık 100 gram ağırlığındaki germanyum görüldüğü gibi özel bir pota içerisine konularak, saatte 5‐6 cm 'lik hızla, endüksiyon yolu ile ısıtılan bir fırının içerisinden geçirilir.
Isıtıcı sistem, germanyumun erime derecesi olan 936°C 'ye ayarlanmıştır.
Saf olmayan
Germanyum
çubuk
Saflaştırılmış
Germanyum
çubuk
Isıtıcı bobinin altında eriyen katı yavaşça soğur, saf kristal ayrışır ve yabancı maddeleri erimiş bölgede bırakır. Germanyumun Saflaştırılması
Bu işlem yeniden kristalize edilen katının saflığı istenen düzeye gelene kadar tekrarlanabilir.
Yüzde 99.9999 oranına kadar saflık elde etmek mümkündür.
Bu halde Germanyum henüz polikristaldir ve yarıiletken devre elemanı yapımında kullanılabilmesi için monokristal yapı şeklinde getirilmesi gerekmektedir.
12
9.11.2015
Germanyumun Monokristalizasyonu
Polikristal yapılı Germanyum bir hazne içerisine yerleştirilerek erime derecesine kadar ısıtılır.
Erimiş Germanyum içerisine tohum kristal halindeki Germanyum çubuk yardımıyla daldırılıp yavaş yavaş döndürülerek yukarı doğru çekilir.
Ge kristali
Erimiș Ge
Sonuçta monokristal yapıya sahip bir germanyum kitlesi elde edilmiş olur. 13