11. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı - METU Physics

Transkript

XI. Yoğun Madde Fiziği
Ankara Toplantısı
75. YIL KONFERANS SALONU
3 Aralık 2004
Gazi Üniversitesi
Fen Edebiyat Fakültesi
Fizik Bölümü
Teknikokullar, Ankara 06500
Düzenleme Kurulu:
Prof. Dr. Atilla AYDINLI
(Bilkent Üniversitesi)
Prof. Dr. Yalçın ELERMAN (Ankara Üniversitesi)
Prof. Dr. Şinasi ELLİALTIOĞLU
(ODTÜ)
Prof. Dr. Tezer FIRAT (Hacettepe Üniversitesi)
Prof. Dr. Engin KENDİ (Hacettepe Üniversitesi)
Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK (Gazi Üniversitesi)
XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA
Bu sayfa boş bırakılmıştır.
2
Sunuş
Bu doküman 3 Aralık 2004 tarihinde Gazi Üniversitesinde 75.yıl
konferans salonunda yapılacak olan XI. Yoğun Madde Fiziği Ankara
Toplantısında sunulan çağrılı, sözlü ve poster özetlerini içerir.
Doküman içindeki tüm sunumlar sırasıyla çağrılı, sözlü ve poster
sunumlar olmak üzere üç gruba ayrılmıştır. Her grup içindeki sıralama ilk
yazar soyadına göre alfabetik olarak yapılmıştır.
Bazı özet sahipleri, özetleri ile birlikte anahtar kelime vermeyi uygun
gördüklerinden bu kelimeleri kapsayan dizin doküman sonunda
oluşturulmuştur.
Bu
özet
kitapçığına,
PDF
formatında
http://www.fef.gazi.edu.tr/ymf11.html adresinden ulaşabilirsiniz.
Toplantımıza verdikleri desteklerden dolayı Gazi Üniversitesi Rektörlüğü
ve G.Ü. Fen Edebiyat Fakültesi Dekanlığına teşekkür ederim.
Toplantımıza gösterdiğiniz ilgiden dolayı siz değerli katılımcılara
teşekkür eder, başarılar dilerim.
XI. YMF Ankara Toplantısı
Düzenleme Kurulu adına
Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK
Dökümanı hazırlayan: S. Bora LİŞESİVDİN <[email protected]>
3
İçindekiler
Sunuş.......................................................................................................... 4
İçindekiler..................................................................................................5
Program..................................................................................................... 9
Çağrılı Sunumlar.................................................................................... 10
Ç01: II. Tip Süperiletkenlerde “Pinning” Mekanizması ve Girdap Dinamiği...............................................11
S. Çelebi................................................................................................................................................... 11
Ç02: Küçük Açı X-Işını Saçılması (SAXS) Yöntemi ve Sinkrotron Işını Uygulamaları..............................12
S. İde........................................................................................................................................................ 12
Ç03: İki seviye yaklasiminda problemler ..................................................................................................13
T. Hakioğlu.............................................................................................................................................. 13
Sözlü Sunumlar....................................................................................... 14
S01: III-V Yarıiletkenlerinde Hall Karakterizasyonu için Kantitatif Mobilite Spektrum Analizleri............ 15
S. Acar ve M. Kasap................................................................................................................................ 15
S02: a-Si1-x:Cx:H İnce Filmlerin Optik Sabitlerinin Karbon Oranı ile Ayarlanabilmesi.............................16
B. Akaoğlu, K. Sel, İ. Atılgan and B. Katırcıoğlu................................................................................... 16
S03: Makromoleküler Kristalografi’de X-Işınının Bozucu Etkileri’nin Enerjiye Bağlılığı.......................... 17
M.Aslantaş 1,2, E.Kendi1, V.Stojanoff2................................................................................................ 17
S04: Nd:YAG Puls Lazeri Aracılığıyla büyütülen Si oksitlerinin Yapısal, Kimyasal, Elektiksel ve Optiksel
Özellikleri....................................................................................................................................................... 18
G. Aygun1,*, E. Atanassova2, R. Turan1.............................................................................................. 18
S05: Tungsten (110) Yüzeyine Tutunmuş H Atomu ile CO Molekülünün Çarpışmasında H-Yüzey Bağının
Kopma Olasılığı: Klasik Yoldan İncelemesi..................................................................................................19
Ü. Bayhan, M. Çivi*................................................................................................................................ 19
S06: Au/n-GaAs Schottky Diyot Parametrelerinin H2 Tavlamasına ve Schottky Engel Metalinin
Kalınlığına Bağlı Değişimlerinin İncelenmesi...............................................................................................20
M. Biber, Ö. Güllü, A. Türüt................................................................................................................... 20
S07: Mekanik Öğütme Yöntemi ile Fe3O4 Nanoparçacıkların Sentezi ve Karakterizasyonu......................21
M.M.Can, Ş. Özcan ve T. Fırat............................................................................................................... 21
S08: Sm ve Gd Nadir-Toprak İyonlarının Katkılamasının Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2-xRExCu3O10+y Bileşiğinde
Mıknatıslanma ve dM/dH Dinamik Duygunluğu Üzerindeki Alan Bağımlılığı........................................... 22
A. Coşkun, A. Ekicibil, B. Özçelik, K. Kıymaç....................................................................................... 22
S09: Gd1-xErxMn6Sn6 ve Gd1-xTmxMn6Sn6 İntermetalik Bileşiklerinin Magnetik Faz Geçişlerinin
İncelenmesi.....................................................................................................................................................23
O. Çakır, A. Elmalı, I. Dinçer, Y. Elerman............................................................................................. 23
S10: GaTe Tabakalı Yarıiletkeni Üzerinde İdeal Schottky Diyod Yapılabilirliği: Al/GaTe/In Yapısının
Elektriksel Karakterizasyonu......................................................................................................................... 24
H. Efeoğlu................................................................................................................................................ 24
S11: Ferroelektriklerin Mikroskopik teorisi: KNbO3 ve BaTiO3 kristaline uygulanması............................26
F. Karadağ, A. M. Mamedov...................................................................................................................26
S12: Tb1-xNdxMn2Si2 (0.0≤x≤1.0) Bileşiklerinin Magnetik Özellikleri.................................................... 27
A. Kılıça, S. Kervanb, Ş. Özcanc, A. Gencera........................................................................................ 27
S13: SI GaAs’lı Sistemde Elektriksel Kararsızlıkların Analizi......................................................................28
H. Y. Kurt 1, B. G. Salamov 1* ve T. S. Mammadov 1**....................................................................... 28
S14: Rb/Si(001)-2x1 sisteminin yoğunluk fonksiyoneli çalışması............................................................... 29
E. Mete..................................................................................................................................................... 29
S15: Üstüniletken YBCO’da Ardışık Isıtma ve Soğutmaların Kritik Akıma Etkisi..................................... 30
T. Öncü*, A. Şentürk, B. Kaynar, M. Artuç, Ş. Özcan, T. Fırat............................................................. 30
4
S16: Bi2Sr2CaCu2O8+d Üstüniletkeninde Tek Eklem ve Özgün Josephson Eklem Tünelleme
Spektroskopileri............................................................................................................................................. 31
L. Özyüzer................................................................................................................................................ 31
S17: Kızılötesi dedektör malzemesi MBE-HgCdTe materyalinin düşük sıcaklıkta p-tipine çevrilmesi...... 32
Y. Selamet.................................................................................................................................................32
S18: Derinlik Duyarlı Mikroçentik (DDM) Tekniği İle YBCO Süperiletkenlerinin Mekanik
Karakterizasyonu İçin Yeni Bir Yöntem: Enerji Yaklaşımı.......................................................................... 33
O. Uzun 1, U. Kölemen1, N. Güçlü1, O. Şahin2 ve Z. Akdoğan3.......................................................... 33
S19: D(H)-Kaplanmış Cu(111) Yüzeyi ile H(D) Atomlarının Reaksiyonlarında İzotop ve Sıcaklığın Etkisi..
34
C. D. Vurdu, S. Özçelik* ve Z. B. Güvenç**...........................................................................................34
Poster Sunumlar......................................................................................35
P01: Hazırlanan Al-Ti10W90-nSi Schottky diyotların elektro fiziksel parametrelerinin incelenmesi ........ 36
I.M.Afandiyeva , Sh.S.Aslanov*, L.K.Abdullayeva ve *Ş. Altındal....................................................... 36
P02: (Al-TiW+PtSi)-nSi Schottky diyotlarının hazırlanması ve akım iletim mekanizmalarının incelenmesi
........................................................................................................................................................................ 37
I.M.Afandiyeva, Sh.S.Aslanov , Ş. Altındal*.......................................................................................... 37
P03: SnO2-Bi4Ti3O12-Au yapıların elektriksel karakteristiklerinin incelenmesi........................................38
A.A.Agasıyev, I.M.Afandıyeva , Ş. Altındal*, M.Z.Mamedov................................................................. 38
P04: Karbon oranı ve güç yoğunluğunun PECVD sisteminde büyütülen a-Si1-x:Cx:H ince filmlerdeki
düzensizliklere etkileri................................................................................................................................... 39
B. Akaoğlu, A. Gülses*, İ. Atılgan ve B. Katırcıoğlu..............................................................................39
P05: Al/SiO2/p-Si Schottky engel diyotlarındaki engel yüksekliğinin homojensizliği ............................... 40
Ş. Altındal, H. Kanbur, A. Tataroğlu...................................................................................................... 40
P06: Bi4Ti3O12 Amorf Filmlerin Akım-voltaj ve Kapasitans-Voltaj Karakteristikleri............................... 41
Ş. Altındal1, A. Tataroğlu1, A. Agasiev2................................................................................................ 41
P07: Fenilpridin İzomerlerinin Yapısal Parametreleri İle Elektronik Özelliklerinin Teorik Hesabı............. 42
P08: MgAuSn Bileşiğinin Fonon Dispersiyonu ......................................................................................... 43
N. Arıkan1, G. Uğur2 ve H. M. Tütüncü3.............................................................................................. 43
P09: 1,2,4,5-Tetrakis(2-tersiyer-bütil-4-metilfenoksimetil)benzen Yapısının Kristal ve Moleküler Yapısı....
44
N. B. Arslan, C. Kazak, N. Akdemir*, C. Kantar*, E. Ağar*................................................................. 44
P10: Düzlemsel İkibantlı Süperiletkenler İçin Üst Kritik Manyetik Alanın Anizotropisi...........................45
İ.N.Askerzade, H. Şahin* ........................................................................................................................45
P11: CdS ve Cd0.99Zn0.1S ince filmlerinin optik özellikleri.......................................................................46
A. Ateş, B. Gürbulak, M. Kundakçı, E. Gür, A. Yıldırım Ve M. Yıldırım............................................... 46
P12: Dönmeyen Pdn, n=4-6 Topaklarının Çarpışmasız Buharlaşması: A Moleküler Dinamik İnceleme.... 47
H. Avcı1, M. Çivi1, Z. B. Güvenç2.......................................................................................................... 47
P13: Üç Kuyulu Moleküler Potansiyel Modeli.............................................................................................. 48
S. Aydın* , M. Şimşek**........................................................................................................................ 48
P14: GaAs Üzerinde Oluşturulan Doğal Oksit Tabakalı MIS Yapılarda Sıcaklığa Bağlı Seri Direnç ve
Diğer Bazı Parametreler*............................................................................................................................... 49
Y.Baş1, M.Özer2...................................................................................................................................... 49
P15: Fe71Cr7Si9B13 Amorf Ferromagnetik Tellerin Manyetik ve Magnetoelastik Özellikleri ...............50
N. Bayri*, F. E. Atalay, V.S. Kolat ve S. Atalay..................................................................................... 50
P16: Farklı Sınır Şartlarına Sahip Çoklu Ferroelektrik p-n Eklem Yapısı ................................................... 51
M. S. Bozgeyik1 Ve A. M. Mamedov1,2.................................................................................................. 51
P17: In1-x-yGaxAlyAs/InP(001) Yarıiletken İnce Filmlerde LO Fonon Modlarının Bileşim Oranlarına
Göre İncelenmesi............................................................................................................................................52
M.M. Bülbül1, E.Güç1, SPR Smith2....................................................................................................... 52
P18: Contribution of the Meissner Current to the Magnetostriction in a High Tc Superconductor........... 53
S. Çelebi*, F. İnanır b ve M.A.R. LeBlancc............................................................................................53
P19: PbTe Kristalindeki İç Sürtünme ve Kesme Modülü Özelliklerinin Araştırılması.................................54
O.I.Davarashvili1 , M.I.Enukashvili1, N.P.Kekelidze1, G.Sh.DArsavelidze2, L.L.Gabrichidze2,
E.R.Kutelia2, V.P.Zlomanov3, O.I.Tamanaeva3, T.S.Mamedov4, N.D.Ahmedzade5, A.Bengi4,
L.H.Tecer6 ............................................................................................................................................. 54
P20: CdS, CdSe, CdTe Bileşiklerinin, ab initio Yöntemi ile Bazı Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin
İncelenmesi.....................................................................................................................................................55
E. Deligöz, K. Çolakoğlu.........................................................................................................................55
P21: Fe-Mn-Si Esaslı Bazı Şekil Hatırlamalı Alaşımlara Eşlik Eden Martensite Dönüşüm Sıcaklıklarının
Belirlenmesi....................................................................................................................................................56
5
Ali Doğan, Tahsin Özer ..........................................................................................................................56
P22: Döteryum Molekülü İle Ni55 Atom Topağının Reaktif Olmayan Kanal .............................................57
P. Durmuş*, S.Özçelik*, Z. Güvenç**.................................................................................................... 57
P23: Ag2O Katkılı Bi-(Pb)-Sr-Ca-Cu-O Süperiletkenlerin Manyetik Tepkisi Ve Bazı Süperiletkenlik
Parametrelerinin Belirlenmesi ......................................................................................................................58
İ.Düzgün1 , A.Öztürk2, İ. Karaca3, S. Çelebi2...................................................................................58
P24: Bazı Elementlerin ( Ni ,Pt ) Termoelastik Özelliklerinin Moleküler Dinamik (MD) Simülasyon
Tekniği ile İncelenmesi................................................................................................................................. 59
G. Ferah , K. Çolakoğlu.......................................................................................................................... 59
P25: Ti-Eklenmiş MgB2/Cu Süperiletken Tellerin Düşük Alanlardaki Karakterizasyonu...........................60
A. Gencer1,*, A.Kılıç1, N.Güçlü2, S.Okur3, L.Özyüzer3, İ.Belenli4..................................................... 60
P26: Au/SnO2/n-Si (MIS) Yapıların Elektriksel Karakteristiklerine Frekans ve Radyasyonun Etkisi ..... 61
M. Gökçen, A. Tataroğlu, Ş. Altındal......................................................................................................61
P27: YBCO ve YBCO+ZnO Polikristal Süperiletkenlerinin Sertlik ve Elastik Modulünün Sıcaklık
Bağımlılığı......................................................................................................................................................62
N. Güçlü1, U. Kölemen1, O. Uzun1, Y. Yoshino2 ve S. Çelebi3............................................................ 62
P28: Alttaş Sıcaklığının Kimyasal Püskürtme Yöntemi ile Hazırlanan ZnO İnce Filmlerin Elektriksel ve
Optiksel Özellikleri Üzerine Etkisi............................................................................................................... 63
T. Güngör, N. Kavasoğlu.........................................................................................................................63
P29: İnce Filmlerin Optik Sabitlerinin Belirlenmesinde Genetik Algoritmanın Optik Geçirgenlik
Spektrumuna Uygulanması............................................................................................................................ 64
T. Güngör, B. Saka*............................................................................................................................... 64
P30: Diiyodobis(3-piridin karboksiamit)çinko(II) and trans-diakuabis(piridin-2-karboksiamit)çinko(II)
diyot bileşiklerinin kristal yapılarının incelenmesi.......................................................................................65
S. Güven, H. Paşaoğlu ve O. Büyükgüngör............................................................................................ 65
P31: LEC tekniği ile büyütülen GaSb yarıiletkeninde ‘nicel mobilite spektrum analiz’ tekniğinin
uygulaması .................................................................................................................................................... 66
B. Y. Işık, A. Yıldız, S. Acar ve M. Kasap............................................................................................... 66
P32: Aynı şartlarda hazırlanan ve doğal olarak oksitlenmiş arayüzey yalıtkan tabakaya (SiO2) sahip Al/pSi Schottky diyotlarının engel yüksekliğinin homojensizliği ....................................................................... 67
H. Kanbur, A. Tataroğlu, Ş. Altındal...................................................................................................... 67
P33: Al/SiOx/p-Si Schottky diyotlarda ilave kapasitans, seri direnç ve arayüzey durumların etkisi........... 68
H. Kanbur, A. Tataroğlu, Ş. Altındal...................................................................................................... 68
P34: LEC Tekniği ile Büyütülen S katkılı InAs Yarıiletkeninin Sıcaklık Bağımlı Magneto ve Elektron
İletim Özellikleri.............................................................................................................................................69
İ. Kara, S. B. Lişesivdin, S. Acar ve M. Kasap....................................................................................... 69
P35: Nematik Sıvı Kristallerin Optiksel Yönelimi........................................................................................ 70
R. Karapınar1, M. O’Neill2 ve S. M. Kelly3...........................................................................................70
P36: Polimerik yapılı -siyano-disiyanonikelat(II)- -siyano-trans-bis[N- (hidroksietil) etilendiamin]
kadmiyum(II)..................................................................................................................................................71
G. Kaştaşa, H. Paşaoğlua A. Karadağb ve O. Büyükgüngöra...............................................................71
P37: PrMn2-xNixGe2 Bileşiklerinin XRD, AC susceptibility ve DSC çalışması....................................... 72
S. Kervana, A. Kılıçb, A. Gencerb...........................................................................................................72
P38: LaMn2-xCoxGe2 Bileşiklerinin Düşük Magnetik Alan Karakterizasyonu ........................................ 73
A. Kılıça, S. Kervanb, A. Gencera...........................................................................................................73
P39: Gümüş Kılıflı ve Kılıfsız Yığın Bi-2223 Süperiletken Üzerine Soğuma Hızlarının Etkisi ................. 74
A. Kılıç1, C. Terzioğlu2, Ö. Öztürk2, İ. Belenli2 ve A. Gencer1............................................................74
P40: IV-VI Gurubuna ait Pb(1-x) SnxTe/BaF2’ nin elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi. 75
A. İ. Kılıç, S. Acar M. Kasap ve S. Özçelik............................................................................................. 75
P41: La0.62Bi0.05Ca0.33MnO3 Numunelerde Magnetokalorik Etki..........................................................76
V.S. Kolat, S. Atalay, H. Gencer ve H.İ. Adıgüzel ................................................................................. 76
P42: AlxGa1-xAs/GaAs Kuantum Kuyu Yapısının Büyütülmesi ve X-ışınları Difraksiyonu Ölçümleri.... 77
S. Korçak, H. Gümüş, M.K. Öztürk, H. Altuntaş, A.İ. Kılıç, A. Bengi, T.S. Mamadov, S. Özçelik........ 77
P43: Polipirol/P-Si/Al Diyotunda, Yaşlanmanın Etkisiyle Kaydedilen I-V Ölçümlerinin Değerlendirilmesi
........................................................................................................................................................................ 78
D.Korucu, M.Sağlam Ve A. Turut........................................................................................................... 78
P44: MgB2 Süperiletken Numunesinin Derinlik Duyarlı Mikroçentik Deneylerindeki Yük-Derinlik
Verilerinin Analizi..........................................................................................................................................79
U. Kölemen1, O. Uzun1, M. Aksan2, O. Şahin3 ve N. Güçlü1..............................................................79
P45: 3-Boyutlu Blume-Capel Modelde Soğutma Hızının Etkisi...................................................................80
B. Kutlu, A. Özkan*, N. Seferoğlu**.......................................................................................................80
P46: LEC tekniği ile büyütülen Te-katkılı InSb yarıiletkeninde galvanomagnetik ölçümler....................... 81
6
S. B. Lişesivdin, Ü. Yurdugül, S. Demirezen, S. Acar ve M. Kasap.......................................................81
P47: Succinonitril - %7.5 Ağ. CBr4 Alaşımının Doğrusal Katılaştırılması ve Büyüme Hızı ile Sıcaklık
Gradyentinin Mikroyapı Parametrelerine Etkisinin İncelenmesi ..................................................................82
N. Maraşlıa, K. Keşlioğlua, B. Arslana, H. Kayab ve E. Çadırlıb.........................................................82
P48: Fe-%18Cr-%10Mn-%16Ni ve Fe-%18Cr-%12Ni-%2Mo Alaşımlarının Fonon Dispersiyonu........... 83
M. Özduran1 , İ. Akgün2, G. Uğur2........................................................................................................83
P49: Toz Kırınımı ile Yapı Belirlenmesi ve C23H20N4O3 Molekülünün Kristal Yapısının Toz Kırınımı
Yöntemi ile İncelenmesi ................................................................................................................................84
Ö.Özgen, E. Kendi, S. Koyunoğlu, A. Yeşilada, P. W. Stephens............................................................ 84
P50: MnxMg1-xTiO3 Seyreltilmiş Antiferromagnet malzemesinin Yapısal ve Elektriksel Özellikleri....... 85
B. Özkurt, Atilla Coşkun, A. Ekicibil, B. Özçelik, K. Kıymaç.................................................................85
P51: Yüksek Sıcaklık Süperiletkenlerinde Görülen Ac Kayıp Vadisinin Analizi.........................................86
A.Öztürk1, U.Kölemen2, F.İnanır3, İ.Düzgün3, S.Çelebi1.................................................................... 86
P52: Aşırı soğuk Fr izotoplarının elastik saçılması ...................................................................................... 87
M. K. Öztürk ve S. Özçelik.......................................................................................................................87
P53: Benzothiazol-2-yl-(4-dimethylamino-benzylidene)-amine molekülünün kristal yapısı.................... 88
H. Saraçoğlu, N. Çalışkan, C. Davran, S. Soylu,H. Batı Ve O. Büyükgüngör.......................................88
P54: InxGa1-xAs/GaAs(x=0,15) Süperörgüsü’ nün MBE’ de Büyütülmesi ve Bazı Elektriksel, Optiksel
Özelliklerinin Belirlenmesi............................................................................................................................ 89
B. Sarıkavak, H. Altuntaş, A. Bengi, T.S. Mamedov, S. Özçelik............................................................89
P55: Katlı GaSe’nin Optik Anizotropisinin Fotoışıma ve FTIR spektroskopisi ile incelenmesi.................. 90
A. Seyhan................................................................................................................................................. 90
P56: CoSi2 Bileşiğinin Elektronik ve Titreşimsel Özellikleri....................................................................... 91
F. Soyalp1 , G.Uğur1 ve H.M. Tütüncü2................................................................................................ 91
P57: Au/SiO2/p-Si (MOS) Yapıların Elektriksel Özelliklerinin Frekans ve Sıcaklık Bağımlılığı ............ 92
Adem Tataroğlu, Şemsettin Altındal ...................................................................................................... 92
P58: 3-Feniltiyofen ve 3-(3, 4, 5-Triflorofenil) Tiyofen Moleküllerinin Yapısal, Elektronik ve Lineer
Olmayan Optik Özelliklerinin Teorik Olarak İncelenmesi............................................................................ 93
P59: Kristal Bant Yapılar İçin Lame Potansiyel Modeli Ve Hamilton Jacobi Analizi..................................94
Ö. Yeşiltaş*, M. Şimşek**....................................................................................................................... 94
P60: Ayarlanabilir Optik Özelliklere Sahip Moleküler Kümeler: TTBC Kümelerinin Kontrol Edilebilir
Oluşumu Ve Eksitonik Özellikleri................................................................................................................. 95
H. Yıldırım1, B. Birkan2, D. Gülen 1, S. Özçelik 3................................................................................95
P61: 2-(N’-{4-[3-Metil-3-(2,4,6-Trimetil-Fenil)-Siklobütil]-Tiazol-2-Yl}-Hidrazinometil)-Benzen-1,4DiolEtanol..................................................................................................................................................... 96
Ç. Yüksektepe1, H. Saraçoğlu1, S. Soylu1, İ. Yılmaz2, A. Çukurovalı2, N. Çalışkan1......................... 96
P62: Saf Cu(110) Kristalinin Ultraviole Ters–Fotoemisyon Spektroskopi Sonuçları...................................97
O. Zeybek................................................................................................................................................. 97
P63: Ultraviole Ters–Fotoemisyon Spektroskopi Metodu İle Cu(110) Kristali Üzerinde Na Filmlerinin
İşgal Edilmemiş Bölgedeki Elektron Yapısının İncelenmesi.........................................................................98
O. Zeybek................................................................................................................................................. 98
P64: m-Phenylenediamine Köprülü İki Çekirdekli Cu2(L-m-pda)22H2O, [L = 2-hydroxy-3methoxybenzaldehyde)] Bakır(II) Kompleksinin Kristal Yapısı ve Magnetik Özelliklerinin Yarı-deneysel
Moleküler Orbital Yöntemlerle Analizi......................................................................................................... 99
C. T. Zeyreka, A. Elmalıb, Y. Elermanb ................................................................................................. 99
Dizin....................................................................................................... 100
Katılımcılar............................................................................................102
7
Program
09:00 – 09:15
09:15 – 09:45
09:45 – 10:00
10:00 – 10:15
10:15 – 10:30
10:30 – 11:00
11:00 – 11:15
11:15 – 11:30
11:30 – 11:45
11:45 – 12:00
12:00 – 12:15
12:15 – 13:15
13:15 – 13:45
13:45 – 14:00
14:00 – 14:15
14:15 – 14:30
14:30 – 14:45
14:45 – 15:00
15:00 – 15:30
15:30 – 16:00
16:00 – 16:15
16:15 – 16:30
16:30 – 16:45
16:45 – 17:00
17:00 – 17:15
17:15 – 17:30
17:30 – 17:45
19:00 – 23:00
8
Açılış
Oturum Başkanı: Engin Kendi
Ç01
S01
S02
S03
Çay Arası
Oturum Başkanı: Arsin Aydınuran
S04
S05
S06
S07
S08
Yemek Arası (Kültür Merkezi)
Oturum Başkanı: Raşit Turan
Ç02
S09
S10
S11
S12
S13
Çay Arası
Oturum Başkanı: Atilla Aydınlı
Ç03
S14
S15
S16
S17
S18
S19
Kapanış
Akşam Yemeği (Kültür Merkezi)
Çağrılı Sunumlar
9
Ç01: II. Tip Süperiletkenlerde “Pinning” Mekanizması ve Girdap
Dinamiği
S. Çelebi
Karadeniz Teknik Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Trabzon
61080
Geçiş sıcaklığı (Tc) denilen belirli bir sıcaklığın altında sıfır direnç ve mükemmel
diyamagnetizma davranışı gösteren ve bu sıcaklığın üzerinde normal iletken gibi
davranan bir malzemeye süperiletken adı verilir. 1911 de keşfedilmiştir. Süperiletkenin
normal faza geçmeden taşıyabileceği maksimum akım yoğunluğuna, kritik akım
yoğunluğu (Jc) denir. Bu iki nicelik uygulanan alan arttıkça azalmaktadır. Dolayısı ile
süperiletkenlerin teknolojide uygulanabilirliği, geçiş sıcaklığı , kritik akım yoğunluğu ve
uygulanan alanla birlikte maliyetin optimize edilmesi ile mümkündür. Kritik akım
yoğunluğu, süperiletkenlerde var olan kusurlardan (safsızlıklar, gözenekler,
dislokasyonlar , tane sınırları vb) kaynaklanan çivileme (pinning) mekanizması ile
doğrudan ilişkilidir. Böyle bir kusur girdapların serbest hareketini engeller (sınırlar) yani
pinning yapar. Girdaba (vortex) uygulanan Lorentz kuvveti ,FL=JcxB, pinning
kuvvetinden , Fp , büyük olunca girdap hareket eder. Neticede düzenli bir girdap örgüsü
yerine akı yoğunluğu gradyantını oluşturan bir girdap dağılımı söz konusu olur.Girdap
çivilenmesi (vortex pinning) arttıkça;
(i) girdapların hareketinden ileri gelen enerji kaybı azalır,
(ii) Kritik akım yoğunluğu artar, ve
(iii) magnetizasyon histeresizi genişler ve kalıcı (remnant) magnetizasyon artar.
Bu ise
magnet yapımında önemli bir özelliktir. Magnetler ise parçacık
hızlandırıcılarında ve Magnetik Rezonans Görüntülemede (MRI) kullanılmaktadır.
Birçok teknolojik uygulama ile ilişkili olan pinning mekanizmasının yansıması , çeşitli
deneysel ve teorik yöntemle ele alınacaktır. Teorik hesaplamalarda kritik hal modelleri
Maxwell Denklemi ile birlikte kullanılarak deneysel verilere oldukça iyi uyum
sağlanmıştır. Magnetizasyon , AC alınganlık, akı tuzaklanması, akı çizgilerinin kesişmesi
ve çapraz akışı, magnetik zorlanım (magnetostriction) , ısıl işlemle ortaya çıkan gizli
magnetik moment gibi konular tartışılmaktadır.
10
Ç02: Küçük Açı X-Işını Saçılması (SAXS) Yöntemi ve Sinkrotron
Işını Uygulamaları
S. İde
Hacettepe Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06800,
Beytepe, ANKARA
Küçük açı x-ışını saçılma tekniği, içeriğinde 1-1000 nm boyutlu oluşumlar içeren çeşitli
örneklerin
yapısını incelemede oldukça etkindir. Bu yöntemle jeller, sıvı kristaller, biyopolimerler,
proteinler, nano-kompozit filmler, amorf malzemeler ve kas gibi biyolojik örneklerin
yapıları ile, dış etkiler söz konusu olduğunda, yapı değişiklikleri kolayca
incelenebilmektedir [1-4]. Yöntemin uygulamalarında, bilinen olumlu özelliklerinden
dolayı, son on yıldır, sinkrotron ışınını yaygın olarak kullanılmakta ve kurulan demet
hatlarındaki deneysel donanımlar teknik açıdan, gün geçtikçe daha elverişli hale
getirilmektedir. Böylece, çözeltilerde ve kısmi düzenli yapılarda, milisaniyenin altında
hızla gelişen yapısal değişimler bile incelenebilmektedir.
Bu sunumda, öncelikle, SAXS yöntemi hakkında temel bilgiler verilecek, ardından
sinkrotron ışın kullanılarak yapılan güncel çalışmalardan bahsedilecektir [5]. ELETTRASAXS demet hattı ile kurulan işbirliği çerçevesinde başlatılan ve ön çalışmaları yapılmış
bazı farklı projeler açıklanacaktır. Bu projelerde çalışan bilim adamlarının biyoloji,
kimya, fizik, gıda, tıp, eczacılık gibi farklı bilimsel alanlarda hizmet vermesi, yötemin
yaygın ve çok amaçlı kullanımına bir örnek oluşturmaktadır.
Teşekkür
Sinkrotron ışını gerektiren projeler için maddi ve resmi destek sağlayan ICTP-TRIL
ofisine, ELETTRA-SR merkezine, SAXS demet hattı çalışanlarına ve Hacettepe
Üniversitesine teşekkür ederim.
Kaynaklar
[1] W.Ruland,B.Smarsly, J.Appl.Cryst.(2004), 37, 575-584.
[2] G.Beaucage,H.K.Kammler, S.E.Pratsinis, J.Appl.Cryst.(2004), 37, 643-651.
[3] E.Mathew, A.Mirza, N. Menhart, J. Synchrotron Rad. (2004), 11, 314-318.
[4] K.R.Rao, Current Science (2000) Vol. 79, No.7, 926.
[5] Austrian Small Angle X-ray Scattering (SAXS) Beamline-ELETTRA, Annual Reports
1997-2002.
11
Ç03: İki seviye yaklasiminda problemler
T. Hakioğlu
Bilkent Universitesi, Fizik Bolumu
1980'li yılların başlarından beri tam olarak kanıtlanmadan kullanılan çok seviyeli açık bir
kuantum sistemin yeterince düşük sıcaklıklarda iki seviyeli davranacağı varsayımına
dayanan "iki seviyeli sistem yaklaşımı”ndaki problemler incelenecektir.
12
Sözlü Sunumlar
13
S01: III-V Yarıiletkenlerinde Hall Karakterizasyonu için Kantitatif
Mobilite Spektrum Analizleri
S. Acar ve M. Kasap
Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 06500 Teknikokullar,
Ankara, Türkiye
Manyetik alan bağımlı (0-15 kG) özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri 14 - 350 K sıcaklık
aralığında yapıldı. Manyetik alan bağımlı Hall ve özdirenç ölçümlerinden, elektron ve
deşik yoğunluklarını ve mobilitelerini elde etmek için Kantatif Mobilite Spektrum Analiz
tekniği III-V grup bulk yarıiletkenlerine uygulandı. Bu amaçla LEC tekniği ile büyütülen
Te katkılı InSb, GaSb ve S katkılı InAs kullanıldı. Bireysel bant ve iletim parametreleri
belirlendi. Te ve S katkısının elektron ve magneto iletime etkileri araştırıldı.
Safsızlıkların InAs ve InSb yarıiletkenleri için sıcaklık bağımlı magnetoözdirenç’de iki
çukur oluşturduğu bulundu. GaSb yarıiletkeni için ise Г ve L iletkenlik bandı çukurları
arasındaki enerji farkı hesaplandı.
Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkür
ederiz.
14
S02: a-Si1-x:Cx:H İnce Filmlerin Optik Sabitlerinin Karbon Oranı ile
Ayarlanabilmesi
B. Akaoğlu, K. Sel, İ. Atılgan and B. Katırcıoğlu
Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara 06531, Türkiye
Hidrojenlenmiş amorf silisyum karbon alaşımı (a-Si1-xCx:H) ince filmler hidrojenle
seyreltilmiş çeşitli etilen (C2H4) gaz oranlarında, 30 mW/cm2 ve 90 mW/cm2 güç
yoğunluklarında, plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) sistemiyle cam
tabanlar üzerine büyütülmüştür. İlk olarak, Fourier dönüşümlü kızılötesi geçirgenlik
spektroskopisi ile karbon ve hidrojen atomlarının bağlanma konumlanmaları ve film
içindeki göreli yoğunlukları incelenmiştir. Ardından, görünür/mor ötesi geçirgenlik
spektroskopisi ve bu tekniğe yönelik özel bir çözümleme yazılımı kullanılarak
filmlerdeki karbon oranının ve güç yoğunluğunun kırılma endisi, soğurma katsayısı
(optik yasak enerji aralığı) ve Urbach parametrelerindeki etkileri belirlenmiştir. Bu
çalışmada, kırılma endisinin ve optik yasak enerji aralığının sadece filmlerdeki karbon
oranı ile değiştiği ortaya konmuştur. Böylece karbon oranı ile bu parametrelerin
uygulamaya göre istenildiği gibi ayarlanabileceği belirlenmiştir. Fakat, yüksek güç
yoğunluğundaki filmlerde bulunan Urbach ve eğim parametreleri, yapıdaki artan bir
düzensizliğe işaret etmektedir. Diğer bir deyişle, bu artan düzensizlik söz konusu
filmlerin katkılanmasını ya da etkin katkılanmasını engelleyecek bir olumsuzluktur.
Sonuç olarak, katkılanabilir filmler, büyüme hızını göreli olarak düşürse bile, yapıyı çok
bozmayacak düşük güç yoğunluklarında büyütülmelidirler.
15
S03: Makromoleküler Kristalografi’de X-Işınının Bozucu Etkileri’nin
Enerjiye Bağlılığı
M.Aslantaş 1,2, E.Kendi1, V.Stojanoff2
Fizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Hacettepe Üniversitesi,
06532 Beytepe, Ankara.
2
Brookhaven National Laboratory, National Synchrotron Light Source, Upton
11973, NY, USA.
1
Sinkrotron X-ışını kaynağı, makromoleküler kristal örneklerinin 3-boyutlu yapılarının
tayini ile birlikte biyolojik önemi ve fonksiyonlarının aydınlatılmasında çok önemli bir
rol oynamaktadır. Son yıllarda tasarlanan 3.nesil yüksek akılı X-ışını makromoleküler
ışın yollarının ve yeni deneysel tekniklerin geliştirilmesi, X-ışınına duyarlı ve kısa
ömürlü biyolojik örnekler üzerine önemli derecede bozucu etkilerini de arttırmaktadır.
Kristalograflar, X-ışının makromoleküler kristal örnekleri üzerine bozucu etkilerini
birincil ve ikincil olmak üzere iki sınıfa ayırtmaktadırlar. Birincil bozucu etkiler X-ışını
enerjisine ve akısına, ikincil etkiler ise veri toplama süresine bağlıdır. Günümüzde bu
bozucu etkilerin anlaşılması ve önemli derecede azaltılması için birçok model ve
teknikler geliştirilmesine rağmen, yüksek enerjinin kullanılması ve olumlu etkileri
üzerine yok denilebilecek kadar çalışma yapılmıştır.
Bu nedenle, Sinkrotron X-ışınının makromoleküler kristal örnekleri üzerine doğrudan
bozucu etkilerini araştırmak üzere 2. nesil Sinkrotron Laboratuarı NSLS (National
Synchrotron Light Source) daki X6A ve X17B1 ışın yollarında ve 3.nesil Sinkrotron
Laboratuarı ESRF (European Synchrotron Radiation Facility) deki ID15 ışın yolunda Xışını kırınım deneyleri yapılmıştır. Bu deneylerde, standart test kristal örneği olarak; oda
sıcaklığında Hanging Drop metodu ile kristalleştirilmiş, ağır atom türevli Lysozyme
(HEWL) kristalleri kullanılarak X-ışını kırınım deneyleri, Erbium LIII(8.4keV) ve K
(57.4keV) absorpsiyon kenarlarında yapılarak alçak ve yüksek enerji deneylerinin bir
karşılaştırmasını yapmak üzere, elde edilen X-ışını datalarının analizleri ve yapı
çözümleri yapılmıştır.
16
S04: Nd:YAG Puls Lazeri Aracılığıyla büyütülen Si oksitlerinin
Yapısal, Kimyasal, Elektiksel ve Optiksel Özellikleri
G. Aygun1,*, E. Atanassova2, R. Turan1
Middle East Technical University, Ankara, Turkey
Institute of Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, Sofia 1784,
Bulgaria
1
2
* [email protected]
Nd:YAG lazerin 1064 nm pulsları ile O2 gazı ortamında p-tipi (100) Si pulları
oksitlenmektedir. Lazer ile oksitlenerek elde edilen SiO2 tabakalarının yapısal, kimyasal,
dielektrik, ve elektriksel özellikleri, reflektans spektrası ve kırılma indisi incelenmiştir.
Optiksel kalınlık ve kırılma indisi sonuçlarına göre, 3.36 J/cm2 değerinden daha büyük
lazer gücü ve kullanılan yüksek örnek sıcaklıklarında elde edilen filmlerin özelliklerinin
daha iyi olduğu sonucu ortaya çıkarılmıştır. Buna rağmen, lazer oksitlemesi ile elde
edilen tabakaların kırılma indisi değerleri fırında ısıtılarak büyütülen oksitlerin kırılma
indisi değerinden daha küçüktür. XPS derinlik profil spektrası, oksitlenen tabakanın
yüzeyinde stoichiometric SiO2'nun etkin olduğunu ancak oksit tabakasının derinliklerine
inildiğinde sub-oksitlerın görülmeye başladığını ve ara yüzeyde de (Si−SiO2) suboksitlerin SiO2’ya daha baskın olduklarını ortaya çıkarmaktadır. MOS kapasitör yapıları
aracılığıyla C-V ve G-V ölçümleri yapılmıştır. Ara yüzey durum yoğunluğu ve oksit yük
yoğunluğu değerleri, ısıtılarak büyütülen oksit tabakasının elde edilen değerlerinden daha
büyüktür. Oksitleme parametrelerinin optimize edilmesi ve / veya oksitleme sonrası
fırınlama işlemleriyle, oksit kalitesi daha da iyileştirilebilir.
17
S05: Tungsten (110) Yüzeyine Tutunmuş H Atomu ile CO
Molekülünün Çarpışmasında H-Yüzey Bağının Kopma Olasılığı:
Klasik Yoldan İncelemesi
Ü. Bayhan, M. Çivi*
Hacettepe Üniversitesi, Eğitim Fakültesi, Ankara, Türkiye,
[email protected]
*Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Ankara, Türkiye, [email protected]
CO (gaz) / H(ads) / Tungsten yüzey sisteminde çarpışma ile H-Yüzey bağının kopma
olasılığı klasik yolak yöntemi ile incelendi. İnceleme 0.1-2.0 eV çarpışma enerji aralığı
ve molekül-atom arasındaki etkin potansiyel de 0.2-6.2 eV aralığında gerçekleştirildi.
18
S06: Au/n-GaAs Schottky Diyot Parametrelerinin H2 Tavlamasına ve
Schottky Engel Metalinin Kalınlığına Bağlı Değişimlerinin
İncelenmesi
M. Biber, Ö. Güllü, A. Türüt
Atatürk Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 25240, Erzurum,
TÜRKİYE
Bir yüzeyine ohmik kontak yapılmış n-tipi GaAs III-V yarıiletkeninin diğer yüzeyine,
300C’de H2 ortamında tavlandıktan sonra, vakum ortamında farklı kalınlıklarda (5, 25,
50, 75 ve 100nm) Au buharlaştırılarak Au/n-GaAs Schottky kontaklar elde edilmiştir.
Aynı kalıklara sahip olmak üzere H2 tavlamasız Au/n-GaAs referans Schottky kontaklar
yapılarak, H2 tavlamasının ve Schottky engel metal kalınlığının, diyotların akım-voltaj ve
kapasite-voltaj karakteristikleri üzerine etkileri araştırılmıştır.
19
S07: Mekanik Öğütme Yöntemi ile Fe3O4 Nanoparçacıkların Sentezi
ve Karakterizasyonu
M.M.Can, Ş. Özcan ve T. Fırat
Fizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Hacettepe Üniversitesi,
Beytepe, 06800, ANKARA
Yapılan bu çalışmada, teknolojik uygulamada önem kazanan magnetik Fe3O4 (magnetite)
nanoparçacıkların eldesi, bu parçacıkları sentezlenme yöntemi olan mekanik öğütme
tekniğinin anlaşılması ve geliştirilmesi hedeflenmiştir. Mekanik öğütme tekniği
kullanılarak, demir parçacıkları öğütülerek magnetite nanoparçacıkları sentezlenmiştir.
Sentezleme sırasında, hazne hızı, öğütme süresi ve malzeme/bilye kütleleri oranı gibi
parametrelerin magnetite nanoparçacıkların tanecik boyutuna ve faz oluşumuna etkileri
irdelenmiştir. Öğütme sırasında dikkate alınan parametrelerden, sadece birini
değiştirilerek (diğerleri sabit kalmak koşulu ile) 10nm- 20 nm aralığında magnetite
nanoparçacıkları elde edildiği deneysel olarak gözlenmiştir. Yapılan nanoyapıların yapı
analizi X-ışını toz kırınımı ile, malzemenin magnetik davranışı (histerisis eğrisi) titreşimli
örnek magnetometresi (VSM) ile ve en son olarak ta parçacık büyüklüğü tünelleme
elektron mikroskobu (TEM) ile elde edilmiştir.
Yapılan çalışmada gözlemlenen diğer bir önemli bulgu olarak, parçacık büyüklüğü ile
doyum manyetizasyonu ve artık mıknatıslanma arasında bir ilişki olduğunun
belirlenmiştir.
20
S08: Sm ve Gd Nadir-Toprak İyonlarının Katkılamasının
Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2-xRExCu3O10+y Bileşiğinde Mıknatıslanma ve dM/dH
Dinamik Duygunluğu Üzerindeki Alan Bağımlılığı
A. Coşkun, A. Ekicibil, B. Özçelik, K. Kıymaç
Çukurova Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 01330, Balcalı,
Adana
Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2-xRExCu3O10+y (RE; Gd0.01, Sm0.03) malzemesi için yapılan magnetizasyon
ölçümleri magnetik alanın bir fonksiyonu olarak maksimum uygulanan alan 4kOe
alınarak T<Tc değerleri için 15  T  75 K aralığında farklı sabit sıcaklıklarda
yapılmıştır. Analizler sonucunda üç önemli özellikler gözlenmiştir; birincisi Sm ve Gd
katkılı örnekler için M-H eğrileri benzerdir ve ve her biri belirli bir Hc kritik alan
değerinde bir minimum göstermektedir bu Hc değerinin üzerinde ise monotonik bir
azalma gözlenmektedir. İkincisi, dM/dH dinamik duygunluk değerlerinde artan sıcaklıkla
birlikte süperiletken hacimle bağlantılı olarak bir azalma görülmektedir. Diğer bir değişle
T ile birlikte dM/dH’ deki azalma süperiletken bölgelerin boyutlarındaki bir azalmaya
neden olurken, paramagnetik bölgelerde büyümektedir. Üçüncüsü ise, Artan sıcaklıkla
birlikte Sm ve Gd katkılı her iki örnek içinde histeresiz eğrilerinde hızlı bir azalma
oluşmaktadır ki, bu akı çivileme merkezlerinin varlığını işaret etmektedir. Böylece
sonuçlar gösterdi ki Ca2+Sm3+ ve Gd3+ katkılaması taşıyıcı hol konsantrasyonunda bir
azalmaya neden olmuştur.
21
S09: Gd1-xErxMn6Sn6 ve Gd1-xTmxMn6Sn6 İntermetalik Bileşiklerinin
Magnetik Faz Geçişlerinin İncelenmesi
O. Çakır, A. Elmalı, I. Dinçer, Y. Elerman
Fizik Mühendisligi Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Ankara Üniversitesi, Besevler,
Ankara
RMn6Sn6 seklindeki intermetalik bileşikler (R: nadir yer elementi) hekzagonal HfFe6Ge6
tipinde kristalleşip uzay gurubu P6/mm’dir. Atomlar c ekseni boyunca – Mn-(R,Sn)-MnSn-Sn-Sn-Mn seklinde sıralanırlar. Bu bileşiklerde R ve Mn olmak üzere iki farklı alt
örgü vardır. Magnetik yapı, bu iki alt örgünün etkileşmesi ile belirlenir. Düzlemler arası
Mn momentleri Mn-Sn-Sn-Mn seklinde paralel sıralanırlar. R`nin Gd, Tb, Dy, Ho, Tm
olmasına bağlı olarak, güçlü Mn-R antiferromagnetik çiftlenimi oluşur buda tüm sıcaklık
boyunca ferrimagnetik bir düzenlenişin oluşmasını sağlar. Eğer R; Sc, Y, Lu ise,
RMn6Sn6 bileşiği antiferromagnetik düzenlenişe sahiptir.
Gd1-xErxMn6Sn6 ve Gd1-xTmxMn6Sn6 bileşikleri, x`in farklı değerleri için argon atmosferi
altında arc fırınında üretilmiştir. Rigaku marka D-Max 220 model x-isini toz
kırınımmetresi kullanılarak x-isini kırınım deneyleri yapılıp, Fullprof programı ile,
örneklerin örgü parametreleri bulunmuştur. Elde edilen örnekler 50 Oe`lik düşük
Magnetik alanda sıcaklığa bağlı olarak 5 K ile 350 K sıcaklık aralığında alan soğutmalı
(FC) ve alan soğutmasız (ZFC) DC magnetizasyon ölcümleri alinmistir. Gd1-xErxMn6Sn6
bilesiginde x= 0.8, Gd1-xTmxMn6Sn6 bilesiginde ise x= 0.85 değerleri için farklı yüksek
alanlarda sıcaklığın magnetizasyona bağlı ölçümleri alınıp, bu değerler için 20 kOe de
metamagnetik faz geçişleri gözlenmiştir.
ErMn6Sn6 bileşiği kompleks bir magnetik davranış göstermektedir. 352 K nin altında
antiferromagnetik olarak düzenlenip, 75 K`de ikinci magnetik faz geçişi gerçekleşir.
TmMn6Sn6 bileşiğinde, 347 K ve 60 K` de olmak üzere iki farklı magnetik faz geçişi
vardir. 347`K nin altında Mn alt örgüsü antiferromagnetik olarak düzenlenir. 60 K`nin
altında ise Tm alt örgüsü de düzenlenerek yapı ferrimagnetizmaya gecer. GdMn6Sn6
bileşiğinde Gd ve Mn alt örgülerinin anisotropileri kolay eksen boyuncadır. Gd tüm
sıcaklık boyunca düzenlenip, Mn alt örgüsü ile ferrimagnetik olarak çiftlenir. Gd1xErxMn6Sn6 bileşiğinde x≤ 0.75, Gd1-xTmxMn6Sn6 bileşiğinde x≤ 0.7 degerleri için, güçlü
Mn-Gd antiferromagnetik çiftlenimi bu iki alt örgü arasındaki düzenlenimin
ferrimagnetik olmasına sebep olur. Mıknatıslanma eğrilerinde bu açıkça gözlenmektedir.
Gd1-xErxMn6Sn6 bileşiğinde, x=0.8, Gd1-xTmxMn6Sn6 bileşiğinde ise x=0.85 degerleri
icin, daha zengin magnetik geçişler gözlenmiştir. Bu çalışmada iki nadir yer elementinin
yer değiştirmesi ile R elementine bagli olarak R-Mn ve Mn-Mn çiftlenimlerinin nasıl
değiştiği ve magnetik yapıda nasıl bir değişim olduğu incelenmiştir.
22
S10: GaTe Tabakalı Yarıiletkeni Üzerinde İdeal Schottky Diyod
Yapılabilirliği: Al/GaTe/In Yapısının Elektriksel Karakterizasyonu
H. Efeoğlu
Atatürk Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik-Elektronik Mühendisliği
Bölümü, 25240 Erzurum
Yarıiletkenler üzerinde oluşturulan Schottky diyod (SB) yapılar günümüz teknolojisinde
pek çok uygulama alanı bulmasına rağmen mevcut teoriler ile taşıyıcı iletim mekanizması
kısmen açıklığa kavuşturulmuştur1,2. Deneysel olarak gözlenen I-V karakteristiğinde
yarıiletkenin başlangıçtaki yüzey durumunun etkin olduğu bilinmektedir. Foton emisyon
spektroskopisi (PES), Auger elektron spektroskopisi (AES) ve düşük enerjili elektron
kırınımı (LEED) teknikleri ile SB oluşumunun ilk aşamalarında metal-yarıiletken ara
yüzeyinin kimyasal, yapısal ve elektronik özellikleri hakkında önemli bilgiler
sağlamaktadır3. Termal emisyon teorisine göre I-V-T ölçümlerinde azalan sıcaklıkla
engel yüksekliğinde anormal bir azalma ve idealite faktöründe artış gözlenmektedir.
Azalan sıcaklıkla gözlenen bu anormal davranış SB oluşumunda yarıiletken yüzeyindeki
doymamış bağlar ile de ilişkilendirilmektedir. Vakumda yarılmış kristal üzerinde, yüzeyi
passive edilmiş veya siliside tabanlı SB için I-V karakteristiklerinde ideale yaklaşım
sağlanmıştır.
III-VI grubundaki tabakalı yarıiletkenler, tabakalar arasındaki van der Waals etkileşimi
ile karakterize edilmekte ve bu tabakalar boyunca oluşan yarılma düzlemleri atomik
seviyede düzgün yapıya sahip olabilmektedirler. Herbir atomun tabaka içinde bağlarını
tamamlamaları nedeniyle bu malzemelerde son tabaka yüzeyinde doymamış bağ
bulunmamaktadır ve bunun sonucu olarak yabancı atomlara karşı asal olmaları
beklenmektedir4. Bu bilgiler tabakalı yarıiletkenler üzerinde ideal SB yapıların
fabrikasyonunun yapılabilirliğine işaret etmektedir. Bu beklenti P V Galiy et al4’in InSe,
GaSe ve TlGaSe2 tabakalı kristallerin yüzeyinde N2 ve su buharının adsorblanmadığı
ancak O2’ye karşın zayıf bir aktivitenin gözlendiği çalışması ile de desteklenmektedir.
Almeida5 ise GaTe üzerinde Au, In, Ag ve Al elementlerinin kimyasal reaksiyonları x-ray
fotoelektron spektroskopy kullanılarak incelenmiştir. Bu çalışmada p-GaTe tabakalı
yarıiletkeni üzerinde fabrika edilmiş olan Al/GaTe/In yapılarının I-V-T ölçümlerinin
analizi verilmekte. Veri sonuçları, fabrikasyonu yapılan SB diyotlarının, teorinin
öngördüğü ideal davranışı sergileyebileceğini göstermekte olup p-GaTe yarıiletkeninin
iletkenliğinin yüzeysel alıcılar tarafından kontrol edilerek düşük sıcaklıklarda oluşan seri
direnç etkisi azaltıldığı taktirde, teorik limitlere ulaşılabileceği öngörülmektedir.
Referanslar:
1- R T Tung, Materials Science and Engineering R 35 1-138, 2001
2- W Mönch, Semiconductor Surfaces and Interfaces, Springer-Verlag Berlin Heidelberg New
York 2001
3- N Newman, M van Schilfgaarde, T Kendelwicz, M D Williams and W E Spicer Physical
Review 33(2) 1146-1159 1986
4- P V Galiy, T M Nenchuk and J M Stakhira, J. Phys. D. Appl. Phys. 34, 18-24 2000
5- J Almeida, H Berger, and G Margaritondo, Journal of Appl. Phys. 84(4) 1990-1993 1998
23
24
S11: Ferroelektriklerin Mikroskopik teorisi: KNbO3 ve BaTiO3
kristaline uygulanması
F. Karadağ, A. M. Mamedov
Çukurova Üniversitesi, Adana, [email protected]
Ferroelektriklik Katı hal Fiziği içerisinde en çok çalışılan konulardan birisidir. Bu
çalışmanın amacı ferroelektrik kararsızlığın modellerini tartışmak ve örgü dinamiğinin
mikroskopik teorisi temelinde ferroelektrikliğin titiz formulasyonunu dikkatli bir şekilde
vermektir. Daha sonra bu teoriyi KNbO3 ve BaTiO3 kristallerine uygulamaktır.
Ferroelektrik açıdan aktif olan Nb ve Ti iyonunun yer değiştirmelerine karşı duyarlılık
sergileyen KNbO3 ve BaTiO3 kristallerinde Nb ve Ti yer değiştirmelerine göre içerisinde
bulunduğu adyabatik potansiyel, temel ilkelerden (ab initio) yöntemlerle bulunmuş
diyagonal kuvvet sabitleri belirlenmiştir. Perovskite yapıdaki ferroelektrik KNbO3 yerel
kuvvet sabitlerinin ve potansiyelin kümesel hesabında Hartree-Fock Moleküler OrbitalÖz Uyumlu Alan yöntemi kullanılmıştır.
25
S12: Tb1-xNdxMn2Si2 (0.0≤x≤1.0) Bileşiklerinin Magnetik Özellikleri
A. Kılıça, S. Kervanb, Ş. Özcanc, A. Gencera
Ankara Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 06100-Tandoğan, Ankara
TAEK, Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi, Malzeme Araştırma
Bölümü, 06100-Beşevler, Ankara
c
Hacettepe Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği Bölümü,
Beytepe, Ankara
a
b
Bu çalışmada, Tb1-xNdxMn2Si2 (0.0≤x≤1.0) örneğinin yapısal ve magnetik
karakterizasyonu XRD (X-ray diffraction ), DSC (differential scanning calorimetry), AC
alınganlık ölçümleri ile yapıldı. Bütün bu bileşikler hacim merkezli tetragonal ThCr2Si2
tipi yapıda kristalleşir ve uzay grubu I4/mmm’dir. Birim hücre parametreleri Vegard
yasasına uyarlar. Düşük sıcaklıklarda, nadir toprak alt örgüsü de düzenlenerek Mn alt
örgüsü yeniden şekillenir. x=0.2, x =0.4 ve x =0.6 numunelerinde spinlerin yeniden
yönelim sıcaklıkları tespit edilmiş ve bu numunelerin AC alınganlık eğrilerindeki
çıkıntılar Néel sıcaklığı TN1(Mn) olarak tanımlanmıştır. DSC tekniği kullanılarak
belirlenen bu sistemdeki Néel sıcaklığı TN2(Mn) örnekler Nd konsantrasyonu x'e bağlı
olarak arttıkça lineer azalır. Sonuç olarak magnetik faz geçiş sıcaklıklarından
yararlanılarak x-T magnetik faz diyagramı elde edildi.
26
S13: SI GaAs’lı Sistemde Elektriksel Kararsızlıkların Analizi
H. Y. Kurt 1, B. G. Salamov 1* ve T. S. Mammadov 1**
Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Beşevler 06500
Ankara, Türkiye
* Bakü Devlet Üniversitesi, Fizik Bölümü, Bakü 370145, Azerbaycan
** Azerbaycan Bilimler Akedemisi, Fizik Enstitüsü, Bakü 370143, Azerbaycan
1
N-tipi akım-voltaj karakteristiğine sahip bir yarıiletken sistemi, hem akım hem de
boşalma ışık emisyonunu kullanarak analiz edildi ve böylece SI GaAs da elektriksel
kararsızlıklar gözlenebilmiştir. Bu çalışmada, biri GaAs katotlu (yani b tipi yapı) IR
görüntü çevirici olan iki tip yapının taşıma özelliklerini karşılaştırdık. Sistemin
özelliklerini belirleyen başlıca iki kısım yarıiletken (yani a tipi yapı) ve gaz boşalma
tabakasıdır. Bu durumda a tipi yapı IR görüntü çeviriciden farklıdır; çünkü GaAs
katodun gaz boşalmasına bakan yayınlayıcı yüzeyi ince bir metal filmle kaplanmıştır ve
diğer bir kontak olarak görev yapmaktadır. İki yapıdaki taşıma özelliklerinin benzerliği,
kararsız bölgelerde akım ve boşalma ışık emisyonundaki osilasyonların benzer olduğunu
gösterir. Dolayısıyla, sistemde gözlenen akım-voltaj karakteristiklerini ve boşalma ışık
emisyonunu inceleyerek, gaz boşalma aralıksız bir yapıdaki akım kararsızlıkları hakkında
bilgi sahibi olabiliriz.
Bir yarıiletken sisteminin karmaşık davranışları geniş bir gaz basıncı ve elektrotlar arası
mesafede katodun farklı çapları için deneysel olarak analiz edildi. Kararlı bir voltajla
beslendiğinde, farklı osilasyon genlikli akım ve boşalma ışık emisyonu kararsızlıkları
meydana gelir. Deneysel şartlar altında, elektrotlar arası mesafenin sadece pasif bir rol
oynadığı ve boşalma ışık emisyonundaki karasızlıktan sorumlu olmadığı gösterilmiştir.
Aynı zamanda katodun farklı D çapları için, akım ve boşalma ışık emisyonu geniş bir
bölgede gözlenmiştir.Yaptığımız deneysel çalışma büyük çaplı yüksek – dirençli
yarıiletken plakalardaki elektriksel kararsızlıkları incelemek için yeni bir metot
sunmaktadır.
ederiz.
27
S14: Rb/Si(001)-2x1 sisteminin yoğunluk fonksiyoneli çalışması
E. Mete
Fizik Bölümü, Balıkesir Üniversitesi
Alkali metallerin silikon yüzey üzerinde tutunması yarıiletken yüzeylerin metalizasyonu
için prototip model olarak görülmektedir. Bu çalışmada, norm-koruyan psüdopotansiyeller ile yerel yoğunluk yaklaşımı dahilinde 2x1 simetrisine sahip Si(001)
yüzeyinde 0.5 ve 1 tek-katman kaplama için Rb atomu tutunması probleminin ilk-prensip
toplam enerji yoğunluk fonksiyoneli hesabı yapıldı. Yarım katman kaplamada asimetrik
dimerler oluşmasına karşın 1 tek-katman kaplama için simetrik dimerlerin enerjetik
olarak tercih edildiği bulundu. Hangi tutunma konfigürasyonlarının enerjetik açıdan
daha olası olduğunu tespit etmek için mümkün olan bütün seçenekler çalışıldı. Bu yapısal
özelliklerle birlikte sistemin elektronik bant yapısı ve yüzey durumları incelendi.
Hesapsal sonuçlar mevcut deneysel bulgularla karşılaştırılarak yorumlandı.
28
S15: Üstüniletken YBCO’da Ardışık Isıtma ve Soğutmaların Kritik
Akıma Etkisi
T. Öncü*, A. Şentürk, B. Kaynar, M. Artuç, Ş. Özcan, T. Fırat
*Gıda Işınlama ve Sterilizasyon Bölümü, ANTHAM, TAEK, Sarayköy/Ankara
Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe/Ankara
Bu çalışmada ardışık ısıl çevrimlerin malzemenin transport özelliklerine etkisi araştırıldı.
Standart katı hal reaksiyonu ile hazırlanan Y1Ba2Cu3O7-x yığın süperiletken örneklerin iki
faz içerdikleri X ışınları toz kırınım yöntemi ile, tanecikli yapıda oldukları SEM
fotoğrafları ile tespit edildi. Hazırlanan örneklerin kritik sıcaklığı A.a. direnç-sıcaklık
ölçüm sistemi kullanılarak ölçüldü. Ardışık ölçümler sonucunda, üstüniletken
malzemenin içinde mikro çatlaklar oluştuğu, ölçümler magnetik alan altında yapıldığında
manyetostrüksiyona bağlı olarak mikro çatlakların sayısının daha da arttığı fakat
malzeme oda sıcaklığında bir süre bekletildiğinde bu mikro çatlakların iyileşip yok
olduğu, hazırlanan üstüniletken örneklerin geçmişlerini hatırladıkları ve örneklerin
başlangıç durumuna dönebilmesi için iki ölçüm arasında belirli bir süre (kendine gelme
süresi) kadar bekletilmeleri gerektiği sonucuna varıldı.
29
S16: Bi2Sr2CaCu2O8+d Üstüniletkeninde Tek Eklem ve Özgün
Josephson Eklem Tünelleme Spektroskopileri
L. Özyüzer
İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Fizik Bölümü, İzmir
Optimum ve aşırı dozda oksijen dopingi yapılmış Bi2Sr2CaCu2O8+d tek kristalleri
üzerine tünelleme çalışmaları yapılmıştır. Nokta kontak yöntemi ile üstüniletkenyalıtkan-normal metal (SIN) ve SIS kırma eklemleri ile birlikte özgün Josephson
eklemleride nanoboyuttaki kristallerden elde edilmişlerdir. Bunlara ek olarak 10x10
mikrometre boyutlarında mesa yapı dizileri fotolitografi ve iyon demeti dağlama yöntemi
ile üretilerek, 4.2 K den başlayarak oda sıcaklığına kadar karakterize edilmiştir. Aynı
kristalden elde edilen dört farklı eklem tipinin sanki parçacık pikleri, çukur ve bump
yapıları karşılaştırılmıştır. Sonuçların yüzey spektroskopileri ile karşılaştırılmasında
çukur ve bump yapılarının bulunmadığı görülmüştür. Özgün Josephson eklemlerinden
elde edilen enerji aralığının tek eklem geometrilerinde elde edilenlerde çok daha küçük
olduğu bulunmuştur. Özgün Josephson eklemlerinin, özgün sanki parçacık özellikleri
göstermeyip yerel ısınma ve dengede olmama durumu gösterdiği bulunmuştur. Bu
özellik onların terahertz radyasyon kaynağı ve SQUID olarak uygulamalarında
dezavantaj sağladığından, ısınmayı engelleyecek yeni teknikler önerilmiştir.
30
S17: Kızılötesi dedektör malzemesi MBE-HgCdTe materyalinin
düşük sıcaklıkta p-tipine çevrilmesi
Y. Selamet
İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü
Cıva kadmiyum tellürid (Hg1-xCdxTe) en önemli kızılötesi foton detektör
malzemelerinden birisidir. Bu yarıiletken ile üretilen dedektörler bir çok savunma
silahlarında ve gece görüş uygulamaları için kullanılmaktadır. Moleküler demet
epitaksisi (MBE) ile ve özellikle Si alttaşları üzerine büyütülen HgCdTe malzemesi
2048x2048 formatındaki odaksal düzlem dizilerinde (FPA), çok renkli/spektrumlu
detektörlerde de kullanılmaktadır. Ancak MBE ile büyütülen HgCdTe malzemelerinin ptipi katkılama sorunları bu malzemenin daha ileri, karmaşık detektör yapılarında
kullanımını sınırlamaktadır. Bu karmaşık tasarımlı detektörlerin çalışma sıcaklığının
yükseltilmesi için çok önemlidir.
HgCdTe grup-I ve grup-V elementleri ile p-tipi katkılanabilir. Ancak grup-I
elementlerinin HgCdTe içinde hızlı difüze oldukları, grup-V elementlerinin de amfoterik
karakter gösterdikleri gözlemlenmiştir. Grup-V elementleri ile katkılanan HgCdTe,
genellikle n-tipi davranış göstermekte, p-tipine çevrilebilmesi için yüksek sıcaklıkta
(425-450oC) tavlanması gerekmektedir. Bu tavlama, MBE’nin düşük sıcaklık ile üretim
avantajlarını azaltmaktadır. HgCdTe malzemelerinin düşük sıcaklıkta p-tipine
dönüştürme yolları ile bu malzemenin ve bunlar üzerine yapılan detektörlerin son
durumu incelenecektir.
31
S18: Derinlik Duyarlı Mikroçentik (DDM) Tekniği İle YBCO
Süperiletkenlerinin Mekanik Karakterizasyonu İçin Yeni Bir Yöntem:
Enerji Yaklaşımı
O. Uzun 1, U. Kölemen1, N. Güçlü1, O. Şahin2 ve Z. Akdoğan3
Gaziosmanpaşa Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 60240,
TOKAT
2
Süleyman Demirel Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 32260,
İSPARTA
3
Gaziosmanpaşa Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Matematik Bölümü, 60240,
TOKAT
1
Son yıllarda kullanılmaya başlanan derinlik duyarlı mikroçentik (DDM) tekniği,
geleneksel yöntemlere kıyasla, aletsel ve gözleyiciden kaynaklanan hataları en aza
indirmektedir. Bu avantajının yanı sıra, uygulanan yük ve çentik derinliğinin bilgisayar
kontrollü olarak sürekli ve hassas bir şekilde ölçülebilmesi, çentme (deformasyon)
işleminin enerji karakteristiklerinin belirlenmesine de izin verir. Bu sebeple, DDM
tekniği malzemelerin mekaniksel karakterizasyon çalışmalarında en yaygın kullanılan
yöntemlerden birisi haline gelmiştir [1-4]. Çalışmamızda, saf ve ağırlıkça %1 ZnO katkılı
YBCO seramik süperiletkenlerinin mekaniksel özellikleri, DDM tekniği ile incelendi.
Elde edilen veriler, literatürde yaygın olarak kullanılan yöntemlerden farklı olarak
“çentme işleminde yapılan iş (veya kısaca enerji) yaklaşımı” ile irdelendi. Bu bağlamda,
DDM tekniği ile elde edilen yük (P; N)-çentik derinliği (h; m) grafiklerinde, eğrilerin
altında kalan alanlara karşılık gelen bazı temel enerjiler önerildi. Alanların yeniden
bölümlendirilmesi ile oluşturulabilecek mümkün bütün enerjiler düşünülerek, her bir
alana eşlik edecek altı temel enerji (Mutlak enerji;WM, Toplam enerji;WT, Plastik
enerji;WP, Elastik enerji;WE, W1 ve W2 enerjileri) öngörüldü. Yapılan hesaplamalar
sonucunda, bu enerji terimleri arasında lineer bir ilişki olduğu gözlendi. Ayrıca,
literatürde sertlik ve elastiklik sabiti hesaplamalarında kullanılan çentik derinliğinin,
hacminin veya alanının belirlenmesine gerek kalmaksızın, sadece enerji yaklaşımı
kullanılarak YBCO malzemelerinin sertlik ve elastiklik sabitleri hesaplandı. Yine enerji
yaklaşımının bir sonucu olarak, YBCO süperiletken seramik malzemelerinin mekaniksel
karakterizasyonun da kullanılabilecek bazı sabitler önerildi.
Referanslar
[1] A. E. Giannakopoulos, S. Suresh, Scripta Materialia, 40 10 (1999) 1191-1198.
[2] A. A. Elmustafa, D. S. Stone, Acta Materialia, 50 (2002) 3641-3650.
[3] E. Atar, H. Çimenoğlu, E. S. Kayalı, Surface and Coating Tech., 162 (2003) 167-173.
[4] O. Uzun, U. Kölemen, S. Çelebi, N. Güçlü, Journal of the Euro. Ceramic Soc. (2004)
(Baskıda).
ederiz.
32
S19: D(H)-Kaplanmış Cu(111) Yüzeyi ile H(D) Atomlarının
Reaksiyonlarında İzotop ve Sıcaklığın Etkisi
C. D. Vurdu, S. Özçelik* ve Z. B. Güvenç**
Gazi Üniversitesi, Kastamonu, Türkiye, [email protected]
*Gazi Üniversitesi, Ankara, Türkiye, [email protected]
**Çankaya Üniversitesi, Ankara, Türkiye, [email protected]
Bu çalışmada, Cu(111) yüzeyi üzerine tutunmuş D(veya H) atomlarıyla gaz-fazlı H(veya
D) atomlarının reaksiyon dinamiğinin bir yarı-klasik moleküler dinamik çalışması
yapıldı. 30 K ve 94 K yüzey sıcaklıklarında H(D) --> D(H) + Cu(111) sisteminin
simülasyonunu yapmak için; yüzeyde tutunan D(veya H) atomları 15%, 25% ve 50%
kaplama oluşturacak biçimde Cu(111) yüzeyi üzerinde gelişigüzel yerleştirildi. Bu
sistemin etkileşmesi, bir LEPS fonksiyonu ile hesaplandı. LEPS parametreleri, GGA ve
DFT metodu ile bir ve iki hidrojen atomunun Cu(111) yüzeyi üzerinde farklı yerleşimleri
için hesaplanmış enerji değerleri kullanılarak bulundu. Sıcak-atom ve Eley-Rideal
mekanizması yolu ile oluşan H2, D2, ve HD ürünleri, bu sıcaklıklarda ve kaplama
oranlarında gösterildi. Ürünlere ait dönme, titreşim, toplam ve öteleme enerji dağılımları
için olasılıklar hesaplandı. Ayrıca, yüzeyde tuzaklanma, gelen atomun inelastik saçılması
ve yüzeyde tutunan atomun veya gelen atomun tabakanın içine girmesi gibi çeşitli
oluşumlar analiz edildi. Bu sistemin izotopik yer değiştirme ve yüzey sıcaklığına bağlılığı
incelendi ve sıcak-atom yolunun ürün oluşumundaki önemli katkıları gösterildi.
ederiz.
İlgili Referanslar:
1. Ziya B. Guvenc, Xianwei Sha, and Bret Jackson, J. Chem. Phys. 115, (2001) 1-10.
2. Bret Jackson, Xianwei Sha and Ziya B. Guvenc, J. Chem. Phys. 116, (2002) 1-10.
3. Ziya B. Guvenc, Xianwei Sha, and Bret Jackson, J. Phys. Chem. B 106 (2002) 8342-8348.
33
Poster Sunumlar
34
P01: Hazırlanan Al-Ti10W90-nSi Schottky diyotların elektro fiziksel
parametrelerinin incelenmesi
I.M.Afandiyeva , Sh.S.Aslanov*, L.K.Abdullayeva ve *Ş. Altındal
Bakü Devlet Üniversitesi Fizik Bölümü, 370145, Bakü, AZERBAYCAN
*Gazi Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , 06500, Teknikokullar,
Ankara,TÜRKİYE
Schottky diyotların (SD) elektriksel karakteristikleri metal-yarıiletken ara yüzeyindeki
durumlara oldukça duyarlıdır. Metal bir TiW alaşım film Si yarıiletken üzerine
magnetron püskürtme yöntemiyle oluşturuldu. Sistemlerin mikro yapısı X-ışınlarıyla
incelendi. Al-Ti10W90-nSi sandviç yapı homojen gaz karışımı ortamında sıcaklığa maruz
bırakıldı. Hazırlanan diyot matrisi, alanları 1 х10-6cm2 - 14 х10-6cm2 arasında değişen 14
diyot içermektedir. Yapıların akım-voltaj (I-V) karakteristikleri 300-450 K sıcaklık
aralığında incelendi. Doğru belsem ve ters belsem için akım ifadeleri sırasıyla, If=Isexp
 V ve Ir=Isexp  *V olup  katsayıları  =(30.6 -4.1)V-1 ve  *=(1.79-0.62)V-1 dır.
I-V karakteristiklerinin analizi akım iletiminde yüzey durumlarının etkin olduğunu
gösterdi. Diyotların direnci sıcaklığa bağlı olarak incelendi.
Anahtar Kelimeler:
Ti10W90-nSi Schottky diyotları, elektro fiziksel parametreler, sıcaklığa bağımlılık
35
P02: (Al-TiW+PtSi)-nSi Schottky diyotlarının hazırlanması ve akım
iletim mekanizmalarının incelenmesi
I.M.Afandiyeva, Sh.S.Aslanov , Ş. Altındal*
Ankara,TÜRKİYE
Bu çalışmada hazırlanan (Al-TiW+PtSi)–nSi Schottky diyotların teknolojik
incelenmesinin ve onların elektriksel karakteristiklerinin sonuçları rapor edildi.
Diyotların temel parametreleri akım-voltaj karakteristikleri V>3kT/q için 300-450 K
sıcaklık aralığında hesaplandı. Deneysel sonuçlar, tünel akımının 298-373 K sıcaklık
aralığında ve termiyonik emisyonun ise 373-458 K sıcaklık aralığında etkin olduğu
gözlendi. Tünel akımı parametresi Eoo ve etkin sıcaklık T* değerleri hesaplandı. Engelin
homojen olduğu sonucuna varıldı. Elde edilen deneysel sonuçlar akım iletiminde ilave
taşıyıcı yüklerin olduğu gösterdi. Onların büyüklüğü nanometre mertebesindedir. Metalyarıiletken ara yüzeyinde homojen olmayan yüzey durumları mevcuttur.
Anahtar Kelimeler:
Akım iletim mekanizması, (Al-TiW+PtSi)–nSi Schottky diyotları, sıcaklığa bağımlılık.
36
P03: SnO2-Bi4Ti3O12-Au yapıların elektriksel karakteristiklerinin
incelenmesi
A.A.Agasıyev, I.M.Afandıyeva , Ş. Altındal*, M.Z.Mamedov
Ankara,TÜRKİYE
Bi4Ti3O12 ince filmlerin yüksek kademeli sıcaklık ve geniş kapasiteli özelliklerinden
dolayı araştırmalara temel teşkil etmektedir. Bu çalışmada SnO2-Bi4Ti3O12-Au ince film
yapılarının magnetron püskürtme metoduyla elde edilen elektriksel özelliklerinin
sonuçları sunuldu. Statik akım-voltaj(I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) özellikleri direnç
bağımlılığı dikkate alınarak hem doğru hem de ters ön gerilim altında incelendi. I-V
karakteristiği 0-0.7 V aralığında lineer ve 0.7-1.4 V aralığında ise üstel bir davranış
gösterdi. Doğru ve ters ön gerilim altındaki dinamik özelliklerde incelendi. Hazırlanan
bu yapıların ileri yönde iki engel yüksekliğine sahip olduğu gözlendi. 50 kHz deki C-2-V
eğrisinin eğiminden katkı atomlarının sayısı (Nd) 1.36x1015 cm-3 elde edildi. Potansiyel
engel yüksekliği ve ideal olmama katsayısı elde edildi. Dielektrik sabiti(  `), dielektrik
kayıp(  ``) ve kayıp açı(tan  ) değerleri geniş bir frekans aralığında elde edildi.
Anahtar Kelimeler:
Bi4Ti3O12 ince filmler, dielektrik sabiti, dielektrik kayıp, SnO2-Bi4Ti3O12-Au ince
film
37
P04: Karbon oranı ve güç yoğunluğunun PECVD sisteminde
büyütülen a-Si1-x:Cx:H ince filmlerdeki düzensizliklere etkileri
B. Akaoğlu, A. Gülses*, İ. Atılgan ve B. Katırcıoğlu
Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara 06531, Türkiye
* Poster sunucusu.
Geniş alan elektronikte (düz ekran gösterim gibi) geniş yüzeyli tabanlar üzerine
büyütülmüş çok eklemli iletken, yarıiletken ve yalıtkan ince film yapılara gereksinim
vardır. Plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) sistemleri bu tür geniş
alanda (20-100 cm çaplı), düşük sıcaklıkta, ucuz maliyetli tabanlar üzerine filmlerin
büyütülmesinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Büyütme parametreleri gerektiği gibi
ayarlanmazsa, geniş tabanlar üzerine büyütülen filmlerde düzensizlikler gözlemlenmesi
kaçınılmazdır. Hatta, bu doğrultuda plazma sisteminin mimarisini yeniden oluşturmak
gerekebilir. Bu çalışmada, laboratuar ölçekli (24 cm çaplı) bir PECVD sisteminin
topraklanmış alt elektrotunda cam tabanlar üzerine, hidrojenle seyreltilmiş çeşitli etilen
(C2H4) gaz oranlarında, 30 mW/cm2 ve 90 mW/cm2 güç yoğunluklarında, 8 tür filmden
oluşan hidrojenlenmiş amorf silisyum karbon alaşımı (a-Si1-xCx:H) film takımı
büyütülmüştür. Filmlerin büyüme hızı, kırılma indisi ve optik yasak enerji aralığı
üzerinde etilen gaz oranının ve güç yoğunluğunun etkileri alt elektrotun çapı boyunca
incelenmiştir. 90 mW/cm2 gücünde büyütülen filmler, 30 mW/cm2 gücünde büyütülenlere
göre daha hızlı büyütülse bile, alt elektrotun çapı boyunca büyüme hızında önemli
düzensizliklere yol açmaktadır. Öte yandan, 30 mW/cm2 güç yoğunluğunda üretilen
filmlerin hem biriktirme hızları hem de kırılma indisi ve optik yasak enerji aralıkları
bakımından daha düzenli filmler olduğu tespit edilmiştir. Bu film sabitlerinin alt elektrot
boyunca dağılımı karbon ve hidrojenin büyümedeki etkinliği açısından irdelenmiş ve
yorumlanmıştır.
38
P05: Al/SiO2/p-Si Schottky engel diyotlarındaki engel yüksekliğinin
homojensizliği
Ş. Altındal, H. Kanbur, A. Tataroğlu
Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 06500, Ankara, Türkiye
Yaklaşık 30 Å kalınlığında bir yalıtkan tabakaya sahip Al/SiO2/p-Si diyotların akımvoltaj (I-V) ve kapasitans–voltaj (C-V) karakteristikleri incelendi. Farklı sıcaklıklar için
incelenen I-V verilerinden idealite faktörü 2-1.82 ve engel yüksekliği 0.76-0.85 eV
aralığında bulundu. İdealite faktörünün yüksek değerleri MIS diyotlardaki ara yüzey
durum yoğunluklarının daha yüksek olduğuna atfedildi. I-V verilerindeki değişim
sıcaklık artışı ile sıfır besleme altındaki engel yüksekliğinin artışını (BO) ve kalite
faktöründeki (n) azalmayı açıklar. Ln(Io/T2) - 1/T eğrisi lineer değildir ama Ln(Io/T2) 1/nT eğrisi lineerdir. Sıcaklık ile etkin engel yüksekliğinin değişimini açıklayan bu sonuç
nV’ den elde edildi.V-1/T eğrisi de engel yüksekliklerinin Gaussian
dağılımlarını açıklamak için çizildi. V-1/T eğrisinden engel yüksekliğinin
ortalama değeri(  B ) ve sıfır belsem altındaki standart sapma (  so ) sırasıyla 0.775 eV
ve 0.0975 eV olarak bulundu.
Anahtar Kelimeler :
Sıcaklık bağımlılığı; Engel yüksekliğinin homojensizliği; Gaussian dağılımı; Standard
sapma.
ederiz.
39
P06: Bi4Ti3O12 Amorf Filmlerin Akım-voltaj ve Kapasitans-Voltaj
Karakteristikleri
Ş. Altındal1, A. Tataroğlu1, A. Agasiev2
Gazi Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , 06500, Teknikokullar,
Ankara,TÜRKİYE
2
1
Akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G-V) karakteristikleri
oda sıcaklığında ölçüldü ve elde edilen deneysel sonuçlar Bi4Ti3O12 filmler için ölçülen
literatürdeki diğer ölçümlerle de detaylıca karşılaştırıldı. Kapasitans da simetrik bir yapı
gözlenmesine karşın akım-voltaj (I-V) ölçümleri doğrultucu davranış gösterdi. Bu
sonuçlar, yapısal bozukluklar, BTO kapasitörler deki ara yüzey durumları ve
polarizasyonun varlığına atfedildi. Ara yüzey durumların karakteristik parametreleri oda
sıcaklığında Ec-Ess’nin bir fonksiyonu olarak I-V ölçümlerinden elde edildi. Ara yüzey
durum yoğunluğu Nss ortalama 2x1011 eV-1cm-2 tahmin edildi. İdealite faktörü n doğru
besleme I-V ölçümlerinden 1.5 bulundu. Buna ilaveten, seri direnç Rs oda sıcaklığında
kuvvetli yığılma bölgesindeki kondüktans ölçümlerinden 350  bulundu.
Anahtar Kelimeler:
Bi4Ti3O12 amorf filmler, idealite faktörü, ara yüzey durum yoğunluğu, seri direnç.
ederiz.
40
P07: Fenilpridin İzomerlerinin Yapısal Parametreleri İle Elektronik
Özelliklerinin Teorik Hesabı
H. Alyar, M. Bahat, E. Kasap ve Z. Kantarcı and G. Uğurlu
Gazi Üniversitesi Fizik Bölümü, Ankara, Türkiye
Gaz fazında 2- ,3- ,4-fenil pridin moleküllerinin yapısal parametreleri ile elektronik
özellikleri Hartree-Fock (HF) metodu ve Yoğunluk Fonksiyonu Teorisi (DFT/B3LYP)
hibrit yaklaşımı ile 6-31++G** Temel Seti kullanılarak hesaplandı.Yaptığımız
hesaplamalarda bu moleküllerin yapısal parametreleri olan bağ uzunlukları, bağ açıları,
dihedral açıları ve elektronik özelliklerinden moleküler orbital enerjileri ile dipole
momentlerinin dihedral açıya bağlı değişimleri GAUSSIAN 98W paket programıyla
yapıldı. Her iki metodla yapılan bağ uzunlukları ile ilgili hesaplamalarda iki metot
arasındaki fark çok küçük ve yaklaşık 0.01A° ile 0.02A° aralığındadır. Bağ açılarında ise
fark 1° yi geçmez. Açılar için en büyük sapma yaklaşık 7°-10° halkalar arasındaki dihedral
açılar için elde edildi. Hesaplamalardan elde edilen sonuçlar literatürdeki mevcut
deneysel ve teorik sonuçlarla karşılaştırılması sunuldu.
41
P08: MgAuSn Bileşiğinin Fonon Dispersiyonu
N. Arıkan1, G. Uğur2 ve H. M. Tütüncü3
Gazi Üniversitesi, Kırşehir Eğitim Fakültesi, Kırşehir, Türkiye
Gazi Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Teknikokullar, Ankara, Türkiye
3
Sakarya Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Adapazarı , Türkiye
1
2
Bu çalışmada, MgAuSn bileşiği için lineer tepki yaklaşımında pseudo potansiyel metot
ve yerel yoğunluk yaklaşımı kullanılarak, yapısal ve dinamik özelliklerin hesaplanması
yapılmıştır. Bileşiğin önce örgü sabiti hesaplanmış ve daha önce yapılan teorik ve
deneysel sonuçlarla karşılaştırılmıştır. Hesaplanan örgü sabiti ve yoğunluk fonksiyon
pertürbasyon teorisi kullanılarak MgAuSn için fonon dispersiyon eğrisi çizilmiştir.
42
P09: 1,2,4,5-Tetrakis(2-tersiyer-bütil-4-metilfenoksimetil)benzen
Yapısının Kristal ve Moleküler Yapısı
N. B. Arslan, C. Kazak, N. Akdemir*, C. Kantar*, E. Ağar*
Ondokuz Mayıs Üniversitesi,Fen-Ed. Fakültesi, Fizik Bölümü, Samsun
*
Ondokuz Mayıs Üniversitesi,Fen-Ed. Fakültesi, Kimya Bölümü, Samsun
İncelemiş olduğumuz bu yapı genellikle polisitrin polimerlerinin sentezinde kullanılırlar.
Bu polimerler önemli uygulamaları ve nadir bulunan özellikleri nedeniyle son yıllarda
ilgi çekmişlerdir.
C54H70O4 ‘ün kırınım verileri, Stoe IPDSII difraktometre sisteminde, MoK radyasyonu
kullanılarak  tarama modunda oda sıcaklığında toplandı. Bileşik monoklinik kristal
sistemi ve P21/n uzay grubunda kristallenmiştir. Birim hücre parametreleri a = 10.1833
(9)Ao , b = 21.5350(16)Ao, c =11.5029(11)Ao, = 90.00,  = 107.725(7),  = 90.00, V
= 2402.8(4)(Ao)3 Z = 2. Molekül düzlemsel yapıda oluşmadı. Kristal yapı direkt yöntem
ile Shelxs97 programı kullanılarak çözüldü ve en küçük kareler yöntemi ile Shelxl97
programı kullanılarak arıtıldı. Arıtım sonucunda R = 0.0721 S = 1.040 olarak elde edildi.
43
P10: Düzlemsel İkibantlı Süperiletkenler İçin Üst Kritik Manyetik
Alanın Anizotropisi
İ.N.Askerzade, H. Şahin*
Fizik bölümü, Fen Fakültesi, Ankara Üniversitesi, Beşevler,06100, Ankara
*Cumhuriyet Üniversitesi, Fen Fakültesi,Fizik Bölümü 58140 Kampüs / Sivas
2001 yılında keşfedilen süperiletken magnezyum diborürün ( MgB2 ) kristal yapısının
düzlemsel karaktere sahip olduğu ve bu süperiletkenin iki-bantlı olduğu kabul
görmektedir. Genelleştirilmiş anizotropik iki bantlı Ginzburg-Landau
teorisi
II
kullanılarak üst kritik magnetik alanın anizotropi parametresinin  
H c2

sıcaklığa
H c2
bağımlılığı hesaplanmıştır.
Tek-bantlı Ginzburg-Landau teorisinden farklı olarak
sıcaklık azaldıkça anizotropi parametresi  -nın arttığı tespit edilmiştir. Elde edilen
sonuçların literatürdeki deneysel verilerle (Lyard et. al. Phys .Rev. Lett., 2004)
uygunluğu gösterilmiştir.
44
P11: CdS ve Cd0.99Zn0.1S ince filmlerinin optik özellikleri
A. Ateş, B. Gürbulak, M. Kundakçı, E. Gür, A. Yıldırım Ve M. Yıldırım
Atatürk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü 25240 Erzurum
Spray Pyrolysis methodu kullanılarak CdS ve Cd0.99Zn0.1S ince filmleri büyütüldü.
Büyütülen filmlerin sıcaklığa bağlı olarak optik özellikleri incelendi. Yasak enerji aralığı,
Steepness parametresi ve Urbach enerjisinin sıcaklığa bağlı olarak değişimi
araştırıldı.Yapılan ölçümlerden, yapıya katkılanan Zn’un yasak enerji aralığında ve
Steepness parametresinde bir artışa, Urbach enerjisinde ise bir azalmaya sebep olduğu
görüldü. 10K ve 320K sıcaklıklarında, CdS için yasak enerji aralıkları 2.52 ve 2,44 eV
olarak, Cd0.99 Zn0.1S içinse 2,55 ve 2,48 eV olarak hesaplandı.
45
P12: Dönmeyen Pdn, n=4-6 Topaklarının Çarpışmasız Buharlaşması:
A Moleküler Dinamik İnceleme
H. Avcı1, M. Çivi1, Z. B. Güvenç2
Gazi Üniversitesi Fizik Bölümü, Beşevler, 06500 Ankara, Türkiye
Çankaya Üniversitesi,Elektronik ve İletişim Mühendisliği Bölümü, Balgat, 06530
Ankara, Türkiye
1
2
Pdn, n=4-6 Topaklarının çarpışmasız buharlaşması mikrokanonik moleküler dinamik
bilgisayar simülasyonu ile incelendi. Topaklar embedded-atom potansiyel yüzeyi ile
modellendi. Global buharlaşma hız sabitleri topak büyüklüğü ve iç enerjinin fonksiyonu
olarak analiz ve hesap edildi. Buharlaşma dinamiği kopan parçaların kütle-merkezleri
arasındaki uzaklık ve iç enerji gibi parametrelere göre zamanın fonksiyonu olarak
irdelendi.
46
P13: Üç Kuyulu Moleküler Potansiyel Modeli
S. Aydın* , M. Şimşek**
Gazi Ü. Fen-Ed. Fakültesi Fizik Bölümü,06500-Ankara/TÜRKİYE,
**[email protected], *[email protected]
Genel bir sistem için lineer olmayan hareket denklemi
x(t )  w02 x(t )  g x 3 (t )  ax 5 (t )  0
ile verilmiş ise, sistemin potansiyel enerji fonksiyonu,

V ( x) 

1 2 1 4 1
x  gx  agx 6
2
4
6
uygun parametre aralığında üç kuyulu davranışa sahiptir. Klasik yaklaşımla, söz konusu
kuyulardaki bir parçacığın periyodu eliptik integraller kullanılarak analitik olarak
bulunabilir. Bu çalışmada , potansiyelin üç kuyu davranışı için elde edilen a, g  çiftleri
göz önüne alınarak , iki atomlu bir molekülün denge mesafeleri, kuyu durumlarına
karşılık gelen yay sabitleri, dönü-titreşim sabitleri gibi moleküler etkileşme sabitleri elde
edilmiştir.
Ayrıca, dönü durumları üç-kuyulu potansiyel davranışına sahip olan CH 3CHO
(acetaldehyde), H 3 CCCl 3 , H 3 CNO 2 gibi çok atomlu moleküler sistemlere, Duffing+
gax 5 dinamik sistemi yardımı ile yeni bir potansiyel modeli oluşturulabileceği
tartışılmıştır.
47
P14: GaAs Üzerinde Oluşturulan Doğal Oksit Tabakalı MIS Yapılarda
Sıcaklığa Bağlı Seri Direnç ve Diğer Bazı Parametreler*
Y.Baş1, M.Özer2
Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, ANKARA
Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, ANKARA
1
2
Bu çalışmada 400 m kalınlıklı, (100) yönelimli n-GaAs kimyasal yöntemle temizlenerek
ohmik kontak oluşturulduktan sonra 4 gün süre ile temiz bir ortamda bekletildi ve doğal
oksit büyümesine izin verildi.Oksit üzerine metal (Au %88, Ge %12) buharlaştırılarak
Schottky engeli oluşturuldu. Bu MIS yapıların 150-375 K sıcaklık aralığında akımgerilim ve sığa-gerilim ölçümleri yapılarak bazı parametreleri belirlendi.Engel
yüksekliği, idealite faktörü ve seri direncin sıcaklığa bağlı olarak değiştiği görüldü.
Anahtar Kelimeler:
GaAs, MIS yapılar, Schottky engeli, seri direnç
* Bu çalışma Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri(FEF.05/2003-32) tarafından
desteklenmiştir.
48
P15: Fe71Cr7Si9B13 Amorf Ferromagnetik Tellerin Manyetik ve
Magnetoelastik Özellikleri
N. Bayri*, F. E. Atalay, V.S. Kolat ve S. Atalay
*İnönü Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü Malatya
Amorf ve ısıl işlem görmüş Fe71Cr7Si9B13 tellerin magnetizasyon eğrileri (M-H),
coercivity (Hc), anizotropi sabiti, E etki (Young elastik katsayısının magnetik alanla
değişimi), magnetoempedans (MI) ve stres empedans (SI) etkilerindeki değişimler
incelendi. Yarıçapları yaklaşık 125 m olan amorf Fe71Cr7Si9B13 tellerin kristalleşme
sıcaklıkları DTA sistemi kullanılarak 565 C olarak ölçüldü. Numunelerde üretim
esnasının bir sonucu olarak var olan iç streslerin azaltılması amacıyla, numuneler 0.3 ile
300 dakika arasında değişen zaman aralıklarında ve kristalleşme sıcaklığının altında olan
460 C’ lik sıcaklık değerinde ısıl işleme tabi tutuldu. Numunelerin coercivity değerleri
dc M-H eğrilerinden hesaplandı. Numunelere farklı sürelerde ısıl işlem uygulanmasıyla
coercivity değerlerinin değiştiği belirlendi. 460 C’ de 60 dakikalık ısıl işlem sonucunda,
numunenin coercivity değerinin 1 A/m’ lik minimum bir değere düştüğü ve bu sürenin
üzerindeki ısıl işlem zamanlarında coercivity değerinin yüzey kristalleşmesinden dolayı
belirgin bir şekilde arttığı gözlendi. Amorf ve ısıl işlem uygulanmış numunelerin E etki
ölçümleri, vibrating reed metodu kullanılarak yapıldı ve kısmen yüzey kristalleşmesine
uğramış numune için Young modülündeki maksimum değişim yaklaşık %75 olarak
ölçüldü. Mabnetoempedans ve stres empedans ölçümleri, bilgisayar kontrollü HP 4294A
empedans analizörü ve HP 42941A empedans probu kullanılarak ölçüldü. Isıl işlem
sonucunda iç streslerin büyük ölçüde azaltıldığı numunelerde MI etkinin değişimi 1
MHz’ lik frekans değerinde %200 olarak gözlendi. Ayrıca empedans, uygulanan tork ve
boyuna gerilme streslerinin fonksiyonu olarak da ölçüldü ve tork ile % 150, gerilme
stresi ile % 255 oranında empedans değerlerinde değişim gözlendi.
49
P16: Farklı Sınır Şartlarına Sahip Çoklu Ferroelektrik p-n Eklem
Yapısı
M. S. Bozgeyik1 Ve A. M. Mamedov1,2
Çukurova Üniversitesi Fizik Bölümü, Adana, TÜRKİYE
Çukurova Üniversitesi Fizik Bölümü, Şanlıurfa, TÜRKİYE
1
2
Aynı polarizasyona sahip olmayan eklem ara yüzeylerindeki farklı sınırların tesirlerini
açıklamak için çoklu pn eklem yapısının bazı özellikleri teorik olarak çalışılmıştır. Farklı
eklemlerin sızma bölgelerinde Poisson denklemi çözülerek toplam polarizasyon, elektrik
potansiyeli ve kapasitans ferroelektrik ve paraelektrik fazda hesaplanmıştır. Spontan
polarizasyon yönünün ve oluklu olarak modellenmiş ara yüzey etkilerinin izleri
hesaplarda gözlenmiştir. Bu model özellikle yarıiletken ferroelektrikleri ele almıştır.
50
P17: In1-x-yGaxAlyAs/InP(001) Yarıiletken İnce Filmlerde LO Fonon
Modlarının Bileşim Oranlarına Göre İncelenmesi
M.M. Bülbül1, E.Güç1, SPR Smith2
1
2
Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 06500, Ankara.
Department of Physics, Üniversity of Essex, Colchester, CO4 3SQ, U.K.
Bu çalışmada, MBE yöntemiyle InP(001) alttaşlar üzerine büyültülmüş In1-x-yGaxAlyAs
( x  y  47 %) yarıiletken ince filmlerin birinci dereceden boyuna optik (LO) fonon
modlarının kompozisyonlarına karşılık çizgi genişliği özellikleri çalışıldı. LO modlarının
genişliği ve asimetrikliği bir bağlaşım Gausyen fonksiyonu olan ‘uzaysal bağlaşım’
modeli kullanılarak açıklandı.
ederiz.
51
P18: Contribution of the Meissner Current to the Magnetostriction
in a High Tc Superconductor
S. Çelebi*, F. İnanır b ve M.A.R. LeBlancc
a
Department of Physics, Faculty of Science and Arts, Karadeniz Technical
University, 61080 Trabzon, Türkiye
b
Department of Physics, Rize Faculty of Science and Arts, Karadeniz Technical
University, Rize, Türkiye
c
Department of Physics, University of Ottawa, Ottawa, Ontario, Canada K1N6N5
* Corresponding author.e-mail, [email protected] fax. 90-462-3253195
We show that the magnetostriction hysteresis curves, measured at different temperatures
by Chabanenko et al [Supercond. Sci. Technol. 11 (1998) 1181] in a La1.85Sr0.15CuO4
single crystal, can be well reproduced by exploiting the critical state framework proposed
by Ikuta et al [Phys.Rev.Lett.70, (1993) 2116] to describe this phenomenon in high Tc
superconductors, provided that the role of the Meissner current circulating at the surface
of the crystals is taken into account.
Keywords:
Magnetostriction, Meissner current, reversible Abrikosov diamagnetism, critical current,
flux pinning, surface barrier, surface sheath.
52
P19: PbTe Kristalindeki İç Sürtünme ve Kesme Modülü
Özelliklerinin Araştırılması
O.I.Davarashvili1 , M.I.Enukashvili1, N.P.Kekelidze1, G.Sh.DArsavelidze2,
L.L.Gabrichidze2, E.R.Kutelia2, V.P.Zlomanov3, O.I.Tamanaeva3,
T.S.Mamedov4, N.D.Ahmedzade5, A.Bengi4, L.H.Tecer6
Tiflis Devlet Üniversitesi,
Tiflis Metalurji ve Malzeme Enstitüsü,
3
M.V.Lomonosov adına Moskova Devlet Üniversitesi ,
4
Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü,
5
Azerbaycan Milli Bilimler Akademisi Fizik Enstitüsü,
6
Zonguldak Karaelmas Üniversitesi
1
2
Cr ile katkılı ve katkısız PbTe kristalinde iç sürtünme ve kesme modülü 650 ºC ye kadar,
düşük frekanslarda ölçülme yöntemi ile incelenmiştir.Katkılı PbTe kristali katkısız ile
karşılaştırıldığında oda sıcaklığındaki kesme modülünün 2.5 kat ve elastikiyet sınırının
5-6 kat daha büyük olduğu ilk defa saptandı.
53
P20: CdS, CdSe, CdTe Bileşiklerinin, ab initio Yöntemi ile Bazı
Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin İncelenmesi
E. Deligöz, K. Çolakoğlu
Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü
Bu çalışmada II – VI yarıiletkenlerinden CdS, CdSe ve CdTe bileşiklerinin (Zinc blende
yapı) bazı yapısal ve elektronik özellikleri SIESTA (ab initio /LDA ) program paketi
kullanılarak hesaplanmıştır. İlk adımda enerji-hacim, örgü sabiti, basınç-hacim, basınçentalpi değişimleri, bulk modülü ve bulk modülünün basınç türevi (dB/dp ) hesaplamaları
yapılmış, daha sonra durumlar yoğunluğu (density of state ) ve elektronik band yapılarına
ait eğriler elde edilerek bulunan sonuçlar deneysel ve başka teorik değerlerlerle
karşılaştırılmıştır.
54
P21: Fe-Mn-Si Esaslı Bazı Şekil Hatırlamalı Alaşımlara Eşlik Eden
Martensite Dönüşüm Sıcaklıklarının Belirlenmesi
Ali Doğan, Tahsin Özer
KSÜ, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Avşar Kampusu, 46100,
Kahramanmaraş.
Bu çalışmada çoklu lineer regresyon metodu kullanılarak, bazı demir esaslı şekil
hatırlamalı alaşımların kompozisyon yüzdelerine ilişkin datalar yardımıyla, martensite,
austenite başlama sıcaklıkları ve sıcaklık hysteresislerinin kompozisyonel bağımlılıkları
için yeni ampirik “As = 516 - 5.27 Mn + 6.4 Si - 2.60 Cr - 12.4 Ni + 160 Ce - 108 Ti 220 N Ms = 245 - 5.78 Mn + 38.7 Si - 6.09 Cr - 5.07 Ni + 139 Ce - 145 Ti - 395 N AsMs = 271 + 0.51 Mn - 32.3 Si + 3.49 Cr - 7.35 Ni + 21.4 Ce + 37.7 Ti + 175 N”
bağıntıları elde edilmiştir. Demir esaslı bazı şekil hatırlamalı alaşımlar için elde edilen
değerler deneysel sonuçlarla karşılaştırılmış ve deneysel değerlerle uyum içerisinde
olduğu görülmüştür.
55
P22: Döteryum Molekülü İle Ni55 Atom Topağının Reaktif Olmayan
Kanal
P. Durmuş*, S.Özçelik*, Z. Güvenç**
*Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06500 Teknikokullar-Ankara
**Çankaya Üniversitesi, Bilgisayar Mühendisliği Bölümü, 06530 Balgat-Ankara
Ni55+D2(vi=0,ji=0) çarpışma sisteminin yarı klasik simülasyon sonuçları detaylı bir
şekilde sunulmuştur. Atom topağının yapıları embedded-atom potansiyeli tarafından,, D2
ve Nin arasındaki etkileşim LEPS (London-Eyring-Polanyi-Sato) fonksiyonu tarafından
elde edildi. Bu analiz D2’nin rölatif öteleme enerjisini ve etki parametresinin fonksiyonu
olarak bozunmadan saçılmaya uğrayanların olasılıklarını içerir. Ni55 ile D2’nin reaktif
olmayan etkileşmesinde ilginç özellikler bulmayı bekleriz.
ederiz.
56
P23: Ag2O Katkılı Bi-(Pb)-Sr-Ca-Cu-O Süperiletkenlerin Manyetik
Tepkisi Ve Bazı Süperiletkenlik Parametrelerinin Belirlenmesi
İ.Düzgün1 , A.Öztürk2, İ. Karaca3, S. Çelebi2
Karadeniz Teknik Üniversitesi, Rize Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü,
53100, Rize
2
Karadeniz Teknik Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü,
61080,Trabzon
3
Niğde Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 51200, Niğde
1
Bi-(Pb)-Sr-Ca-Cu-O yüksek sıcaklık süperiletken malzemenin elektriksel ve magnetik
özelliklerine Ag2O ilavesinin etkisi araştırıldı. AC alınganlık ölçümleri çeşitli alan
genliklerinde çeşitli frekanslarda sıcaklığın fonksiyonu olarak gerçekleştirildi. Ag2O
miktarının artması ile taneler arası kritik akım yoğunluğunun Jcm azaldığı
gözlendi.Tanelerin etkin hacimsel kesri fg bulunduktan sonra Kritik Hal Modelleri ile
yapılan hesaplamalar ve deneysel verilerin karşılaştırılması sonucunda, taneler arasında
dolaşan kritik akım yoğunluğunun alan ve sıcaklık bağlılığı belirlendi. Tanelerin
hacimsel kesrinin çalışılan üç süperiletken malzemede, uygulanan alana göre değişimi ve
Ag2O miktarına göre değişimi araştırıldı. Her bir numunenin AC alınganlık verilerinin
frekans bağlılığından aktivasyon enerjisi tahmin edildi.
57
P24: Bazı Elementlerin ( Ni ,Pt ) Termoelastik Özelliklerinin
Moleküler Dinamik (MD) Simülasyon Tekniği ile İncelenmesi
G. Ferah , K. Çolakoğlu
Gazi Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü
Bu çalışmada, Modifiye Morse potansiyeline dayalı klasik Embedded–Atom Metod
(EAMD) simülasyon tekniği ile Ni ve Pt elementlerinin sıcaklık, basınç, Etop, örgü
sabiti,
vs’nin MD adım sayısı ile değişimleri, P –V davranışı, ergime sıcaklığı ve
statik/dinamik elastik sabiti hesaplamaları yapılmış, elde edilen sonuçlar mevcut deneysel
ve teorik değerlerle kıyaslanmıştır.
58
P25: Ti-Eklenmiş MgB2/Cu Süperiletken Tellerin Düşük Alanlardaki
Karakterizasyonu
A. Gencer1,*, A.Kılıç1, N.Güçlü2, S.Okur3, L.Özyüzer3, İ.Belenli4
Fizik Bölümü, Ankara Üniversitesi
Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Tokat
3
Fizik Bölümü, İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, İzmir
4
Fizik Bölümü, Abant Izzet Baysal Üniversitesi, Bolu
1
2
Bu çalışmada, powder-in-tube (PIT) tekniği kullanılarak Cu tüplerinin içerisine toz
MgB2 ile birlikte 0-20 % oranında Ti eklenmiş süperiletken MgB2/Cu tellerinin üretimi
ve düşük alanlardaki magnetik özellikleri incelenmiştir. Farklı Ti oranlarındaki
numunelerin düşük alan karakterizasyonu AC alınganlık ölçümleri ile gerçekleştirilmiştir.
Bu ölçümlerden, katkılandırılmamış MgB2/Cu telinin diamagnetik geçiş sıcaklığı 37.8 K
olarak bulunmuş ve ölçülen temel harmonik alınganlık ve AC kayıplar Bean modeli
sonuçları ile karşılaştırılmış ve nitel olarak uyumlu olduğu tespit edilmiştir. Ti katkısının
kritik akım yoğunluğu (Jc) üzerine etkisi alınganlık sonuçlarından yararlanılarak
açıklanmıştır.
59
P26: Au/SnO2/n-Si (MIS) Yapıların Elektriksel Karakteristiklerine
Frekans ve Radyasyonun Etkisi
M. Gökçen, A. Tataroğlu, Ş. Altındal
Ankara,TÜRKİYE
İnce bir yalıtkan tabakaya sahip (17 Å) metal-yalıtkan-yarıiletken (MIS) yapılar, bir 60Co
radyasyon kaynağıyla radyasyona tabi tutuldu ve elektriksel özellikleri radyasyondan
önce ve sonrası için incelendi. MIS yapı 0 V gerilim altında 0-5x105 Gy doz aralığında γ
radyasyonuna maruz bırakıldı. Seçilen örnek MIS1 numunesinin ara yüzey durum
yoğunluğu düşük frekans-yüksek frekans metoduyla hesaplandı. Kapasitans ve
kondüktans ölçümleri 200 Hz-2 MHz frekans aralığında yapıldı. MIS yapının seri
direncinin voltaj, frekans ve radyasyon dozuna bağlı olarak değiştiği gözlendi. C(f)-V ve
G(f)-V eğrileri, etkin radyasyon tarafından üretilen kusurlardan dolayı oldukça
etkilenmekte olduğu gözlendi. Seri direnç artan radyasyon dozuyla artmaktadır. Sonuçlar
tetikleme voltaj kaymasının radyasyon doz hızına ve frekansa kuvvetlice bağlı olduğunu
göstermektedir. Buna ilave olarak ara yüzey durumlarının (Nss) azalan frekansla arttığı
gözlendi.
Anahtar kelimeler:
 -ışını, elektriksel karakteristikler, MIS yapı, radyasyon etkileri, seri direnç.
ederiz.
60
P27: YBCO ve YBCO+ZnO Polikristal Süperiletkenlerinin Sertlik ve
Elastik Modulünün Sıcaklık Bağımlılığı
N. Güçlü1, U. Kölemen1, O. Uzun1, Y. Yoshino2 ve S. Çelebi3
Gaziosmanpaşa Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü,60240,Tokat
Iwate Üniversitesi Japon Society for the Promotion of Science, 4–3–5 Moroika
020–8551, Japonya
3
Karadeniz Teknik Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü,61080,
Trabzon
1
2
Malzemelerin mikromekanik özellikleri analitik modeller veya deneysel olarak, derinlik
duyarlı mikroçentik (DDM) ölçümü ile belirlenebilir [1, 2]. Bu çalışmada, YBCO ve
YBCO+1%ZnO polikristal süperiletkenleri için, maksimum 4,9 N’ luk kuvvet altında ve
40 ile 243 K sıcaklığı arasında Vickers mikrosertlik testi yapıldı. Sertlik ve elastik
modülünün belirlenmesinde, uygulanan yük (P) ile yer değiştirme (h) eğrilerinden
hesaplanan enerjiler (toplam, plastik ve elastik enerji) kullanıldı. Sıcaklık azaldıkça
sertlik ve elastik modülünün arttığı gözlendi. Bununla birlikte, malzemenin özelliklerini
karakterize edebilecek bazı özel sabitler, toplam enerji sabiti (νT), plastik enerji sabiti
(νP), elastik enerji sabiti (νE) ve toplam, plastik elastik enerjiler arasındaki sabitler (νPT,
νET, νEP) önerildi.
Referanslar
[1] U. Kölemen, S. Çelebi, Y.Yoshino, A .Öztürk Physica C 406 (2004) 20-26.
[2] O. Uzun, U. Kölemen, S. Çelebi, N. Güçlü, Journal of the Euro. Ceramic Soc. (2004)
(Baskıda)
Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2003 K 120510) teşekkür
ederiz.
61
P28: Alttaş Sıcaklığının Kimyasal Püskürtme Yöntemi ile Hazırlanan
ZnO İnce Filmlerin Elektriksel ve Optiksel Özellikleri Üzerine Etkisi
T. Güngör, N. Kavasoğlu
Hacettepe Üniversitesi Fizik Mühendisliği Bölümü, Beytepe Ankara-06800.
Bu çalışmada Kimyasal Püskürtme (KP) tekniği ile saydam alttaşlar üzerine hazırlanan
ZnO saydam iletken oksit ince filmlerin elektriksel ve optiksel özelliklerinin alttaş
sıcaklığına (250-400C) bağlı değişimlerinin incelenmesi amaçlanmıştır. Elde edilen
deneysel veriler ve X-ışını kırınım desenlerinden yararlanılarak KP tekniği ile ZnO ince
film üretimi için en uygun alttaş sıcaklığı belirlenecektir.
62
P29: İnce Filmlerin Optik Sabitlerinin Belirlenmesinde Genetik
Algoritmanın Optik Geçirgenlik Spektrumuna Uygulanması
T. Güngör, B. Saka*
Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi , Beytepe-Ankara 06800
*Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, BeytepeAnkara 06800
Bu çalışmada Genetik algoritma (GA) ile görünür ve yakın infrared bölgesindeki optik
geçirgenlik spektrumu kullanılarak saydam alttaşlar üzerine biriktirilmiş ince filmlerin
optik sabitlerinin hesaplanması amaçlanmıştır. Bu metot, optik geçirgenlik spektrumunu
kullanan diğer iteratif yöntemlere göre
global minimum bulma yaklaşımını
kullanmaktadır. Yöntemin geçerliliği teorik ve deneysel olarak elde edilmiş optik
geçirgenlik spektrumları kullanılarak test edilmiştir.
63
P30: Diiyodobis(3-piridin karboksiamit)çinko(II) and trans-diakuabis
(piridin-2-karboksiamit)çinko(II)diyot bileşiklerinin kristal
yapılarının incelenmesi
S. Güven, H. Paşaoğlu ve O. Büyükgüngör
Ondokuzmayıs Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik
Bölümü,Samsun,Türkiye
Çinko metali biyolojik organizmalarda oldukça bol bulunan ve enzimatik reaksiyonlarda
önemli rol oynayan bir elementtir. Nikotinamit ilaç endüstrisinde farmakolojik öneme
sahip olan bir bileşiktir.
Çinko merkezli kompleksler pikolinamit(pa; piridin-2-karboksiamit) ve nikotinamit(na;
3-piridin karboksiamit) ligandları kullanılarak hazırlandı. Kristal yapıları x-ışını kırınım
tekniğiyle belirlendi. Yapı analizleri çinko metal iyonunun [Zn(pa)2(H2O)2]I2
kompleksinde oktahedral çevreye sahipken, ZnI2(na)2 kompleksinde bozunmuş
tetrahedral çevreye sahip olduğunu göstermektedir. Pikolinamit ligantı piridinin N ve
karbonil grubunun O atomlarıyla ,nikotinamit ligantı ise piridinin N,karbonil grubunun O
ve amid grubunun N atomlarıyla koordinasyona katılmaktadır. ZnI2(na)2 kompleksinde
iyot atomu Zn metaline bağlanarak koordinasyona katılırken, [Zn(pa)2(H2O)2]I2
kompleksinde serbest iyon halinde bulunmaktadır.
Kristal paketlenmeden sorumlu etkileşimler, [Zn(pa)2(H2O)2]I2 kompleksi için zayıf
hidrojen bağları ve …  etkileşmeleri iken, [Zn(pa)2(H2O)2]I2 kompleksi için ise
hidrojen bağları ve Pi-ring etkileşmeleridir.
(a)
(b)
ŞEKİL: (a) ZnI2(na)2 kompleksinin, (b) [Zn(pa)2(H2O)2]I2 kompleksinin
gösterimi
64
ORTEPIII
P31: LEC tekniği ile büyütülen GaSb yarıiletkeninde ‘nicel mobilite
spektrum analiz’ tekniğinin uygulaması
B. Y. Işık, A. Yıldız, S. Acar ve M. Kasap
Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500
Ankara, Türkiye.
LEC tekniği ile büyütülen n-tipi Te katkılı GaSb numunesinde, manyetik alan bağımlı
özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri 14- 350K sıcaklık aralığında yapıldı. Ölçüm sonuçları
nicel mobilite spektrum analiz tekniği ile analiz edildi. Sıcaklık bağımlı bireysel bant
parametreleri (µГ, µL µhh, µlh, nГ, nL,,nhh and nlh) ve Г ve L vadileri arasındaki enerji farkı
hesaplandı.
ederiz.
65
P32: Aynı şartlarda hazırlanan ve doğal olarak oksitlenmiş arayüzey
yalıtkan tabakaya (SiO2) sahip Al/p-Si Schottky diyotlarının engel
yüksekliğinin homojensizliği
H. Kanbur, A. Tataroğlu, Ş. Altındal
Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 06500, Ankara, Türkiye
İncelenen Al/p-Si Schottky diyotlar (33 adet) aynı çeyrek ince silikon yarıiletken
üzerinde hazırlandı. Bu diyotların deneysel olarak ileri öngerilimde akım-gerilim (I-V)
ve 1 MHz frekans ile ters öngerilim uygulanarak elde edilen kapasitans-gerilim (C-V),
iletkenlik-gerilim (G-V) karakteristiklerinden etkin Schottky engel yüksekliği (B),
idealite faktörü (n), ara yüzey durumlarının yoğunluğu (Nss) ve seri direnç (Rs)
hesaplandı.B, n, Nss ve Rs için hesaplanan değerler sırası ile 0.66 - 0.74 eV, 1.74 2.87, 0.565x1013 - 1.17x1013 eV-1 cm-2 ve 623 - 4900  arasında değişmektedir. C-V
karakteristiklerinden elde edilen B, 0.656 - 1.118 eV arasında değişmektedir. İdealite
faktörlerindeki bu yüksek değerler, ara yüzey durum yoğunluğunun ve metal ile
yarıiletken arasındaki yalıtkan tabaka kalınlığının yüksek olduğunu göstermektedir. Ara
yüzeydeki yalıtkan tabaka kalınlığının artırılması ile etkin Schottky engel yüksekliği ve
ara yüzey durumları azalırken idealite faktörünün artığı bulundu. Artan frekans ile ilave
kapasitansın azaldığı gözlendi. Bu gözlem Schottky engel yüksekliğindeki
homojensizliğin, içerisinden akım geçirilen metal-yarıiletken kontak (MS) yapılarda da
oldukça etkili olabileceğini gösterdi.
Anahtar Kelimeler :
Schottky engel homojensizliği; idealite faktörü; ara yüzey durumları; Yalıtkan tabaka;
seri direnç.
ederiz.
66
P33: Al/SiOx/p-Si Schottky diyotlarda ilave kapasitans, seri direnç ve
arayüzey durumların etkisi
H. Kanbur, A. Tataroğlu, Ş. Altındal
Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 06500, Teknikokullar,
Ankara, Türkiye
Al/SiOx/p-Si Schottky diyotların oda sıcaklığında akım-gerilim karakteristikleri
incelendi. Ayrıca kapasitans-gerilim ve iletkenlik–gerilim (C-V ve G-V) ölçümleri geniş
bir frekans aralığında (100 Hz -1 MHz ) çalışıldı. Ara yüzey durumların enerji dağılımı
(Nss) ileri öngerilim altında I-V ölçümlerinden Nss  1013 cm-2eV-1 elde edildi. Nss için
bu yüksek değerler ideal olmayan I-V ve C-V karakteristiklerinden kaynaklanmaktadır.
C-V ve G-V ait frekans dağılımları ara yüzey durumlarına bağlı olarak açıklanabilir.
Özellikle düşük frekanslarda , Nss a.c sinyali ve ilave kapasitansı takip edebilir.
Anahtar Kelimeler:
İlave kapasite; ara yüzey durumları; Seri direnç; gerilim bağımlılığı; frekans bağımlılığı.
ederiz.
67
P34: LEC Tekniği ile Büyütülen S katkılı InAs Yarıiletkeninin Sıcaklık
Bağımlı Magneto ve Elektron İletim Özellikleri
İ. Kara, S. B. Lişesivdin, S. Acar ve M. Kasap
Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar,06500
Ankara, Türkiye.
LEC tekniği ile büyütülen n-tipi S katkılı InAs yarıiletkeninde özdirenç, magneto
özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri sıcaklığın (14 K – 350 K) ve manyetik alanın (0 – 13.5
kG) fonksiyonu olarak ölçüldü. Sıcaklık bağımlı özdirenç ölçümleri lineer ve kuvvet
modelleri kullanılarak analiz edildi. LEC tekniğinin doğasından ve S katkılamadan
kaynaklanan safsızlık seviyeleri sıcaklık bağımlı magneto özdirenç katsayısında 30 K ve
180 K civarlarında belirgin iki minimum oluştuğu gözlendi. Düşük sıcaklık bölgesindeki
minimum, S katkısından ve orta sıcaklık bölgesindeki minimum, LEC tekniğindeki C ve
Zn safsızlıklarından kaynaklanan bu iki tip safsızlık seviyesinden gelen elektron
saçılmalarıyla ilişkilidir.
ederiz.
68
P35: Nematik Sıvı Kristallerin Optiksel Yönelimi
R. Karapınar1, M. O’Neill2 ve S. M. Kelly3
Fizik Bölümü, Yüzüncü Yıl Üniversitesi, 65080 Van, Türkiye
Department of Physics, University of Hull, Hull HU6 7RX, UK
3
Department of Chemistry, University of Hull, Hull HU6 7RX, UK
1
2
Sıvı kristal (SK) göstergelerin üretiminde ilk olarak moleküler düzeyde düzgün yönelimli
ince filmlerin elde edilmesi gereklidir. Bu amaç için genel olarak sürtme yöntemi
kullanılmaktadır. Ancak, sürtme işlemi levha yüzeylerinde toz ve elektrostatik yük
oluşumuna neden olmakta ve bu durum göstergelerdeki ince film transistor elemanlarına
zarar vermektedir. Yine oluşan SK yönelimin eş-eksenli özelliği nedeniyle, bu tür
göstergelerde sınırlı bir görüş açısı sorunu ortaya çıkmaktadır. Böylece düzgün yönelimli
ince SK filmlerin oluşumuna yönelik olarak çeşitli yeni yöntemlerin geliştirilmesi son
zamanlarda gittikçe artan bir ilgiye neden olmaktadır. Bu çalışmada, SK moleküllerin
ince fotopolimer yüzeyler üzerindeki yönelimi inceleme konusu edilmektedir. Üzerlerine
çizgisel kutuplanmış mor ötesi lazer ışığı gönderilen fotopolimer filmlerde bir optiksel
anizotropinin ortaya çıktığı gözlenmiş ve bu optiksel anizotropi lazer ışığının ışıma
süresine bağlı olarak incelenmiştir. Bu tür fotopolimer filmlerle kaplı iletken levha
yüzeylerinde SK moleküllerin belirli bir optik eksen boyunca yöneldikleri deneysel
olarak belirlenmiş ve moleküllerin levha yüzeyindeki bağlanma enerjisi hesaplanmıştır.
Bu yöntem kullanılarak büklümlü nematik SK göstergenin yapımı gerçekleştirilmiştir.
69
P36: Polimerik yapılı -siyano-disiyanonikelat(II)- -siyano-transbis[N- (hidroksietil) etilendiamin] kadmiyum(II)
G. Kaştaşa, H. Paşaoğlua A. Karadağb ve O. Büyükgüngöra
Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 55139,
Kurupelit, Samsun
b
Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen Fakültesi, Kimya Bölümü,60250, Tokat
a
Siyano grubunun merkez konumundaki bir çok atomu bağlama yeteneği, çeşitli molekül
gruplarının yada süper moleküllerin hazırlanmasında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Siyano kompleksler, iyon değiştirici, moleküler elek yada gaz depolayıcı maddeler olarak
kullanıldığı gibi gazların ayrılmasında, seyreltik çözeltilerden gümüş iyonunun
toplanmasında ve radyoaktif atık sulardan radyoaktif sezyum atomunun soğurulmasında
da kullanılmaktadır. Özellikle kadmiyum ve nikel ile hazırlanan siyano-köprülü bileşikler
örgü boşluklarında küçük organik molekülleri hapsederek ev-sahibi misafir sistemleri
oluşturabilmektedir. Diğer taraftan hetero-nükleer bir boyutlu siyano bileşikler, spin
dinamiği çalışmaları için oldukça uygundur. Paramagnetik merkez atom içeren ve çeşitli
boyutlara sahip siyano komplekslerin magnetik çalışmaları da yapılabilmektedir. Bu
özellikleri nedeniyle siyano kompleksler son yıllarda bir çok çalışmaya konu olmuştur.
Bu
çalışmada,
catena-poli[[-siyano-1:22C:N-disiyano-12C-trans-bis[N-(2hidroksietil)etan-1,2-diamin-22-N,N]kadmiyum(II)nikel(II)]--siyano-1:222C:N],
[CdNi-(CN)4(C4H12N2O)2], bileşiği sentezlenerek yapısı kırmızı-altı spektroskopisi ve xışını kırınım tekniği ile aydınlatıldı. 2,2-CT tipi zincir yapıya (bir boyutlu zig-zag) sahip
olan polimerik kompleks, kare-düzlem geometrili Ni(CN)4 anyonu ile Cd(hidet-en)2
(hidet-en = hidroksietiletilendiamin) katyonundan oluşmaktadır. Kadmiyum atomu, iki
katlı eksen üzerinde bozunmuş bir oktahedral çevreye sahipken, kare düzlem geometrili
Ni atomu molekülün inversiyon merkezinde bulunmaktadır.
Şekil : [CdNi-(CN)4(C4H12N2O)2] bileşiğinin ORTEP(III) gösterimi
70
P37: PrMn2-xNixGe2 Bileşiklerinin XRD, AC susceptibility ve DSC
çalışması
S. Kervana, A. Kılıçb, A. Gencerb
Malzeme Bölümü ANAEM, TAEK
a
b
Bu çalışmada, PrMn2-xNixGe2 (0.0≤x≤1.0) örneğinin yapısal ve magnetik
tipi yapıda kristallenir ve uzay grubu I4/mmm’dir. Mn yerine Ni atomlarının gelmesi,
birim hücre parametresi c ve birim hücre hacminin lineer azalmasına sebep olurken x’in
küçük değerlerinde ferromagnetik davranıştan antiferromagnetik davranışa geçmesine
sebep olur. x =0.8 ve x =1.0 numunelerinde Néel sıcaklıkları sırasıyla 33 K ve 35 K
olarak tespit edilmiştir. Mn’nın yerine magnetik olmayan Ni atomunun yerleşmesi
Moleküler alan kuvvetini azaltarak Curie sıcaklığının azalmasına neden olur. Sonuç
olarak magnetik faz geçiş sıcaklıklarından yararlanılarak x-T magnetik faz diyagramı elde
edildi.
71
P38: LaMn2-xCoxGe2 Bileşiklerinin Düşük Magnetik Alan
Karakterizasyonu
A. Kılıça, S. Kervanb, A. Gencera
Malzeme Bölümü ANAEM, TAEK
a
b
Bu çalışmada, LaMn2-xCoxGe2 (0.0≤x≤1.0) örneğinin yapısal ve düşük alan magnetik
tipi yapıda kristallenir ve uzay grubu I4/mm’dir. Mn yerine Co atomlarının gelmesi,
birim hücre parametreleri ve birim hücre hacminin lineer azalmasına sebep olurken
düşük Co konsantrasyonlarında numuneler ferromagnetik davranış gösterirler. Sonuç
olarak magnetik faz geçiş sıcaklıklarından yararlanılarak x-T magnetik faz diyagramı elde
edildi.
72
P39: Gümüş Kılıflı ve Kılıfsız Yığın Bi-2223 Süperiletken Üzerine
Soğuma Hızlarının Etkisi
A. Kılıç1, C. Terzioğlu2, Ö. Öztürk2, İ. Belenli2 ve A. Gencer1
Ankara Üniversitesi, Fizik Bölümü Ankara
Abant İzzet Baysal Üniversitesi,, Fizik Bölümü Bolu
1
2
Bu çalışmada, aynı koşullarda Gümüş kılıflı ve kılıfsız olarak hazırlanan Bi-2223
süperiletken malzemeleri aynı sıcaklıkta tavlandıktan sonra sırasıyla 10 oC/h, 25 oC/h, 50
o
C/h, 75 oC/h ve 100 oC/h gibi soğuma hızlarına tabi tutularak hazırlanmıştır. Bu
malzemelerin süperiletken özellikleri elektriksel direnç ve AC alınganlık ölçümleriyle
araştırıldı. Elde edilen sonuçlarla soğuma hızlarının gümüş kılıflı ve kılıfsız Bi-2223
numuneleri üzerindeki etkileri incelendi ve bu iki tür numune arasında süperiletkenlik
özelliklerine göre karşılaştırma gerçekleştirilmiştir.
73
P40: IV-VI Gurubuna ait Pb(1-x) SnxTe/BaF2’ nin elektriksel
özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
A. İ. Kılıç, S. Acar M. Kasap ve S. Özçelik
Gazi Üniversitesi, Fen –Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 06500 Teknikokullar,
Ankara, Türkiye
Bu çalışmada IV-VI yarıiletken gurubundan, İndisleri x=0,2 ve 0,22 olan çok küçük bant
aralığına sahip Pb(1-x) SnxTe/BaF2 yarıiletkeninin elektriksel özellikleri incelenmiş ve Pb(1x) SnxTe/BaF2 malzemesinin sıcaklığa bağımlı olarak özdirenç, ‘mobilite’ ve taşıyıcı
yoğunluklarının analizleri yapılmıştır.Sıcaklığa bağımlı özdirenç hesaplamalarında
‘gruneissen-block’ denkleminden faydalanılmış ,Yine sıcaklığa bağımlı mobilite
hesaplamalarında yüksek sıcaklıklarda akustik fononlar tarafından saçılma
mekanizmasının =A.T- bağıntısıyla baskınlığı gözlenmiştir.
ederiz.
74
P41: La0.62Bi0.05Ca0.33MnO3 Numunelerde Magnetokalorik Etki
V.S. Kolat, S. Atalay, H. Gencer ve H.İ. Adıgüzel
İnönü Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü Malatya
La0.67Ca0.33MnO3 ve La0.62Bi0.05Ca0.33MnO3 kompozisyonlarına sahip polikristal
numuneler, standart katıhal reaksiyon yöntemiyle yüksek saflıkta La2O3 , CaCO3 , MnO
ve Bi2O3 çıkış bileşikleri kullanılarak üretildi. LaCaMnO yapısına Bi katkılanarak
oluşturulan perovskite yapının magnetik ve magnetokalorik davranışlarındaki
değişiklikler incelendi. Üretilen perovskite yapıdaki numunelerin yapısal
karakterizasyonu X-ışınları toz kırınımmetresiyle incelenerek örgü sabitleri 3.863 A ve
3.8586 A olarak hesaplandı. Böylece La yerine Bi katkılanmasının yapının genel
karakterizasyonu üzerinde önemli bir değişikliğe neden olmadığı belirlenerek, Bi
katkılamanın sadece yapının örgü sabitinde bir miktar azalmaya neden olduğu sonucuna
ulaşıldı. Numunelerin grain büyüklükleri taramalı LEO-EVO-40 elektron mikroskobu
(SEM) kullanılarak ölçüldü. Buna göre 1200 C lik ısıl işlem altında üretilen
La0.62Bi0.05Ca0.33MnO3 polikristal numunesinin grain büyüklüklerinin 4 m ile 10 m
arasında olduğu, La0.67Ca0.33MnO3 poli kristal numunesi için ise aynı grain büyüklüklerine
ancak 1400C lik ısıl işlemle ulaşılabildiği belirlendi. Böylece LaCaMnO perovskite
yapıya Bi katkılamanın, yapının oluşturulması için gerekli olan ısıl işlem sıcaklığı
üzerinde olumlu bir etkiye sahip olduğu bulunmuş ve küçük konsantrasyon oranında
(x=0.05) katkılanan Bizmutun ısıl işlem sıcaklığını yaklaşık olarak 200C düşürdüğü
belirlenmiştir. Numunelerin magnetik ve magnetokalorik davranışları, Crygenic, Q3398
vibrating sample magnetometre (VSM) kullanılarak incelendi. Magnetizasyonun
sıcaklığa bağlılığı (M-T) eğrileri kullanılarak La0.67Ca0.33MnO3 ve La0.62Bi0.05Ca0.33MnO3
polikristal numunelerin Curie sıcaklıkları (Tc) sırasıyla yaklaşık 269K ve 248K olarak
ölçüldü ve Bi katkılamanın Curie sıcaklığını bir miktar düşürdüğü belirlendi. M-H
eğrileri kullanılarak numunelerin magnetik entropi değişimleri farklı magnetik alan
değerleri için hesaplandı. Curie sıcaklığı civarında ve 1 Teslalık magnetik alan değişimi
altında Bi katkılanmış numunenin maksimum magnetik entropi değişimi SM=3.5
J/kg.K olarak hesaplandı ve sonuç olarak perovskite yapıya Bi katkılamanın
magnetokalorik özellikler açısından olumlu bir etki yaptığı gözlendi.
75
P42: AlxGa1-xAs/GaAs Kuantum Kuyu Yapısının Büyütülmesi ve Xışınları Difraksiyonu Ölçümleri
S. Korçak, H. Gümüş, M.K. Öztürk, H. Altuntaş, A.İ. Kılıç, A. Bengi, T.S.
Mamadov, S. Özçelik
Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü T.Okullar-Ankara
Yüksek kalitede AlxGa1-xAs/GaAs kuantum kuyulu (QW) yapı SEMICON VG80H model
MBE makinesinde büyütüldü. Bu yapıda Zn ile katkılanmış (100) yönelimli p-tipi GaAs
alttaş üzerine 0,5  m kalınlığında GaAs tampon tabaka, x=60 için 1  m kalınlığında
Be katkılı p-tipi Al0.6Ga0.4As tabaka, 0,15  m kalınlığında x=60’dan 20’ye monoton
olarak değişen AlxGa1-xAs tabaka, 50Å kalınlığında katkılanmamamış GaAs kuantum
kuyusu ,0,15  m kalınlığında x=20’den 60’a değişen AlxGa1-xAs tabaka, x=60 için 1 
m kalınlığında Si katkılı n-tipi Al0.6Ga0.4As tabaka ve 0,25  m kalınlığında Si katkılı ntipi GaAs tabakası büyütülerek tekli kuantum kuyulu (QW) lazer diyot yapısı
oluşturuldu. Sonuçların testi için tabaka kalınlıkları X-ışınları difraksiyonu ve LEPTOS
simülasyon programı ile analiz edildi.
Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2003K120470-15)
teşekkür ederiz.
76
P43: Polipirol/P-Si/Al Diyotunda, Yaşlanmanın Etkisiyle Kaydedilen
I-V Ölçümlerinin Değerlendirilmesi
D.Korucu, M.Sağlam  Ve A. Turut 
Gazi Üni., Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara, Türkiye,
[email protected]
*Atatürk Üni., Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Erzurum, Türkiye,
[email protected]
*Atatürk Üni., Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Erzurum,Türkiye,
[email protected]
Bu çalışmada, kendi araştırma laboratuarında ürettiğimiz polipirol/p-Si/Al diyotunun
idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnci gibi karakteristik parametrelerinde
yaşlanmanın
etkisiyle
görülen
değişimlerin
bir
değerlendirilmesi
yapılmaktadır.Polipirol/p-Si/Al diyotunun I-V eğrileri 7,15,30,60 ve 90 gün sonra
kaydedilerek karakteristik parametrelerin geçen zaman sürecindeki değişimi farklı bir
bakış açısıyla araştırılmaya çalışılmıştır.Ayrıca bu çalışmada diyotun doğru belsem I-V
verileri kullanılıp Cheung fonksiyonları yardımıyla dV d ln I   I grafiğinden elde


edilen numunenin idealite faktörü ve seri direnç değerleri ile H I   I grafiğinden
bulunan seri direnç değerlerinin birbiriyle uyum gösterdiği görülmüştür. Benzer şekilde
doğru besleme I-V grafiğinden elde edilen engel yüksekliği değerleri ile Cheung
fonksiyonları metoduyla bulunan engel yüksekliği değerlerinin de birbirine yakın
değerler olduğu görülmüştür. Ancak doğru belsem I-V grafiğinden elde edilen idealite
faktörü değerlerinin Cheung fonksiyonları metoduyla hesaplanan idealite faktörü
değerlerinden küçük olduğu görülmüş ve bunun nedenleri incelenmeye çalışılmıştır.
Diyotumuzda
yaşlanmanın etkisiyle I-V karakteristiklerinin zamanla iyileştiği
gözlenmiştir. Bu durum, kimyasal olarak hazırlanan yarıiletken üzerindeki ince oksit
tabakasının varlığıyla açıklanmaktadır. Yarıiletken ile polimer arasındaki dipol ortadan
kaybolduğu zaman kararlı değerlere ulaşmak mümkündür.
77
P44: MgB2 Süperiletken Numunesinin Derinlik Duyarlı Mikroçentik
Deneylerindeki Yük-Derinlik Verilerinin Analizi
U. Kölemen1, O. Uzun1, M. Aksan2, O. Şahin3 ve N. Güçlü1
Gaziosmanpaşa Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü,60240, Tokat
İnönü Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 44069, Malatya
3
Süleyman Demirel Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 32260,
Isparta
1
2
Bu çalışmada, MgB2 süperiletken numunesinin mekaniksel özelliklerini karakterize
etmek için dinamik ultra-mikroçentik deney tekniği kullanıldı. Numunenin yük-yer
değiştirme eğrileri farklı maksimum yük değerleri için elde edildi. Bu eğrilerin uygulanan
yükün kaldırılmasına (unloading) karşılık gelen kısımları, Oliver-Pharr metodu
kullanılarak analiz edildi. Yapılan hesaplamalar sonucunda, hem sertlik (H ), hem de
etkin (reduced) modülün (Er) uygulanan yüke bağlı olarak değiştiği (çentik boyut etkisi;
ISE) gözlendi. Diğer bir yandan MgB2 süperiletkeninin çentik deformasyonu davranışını
belirlemek için hf/hmax değerleri kullanıldı. Her bir ölçüm için bulunan ortalama hf/hmax
deneysel değerlerinin literatürde belirtilen kritik değer (0,7)’ den daha düşük olduğu
gözlendi. Bu sonuç ise, MgB2 süperiletken numunesinin işlem sertleşmesi davranışı
gösterdiğini ortaya koydu.
Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2003K120510)teşekkür
ederiz.
78
P45: 3-Boyutlu Blume-Capel Modelde Soğutma Hızının Etkisi
B. Kutlu, A. Özkan*, N. Seferoğlu**
Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Ankara, Türkiye, [email protected]
*
Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Ankara, Türkiye,
[email protected]
**
Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Ankara,
Türkiye,[email protected]
Bu çalışmada 3-boyutlu Blume-Capel modelin basit kübik örgüdeki üçlü kritik davranışı
Creutz algoritmasını[1] temel alan Cellular Automaton algoritması[2] ile incelendi.
Bugüne kadar yaklaşık metotlar ve simülasyon teknikleri kullanılarak yapılan çalışmalar,
Blume- Capel modelin 2 ve 3-boyutta üçlü-kritik noktaya sahip olduğunu göstermiştir [36]. Bu çalışmalardan, faz geçişinin ikinci dereceden birinci dereceye dönüştüğü, üçlükritik noktanın tespitinin oldukça güç olduğu ve bu noktanın belirlenmesinde yarı kararlı
durumların ortaya çıkarılmasının önemli bir etkiye sahip olduğu görülmektedir. Üçlü
kritik noktanın belirlenmesinde, “soğutma” işlemi yaygın olarak kullanılmaktadır [7-10].
Bu çalışmada, soğutma hızının yarı kararlı durumların oluşumu üzerindeki etkisi
incelendi. Bu amaçla, modelin D/J –kT/J faz uzayında üçlü kritik nokta civarındaki D/J =
2.8, 2.84, 2.9 parametreleri için L=20 örgüsünde kritik davranışı farklı soğutma hızları
kullanılarak incelendi. Modelin ikinci derece faz geçiş bölgesindeki D/J = 2.8
parametresinin kritik davranışı üzerinde soğutma hızının herhangi bir etkiye sahip
olmadığı, üçlü-kritik bölgede yer alan D/J = 2.84 parametresinde, soğutma hızına bağlı
olarak kritik davranışın, ikinci derece faz geçişinden birinci derece faz geçişine
dönüştüğü görülmektedir. Birinci derece faz geçiş bölgesindeki D/J = 2.9 parametre
değerinde ise, soğutma hızı artarken, düşük sıcaklık bölgesinde görülen düzenin “++”
dan “00”a dönüştüğü tespit edilmiştir. Bu durum, üçlü-kritik nokta civarında soğutma
hızının kritik davranış üzerinde büyük etkiye sahip olduğunu göstermektedir.
Referanslar
[1] M. Creutz,Ann. Phys. 167,62(1986)
[2] B. Kutlu, Int. J. of Mod. Phys. C12,1401(2001)
[3] M. Deserno, Phys. Rev. E56, 5204(1997)
[4] T.W. Burkhardt, H.J.F. Knops, Phys. Rev. B15,1602(1977)
[5] A. F. Siqueira, I. P. Fittipaldi, Physica A138,592(1986)
[6] S. Grollan, E. Kierlik, M. L. Rosinberg, G. Tarjus, Phys. Rev. E63,041111(2001)
[7] S. B. Ota, S. Ota, J of Cond. Matt.,12,2233(2000)
[8] C. Chatelain, B. Berche, W. Janke, P. E. Berche, Phys. Rev. E64,036120(2001)
[9] A. Falicov, A. N. Berker, Phys. Rev. Lett.,76,4380(1996)
[10] I. Puha, H. T. Diep, J. of Mag. Matt.,224,85(2001)
79
P46: LEC tekniği ile büyütülen Te-katkılı InSb yarıiletkeninde
galvanomagnetik ölçümler
S. B. Lişesivdin, Ü. Yurdugül, S. Demirezen, S. Acar ve M. Kasap
Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500
Ankara, Türkiye.
LEC tekniği ile büyütülen, n-tipi Te katkılı InSb yarıiletkende özdirenç, magnetoözdirenç
ve Hall etkisi ölçümleri sıcaklığın (14-350K) ve manyetik alanın (0-1.35 T) fonksiyonu
olarak yapıldı. Ölçüm sonuçları geleneksel ve nicel mobilite spektrum analizi teknikleri
kullanılarak analiz edildi. Analiz sonuçlarından; LEC kristal büyütme tekniğinden ve Te
katkısından kaynaklanan safsızlık seviyelerinin, magneto ve elektron iletim özelliklerine
şiddetli bir etkisi olduğu bulundu. Sıcaklık bağımlı manyeto özdirenç katsayısı düşen
sıcaklıkla iki minimum sergileyerek bir artış göstermektedir. Bu minimumlar iki tip
safsızlıkla ilgili olduğu bulundu.
ederiz.
80
P47: Succinonitril - %7.5 Ağ. CBr4 Alaşımının Doğrusal
Katılaştırılması ve Büyüme Hızı ile Sıcaklık Gradyentinin Mikroyapı
Parametrelerine Etkisinin İncelenmesi
N. Maraşlıa, K. Keşlioğlua, B. Arslana, H. Kayab ve E. Çadırlıb
Erciyes Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 38039 Kayseri
Niğde Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü,, 51200, Niğde
a
b
Succinonitril- % 7.5 ağ. Karbon tetrabromür alaşımı sabit büyüme hızında (V = 33
μm/s) beş farklı sıcaklık gradyenti için (G = 4.1-7.6 K/mm) ve sabit sıcaklık
gradyentinde (G = 7.6 K/mm) beş farklı büyüme hızı için (V = 7.2-116.7 μm/s) tek yönlü
doğrusal olarak katılaştırılmıştır. Katılaştırma esnasında çekilen fotoğraflardan birinci ve
ikinci dedritik kollar arası mesafeler, dendrit uç yarıçapları ve yumuşak bölge derinlikleri
ölçülmüştür. Deneysel olarak ölçülen mikroyapı parametreleri teorik modellerden elde
edilen sonuçlar ile kıyaslanmıştır. Elde ettiğimiz deneysel sonuçlar ile mevcut teorik
modellerden elde edilen sonuçlar ve literatürdeki benzer deneysel çalışmalarda elde
edilen sonuçların uyum içerisinde olduğu görülmüştür.
81
P48: Fe-%18Cr-%10Mn-%16Ni ve Fe-%18Cr-%12Ni-%2Mo
Alaşımlarının Fonon Dispersiyonu
M. Özduran1 , İ. Akgün2, G. Uğur2
1
2
Gazi Üniversitesi, Kırşehir Fen Edebiyat Fakültesi, 06500 Ankara, TÜRKİYE
Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, 06500 Ankara, TÜRKİYE
Bu çalışmada, Akgün ve Uğur tarafından tanımlanan çok-cisim etkileşmeli potansiyel
(M.B.R.) kullanılarak yüzey merkezli kübik (f.c.c) yapıda Fe-%18Cr-%10Mn-%16Ni ve
Fe-%18Cr-%12Ni-%2Mo alaşımlarının fonon frekansları incelendi. İncelenen Fe-%
18Cr-%10Mn-%16Ni ve Fe-%18Cr-%12Ni-%2Mo alaşımları için MBR’yi tanımlayan
parametreler Akgün ve Uğur tarafından tanımlanan metoda göre hesaplandı.
Sonuç olarak Fe-%18Cr-%10Mn-%16Ni ve Fe-%18Cr-%12Ni-%2Mo alaşımlarının
fonon frekansları temel simetri yönlerinde, hesaplanan iki ve üç-cisim kuvvet sabitlerini
kullanarak hesaplandı. Teorik sonuçlar deneysel dispersiyonla mukayese edildi.
82
P49: Toz Kırınımı ile Yapı Belirlenmesi ve C23H20N4O3 Molekülünün
Kristal Yapısının Toz Kırınımı Yöntemi ile İncelenmesi
Ö.Özgen, E. Kendi, S. Koyunoğlu, A. Yeşilada, P. W. Stephens
Bu çalışmada, antibakteriyal ve antifungal gibi çeşitli biyolojik aktiviteleri olan ve
farmakolojide geniş bir araştırma alanı olan 2-pirazolin türevlerinden polikristal formda
olan bir örnegin kristal yapisi toz kirinim yöntemi ile incelendi. 2 - [ 3-metoksifenil-5(furil-2-il)-2-pirazolin-1-il ] -3-metil - 4(3H) - kinazolinon (C23H20N4O3) molekülünün
kristal sistemi monoklinik, uzay grubu P21/n ve örgü parametreleri a=16.534(2), b =
9.863(1), c = 13.624(1) Å ve β = 116.609( 9)˚ , Z=4 olarak bulundu. Molekülün
kimyasal diyagramı aşağıda verilmektedir.
OCH3
O
N
N
N
N
CH3
O
83
P50: MnxMg1-xTiO3 Seyreltilmiş Antiferromagnet malzemesinin
Yapısal ve Elektriksel Özellikleri
B. Özkurt, Atilla Coşkun, A. Ekicibil, B. Özçelik, K. Kıymaç
Çukurova Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 01330, Balcalı,
Adana
Bu çalışmada MnxMg1-xTiO3 seyreltilmiş antiferromagnet malzemesinin (0.65≤x≤0.95)
değerleri için elektriksel ve magnetiksel özellikleri incelenmiştir. Bu oksitler önemli bir
ilgi alanı oluşturmaktadır, çünkü x değerindeki herhangi değişim faz dönüşümlerine
neden olmaktadır. Bu malzeme üzerinde X-ışınları kırınım desenleri, Taramalı Elektron
Mikroskobu çalışmaları (SEM) ve EDAX Analizi çalışmaları yapılmış ve bu analizler
ışığında baskın fazın tüm x değerleri için MnTiO3 olduğu anlaşılmıştır. Mn ve Mg
atomlarının yer değiştirmesi sonucunda herhangi bir yapısal değişiklik gözlenmemiştir.
Bununla beraber, x değerlerindeki azalmayla birlikte MgTiO3 ve Mg2TiO4 fazlarına
rastlanmıştır. Ayrıca örneğin elektriksel iletkenlik ölçümleri yapılmış ölçümler
sonucunda bu değerin ~210 K’de sabitlendiği gözlenmiştir. Örneğin yarıiletken özelliği
anımsatan enerji aralığı değeri 0.31 eV olarak hesaplanmıştır.
84
P51: Yüksek Sıcaklık Süperiletkenlerinde Görülen Ac Kayıp
Vadisinin Analizi
A.Öztürk1, U.Kölemen2, F.İnanır3, İ.Düzgün3, S.Çelebi1
Karadeniz Teknik Üniv., Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 61080,Trabzon
Gaziosmanpaşa Üniv., Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 60240,Tokat
3
Karadeniz Teknik Üniv., Rize Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Rize
1
2
Bilindiği gibi, II. tip süperiletkenlerin “pinning” özellikleri oldukça ilgi çeken araştırma
alanlarından biridir. Bu malzemelerde kritik akım yoğunluğu, magnetizasyon, tuzaklanan
akı, tersinmezlik çizgisi, akı sürüklenmesi, akı çizgilerinin kesişmesi ve çapraz akışı,
magnetik levitasyon, AC alınganlık ve AC histeresis kayıpları bu “pinning” özelliğinin
bir yansımasıdır. II. tip süperiletkenlerin birçok çeşidinde AC-kayıpları, belli bir h0
genliğine sahip Ha uygulanan alanı için birim hacim ve birim çevrim başına enerji kaybı
W(h0, Hb, T, v), sabit bir T sıcaklığında ve sabit düşük v frekansında, h0 ile aynı
doğrultuda olan Hb statik magnetik alanın fonksiyonu olarak ölçüldüğünde bir vadi
gösterdiği bazı bilim adamları tarafından yayınlanmıştır. Bu özellik Clem vadisi olarak
bilinir. Bu olay özellikle h0<H* olduğunda farkedilir olur ve 0<Hb  H* aralığında
gerçekleşir.
 değerlerinin, Hb
Literatürde slab geometrisindeki bir süperiletken malzeme için, max
DC alanının etkisi ile kritik akım yoğunluğunun alan bağlılığını temsil eden n
parametresi (Jc α H-n) n  0 iken bir vadiden geçtiği belirtilmektedir. Biz de
çalışmamızda, silindir geometrisi için, Hb’nin(DC alan) sabit tutulup h0’ın(AC alan
genliği) değiştiği durumlar için teorik AC kayıp hesaplamalarını gerçekleştirerek bu
alandaki çalışmalara bir yenilik katmayı hedefledik. Ayrıca, kritik hal modelleri ile
yapılan teorik hesaplamalar ağırlıkça %1 ZnO ilaveli YBCO numunesi için Hb’nin sabit
tutulup h0’ın değiştiği durumlardaki deneysel alınganlık ölçümlerine oldukça iyi uyum
eğrileri verdi. Sonuçlar kritik hal çerçevesinde tartışıldı ve numuneye ait bazı
süperiletkenlik parametreleri belirlendi.
85
P52: Aşırı soğuk Fr izotoplarının elastik saçılması
M. K. Öztürk ve S. Özçelik
Gazi Üniversitesi, Fen-Ed. fakültesi, 06500 Teknikokullar, Ankara, Türkiye
Aşırı düşük sıcaklıklarda bozonik Fr izotoplarının elastik çarpışmalarında, toplam
elastik, spin yük ve ‘difüzyon’ tesir kesitlerin hesaplamaları ayrıntılı olarak incelendi. Fr
izotoplarının singlet ve triplet etkileşme potansiyelleri parametrik olarak inşa edildi ve
‘shape’ rezonans bölgesinde Fr’mun saçılma özelliklerinin hesaplanmasında kullanıldı.
Enerjinin fonksiyonu olarak toplam elastik, spin yük ve difüzyon tesir kesitleri önemli bir
yapı gösterir ve düşük sıcaklıklarda geniş değerlere sahip. 32 picoK- 3 K menzili
sıcaklıklarda nümerik ve yarı-klasik sonuçlar ayrıntılı karşılaştırılır. Hatta bir kaç Kelvin
sıcaklıklarda spin-yük ve ‘difüzyon’ tesir kesitlerinin geniş olması Fr izotoplarının
‘yoğuşma’sını üretmek için etkili bir yol sağlayabilir.
86
P53: Benzothiazol-2-yl-(4-dimethylamino-benzylidene)-amine
molekülünün kristal yapısı
H. Saraçoğlu 1 , N. Çalışkan 1 , C. Davran 2 , S. Soylu 1 ,H. Batı 2 Ve O.
Büyükgüngör 1
1 Ondokuz
Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 55139,
Kurupelit, Samsun
2 Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Kimya Bölümü, 55139,
Kurupelit, Samsun
Schiff bazı bileşikleri antibakteriyel, antikanserojen ve antitoksik özelliklere sahiptir.
Özellikle kükürt içeren Schiff bazları daha da etkindir. Benzotiazol gruplar ise organik
boyar madde olarak kullanıldığı gibi gram-pozitif ve gram-negatif bakterilerle
mücadelede, veremin, sıtmanın tedavisinde mikrop öldürücü ve ateş düşürücü özelliklere
sahiptir.
C16 H 15 N 3 S molekülünün sentezi yapılmıştır.
Sentezlenen kristalin x-ışını verilerinden Z=8 ve uzay grubunun P 21 / c olduğu
Bu çalışmada bir Schiff bazı olan
görülmüştür. Yapının asimetrik birimde A ve B gibi iki bağımsız moleküle sahip olduğu,
C-N bağına göre de her iki molekülün birbirinin dönme izomeri olduğu tespit edilmiştir.
Ayrıca A ve B moleküllerinin birbirinden farklı molekül içi bağlar sergilediği; bu
bağların A molekülü için C-H...N biçiminde ve B için C-H...S şeklinde gerçekleştiği
görülmektedir. Simetri merkezi etrafında yapı C-H...  moleküller arası hidrojen
bağlarına da sahiptir. Moleküler yığılmada C-H...  ve  -  etkileşimleri etkin rol
oynamaktadır.
87
P54: InxGa1-xAs/GaAs(x=0,15) Süperörgüsü’ nün MBE’ de
Büyütülmesi ve Bazı Elektriksel, Optiksel Özelliklerinin Belirlenmesi
B. Sarıkavak, H. Altuntaş, A. Bengi, T.S. Mamedov, S. Özçelik
Gazi Univ., Fizik Bölümü, Ankara, Türkiye
Yüksek kaliteli InxGa1-xAs/GaAs süperörgüsü (SLS) x=0,15 için V80H-MBE sistemi ile
büyütüldü.n-tipi GaAs (100) alttaş büyütme odasına transfer edildi. 640-680°C’ de As2
akısı altında 20-30 dak tutularak oksit temizlenmesi yapıldı. Her periyodun kalınlığı
0,3µm olan 5 periyotlu InGaAs süperörgü yapısı 560°C’ de büyütüldü. Ga büyütme
oranı 1µm/saat olarak RHEED kullanılarak ayarlandı ve Ga akısı tüm büyütme süresince
değiştirilmedi. As4 /Ga oranı da yaklaşık 1-2 olacak şekilde As2 akısı da tüm süreçte
sabit tutuldu.Tabaka kalınlığı, X-ışınları difraksiyonu yolu ile belirlendi. Katkılı
numuneler C-V profili yoluyla karakterize edildi. Diyot yapıları için ise I-V yoluyla
karakterize edildi. I-V ölçümlerinden idealite faktörü (n), potansiyel engel yüksekliği (
B ) ve arayüzey durumları belirlendi. C-V, (G/W) –V ölçümlerinden katkı atomlarının
yoğunluğu, difüzyon potansiyeli,potansiyel engel yüksekliği ( B ), seri direnç (Rs), Fermi
enerjisi belirlendi.
Anahtar Kelime:
Kristal büyültme, MBE, RHEED, difüzyon potansiyeli, potansiyel engel yüksekliği, seri
direnç
ederiz.
88
P55: Katlı GaSe’nin Optik Anizotropisinin Fotoışıma ve FTIR
spektroskopisi ile incelenmesi
A. Seyhan
Ortadoğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, Ankara
Bu çalışmada katlı yarıiletken GaSe’nin optik anizotropisi Fotoışıma ve FTIR
spektroskopisi ile incelendi. GaSe’nin fotoışıma spektrumunda görülen, birbirine yakın
iki tepe, doğrudan bant kenarlarından kaynaklı serbest ve bağlı eksitonlar olarak
yorumlandı. GaSe’ nin fotoışıma ve geçirgenlik spektrumu, gönderilen ışığın dalga
vektörü k’nın kristalin büyüme ekseni c’ye, dik ve parallel olmak üzere iki farklı sekilde
ölçüldü. Fotoışıma ve geçirgenlik spektrumunda tepe noktaları her iki durum için (k //c,
k c) oldukça farklı bulundu. Gözlenen bu fark, GaSe’nin anizotropik bant yapısı ve
optiksel soğurma seçme(selection rule) kuralı ile alakalıdır ki her iki ölçüm sonuçlarının
uyumlu olması da bunu doğrulamaktadır.
89
P56: CoSi2 Bileşiğinin Elektronik ve Titreşimsel Özellikleri
F. Soyalp1 , G.Uğur1 ve H.M. Tütüncü2
Gazi Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara, TÜRKİYE
Sakarya Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Adapazarı,
TÜRKİYE
1
2
Bu çalışmada, CoSi2 bileşiği için lineer tepki yaklaşımında pseudo potansiyel metodu ve
genelleştirilmiş eğim yaklaşımı kullanılarak, elektronik ve titreşimsel özellikleri
hesaplanmıştır. CoSi2 bileşiğinin örgü sabiti ve bulk modülü hesaplanmış ve daha önce
yapılan deneysel sonuçlarla karşılaştırılmıştır. Hesaplanan örgü sabiti ile yoğunluk
fonksiyon pertürbasyon teorisi kullanılarak elektronik bant yapısı ve fonon frekansları
hesaplanmıştır. Bulunan sonuçlar deneysel çalışmalarla uyum içindedir.
90
P57: Au/SiO2/p-Si (MOS) Yapıların Elektriksel Özelliklerinin Frekans
ve Sıcaklık Bağımlılığı
Adem Tataroğlu, Şemsettin Altındal
Ankara,TÜRKİYE
Al/SiO2/p-Si (MOS) yapıların elektriksel özellikleri 1 MHz’de 10 kHz–10 MHz frekans
ve 295-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Metal-oksit-yarıiletken (MOS) yapının
arayüzey oksit tabaka kalınlığı kuvvetli akümülasyon bölgesindeki ölçülen oksit
kapasitansından hesaplandı. MOS yapının elektriksel özellikleri kapasitans-voltaj(C-V)
ve iletkenlik-voltaj(G/-V) ölçümlerinden hesaplandı. Ayrıca numunenin C-V
karakteristiklerine arayüzey durum yoğunluğu(Nss) ve seri direncin(Rs) etkileri
araştırıldı. Hem kapasitans hem de iletkenlik yüksek sıcaklıklarda ve düşük frekanslarda
nispeten sıcaklığa ve frekansa duyarlıdır. Nss ve Rs artan sıcaklıkla azalmaktadır. Bu
davranış ara yüzeyin yeniden yapılanıp düzenlenmesine atfedilir. C-V ve G/-V
karakteristikler, Nss, Rs ve yalıtkan tabaka kalınlığının MOS yapıların elektriksel
parametrelerine kuvvetlice etki eden önemli parametreler olduğunu doğrular.
Anahtar kelimeler:
MOS yapı, elektriksel özellikler, seri direnç, ara yüzey durum yoğunluğu.
ederiz.
91
P58: 3-Feniltiyofen ve 3-(3, 4, 5-Triflorofenil) Tiyofen Moleküllerinin
Yapısal, Elektronik ve Lineer Olmayan Optik Özelliklerinin Teorik
Olarak İncelenmesi
G. Uğurlu, M. Bahat, E. Kasap, Z. Kantarcı ve H.Alyar
Fizik Bölümü,Gazi Üniversitesi,Ankara,Türkiye
Tiyofen ve tiyofen türevleri, molekül ve polimer olarak teknolojide yoğun olarak
kullanılmaktadır. Örneğin 3-feniltiyofen ve onun flor katkılı türevleri elektrikli aygıtlarda
kullanılmaktadır. Bundan dolayı bu moleküller son zamanlarda bir çok teorik ve deneysel
çalışmalara konu olmuştur.
Bu çalışmada, 3-feniltiyofen ve 3-(3,4,5-triflorofenil)tiyofen moleküllerinin yapısal
parametreleri, elektronik özellikleri, dipol moment, ve en yüksek dolu moleküler orbital
(HOMO) ve en düşük boş moleküler orbital (LUMO) enerjileri B3LYP/6-31++G (d,p)
ve HF/6-31++G (d,p) modelleri ile hesaplanmıştır. Bu moleküllerin lineer olmayan optik
özelliklerden polarizabilite ve hiperpolarizabilite özelliklleri HF/6-31++G (d,p) modeli
ile dihedral açının fonksiyonu olarak incelendi. Dihedral açı 0ºden 180º ye kadar 10º
aralıklarla artırıldı.
Hesaplamalar GAUSSIAN98W paket programı kullanılarak yapıldı.Bu çalışma kısmen
TBAG-AY/287(102T150) projesi çerçevesinde gerçekleştirilmiştir.
92
P59: Kristal Bant Yapılar İçin Lame Potansiyel Modeli Ve Hamilton
Jacobi Analizi
Ö. Yeşiltaş*, M. Şimşek**
Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü 06500
Teknikokullar/ANKARA
* [email protected], ** [email protected]
Kristallerin band yapılarını incelemek için periyodik Kronig-Penney potansiyel modeli
yaygın olarak kullanılmaktadır. Bu çalışmada, periyodik potansiyellerin bir başka türü
V ( x)  j ( j  1) sn 2 ( x, m)  a cn 2 ( x, m) şeklindeki
formunun da kristal yapılar için alternatif bir model olabileceği önerilmektedir.
d
p  2 m ( E  V ( x)) Riccati
İncelenen kuantum yapı için yazılabilen p 2  i
dx
denklemini sağlayan p kuantum momentum fonksiyonunun singüler yapısı, kompleks x
düzleminde residu tekniği ile incelenmiştir. Ayrıca, Schrödinger dalga denkleminin
Lame potansiyeli için yapılan çözümlerinde, kuantum Hamilton Jacobi metodu
kullanılmıştır. Sonuçta farklı sistemlerin bant yapılarına uygulanabilir özdeğer ve
özfonksiyonları elde edilmiştir.
olan
Lame
potansiyellerinin
93
P60: Ayarlanabilir Optik Özelliklere Sahip Moleküler Kümeler:
TTBC Kümelerinin Kontrol Edilebilir Oluşumu Ve Eksitonik
Özellikleri
H. Yıldırım1, B. Birkan2, D. Gülen 1, S. Özçelik 3
Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara.
Mühendislik ve Temel Bilimler Fakültesi, Sabancı Üniversitesi, İstanbul.
3
Kimya Bölümü İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, İzmir
1
2
1,1’,3,3’-tetraetil-5,5’,6,6’-tetraklorobenzimidazolkarbosiyanin (TTBC) kümelerinin
eksiton-band yapısı ve eksiton-band gevşemesi deneysel ve kuramsal yöntemlerle
incelendi. İyonik ortamda (sodyum hidroksit içeren sulu çözeltilerde) TTBC ve iyon
derişiklikleri ayarlanarak sentezlenen moleküler kümelerin soğurma ve ışıma
spektrumlarındaki değişiklikler oda sıcaklığında gözlemlendi. TTBC/sodyum hidroksit
derişikliklerini ayarlayarak, eksitonik özellikleri kontrol edilebilen moleküler kümelerin
oluşturulabileceğine ilişkin güçlü deneysel veriler sunuldu. Deneysel sonuçlar eksitonik
spektral özelliklerin sayısal benzetişimler yapılarak yorumlandı. Bu yorumlama
sonucunda, TTBC/sodyum hidroksit derişiklikleri üzerindeki kontrolün, birbirleriyle
etkileşmeyen J-kümelerinden (1-boyutlu) birbirleriyle kuvvetli olarak etkileşen Jkümelerine (2-boyutlu) geçişi kontrol edebileceği olasılığı üzerine ayrıntılı bir tartışma
sunuldu.
94
P61: 2-(N’-{4-[3-Metil-3-(2,4,6-Trimetil-Fenil)-Siklobütil]-Tiazol-2-Yl}Hidrazinometil)-Benzen-1,4-DiolEtanol
Ç. Yüksektepe1, H. Saraçoğlu1, S. Soylu1, İ. Yılmaz2, A. Çukurovalı2, N.
Çalışkan1.
Ondokuz Mayıs Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü 55139
Kurupelit/Samsun.
2
Fırat Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Kimya Bölümü 23119-Elazığ.
1
2-(N’-{4-[3-Metil-3-(2,4,6-trimetil-fenil)-siklobütil]-tiazol-2-yl}-hidrazinometil)-benzen1,4-dioletanol (C24H27N3O2S. C2H6O) molekülünün sentezi yapıldıktan sonra kristal
yapısı belirlenmiştir. Molekülün etanol ile yaptığı O—H…N, N—H…O ve O—H…O
hidrojen bağları sayesinde, kristal yapının polimerik düzenleniş gösterdiği bulunmuştur.
Molekülün kararlı bir kristal yapı oluşturabilmesi için π-π ve π-halka etkileşimleri de
bulunmaktadır. Molekül içerisinde hidrazon E düzenlenişine sahiptir (Şekil 1).
Şekil 1. C24H27N3O2S. C2H6O Molekülünün ORTEP-III şekli. Termal elipsoidler %
50 olasılıkta çizilmiştir.
95
P62: Saf Cu(110) Kristalinin Ultraviole Ters–Fotoemisyon
Spektroskopi Sonuçları
O. Zeybek
Balıkesir Universitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Soma Caddesi,
10100 Balıkesir
Ultraviole Ters-Fotoemisyon Spekroskopisi katıların yüzeylerinde işgal edilmemiş
elektron durumlarını incelemek için çok yararlı ve uygulanabilir bir spektroskopik metot
olarak tayin edilmiştir. Saf Cu(110) kristalinin yüzeyinden elde edilen ultraviole TersFotoemisyon Spektroskopi tayfı, bir çok grup tarafından alındığı gibi, 9.1 eV sabit foton
enerjisi ve farklı elektron enerji aralıklarında ölçülmüştür. Bu çalışmada ise yapılan
deneylerde farklı bir yol izlenmiştir yani işgal edilmemiş yüzey durumları ultraviole
Ters-Fotoemisyon Spektroskopi tekniği tarafından ışınır modda kontrol edilmiştir.
Yüzeyin normaline göre salınan foton için 45 ve gelen elektron demetinin normal
olmayan geliş açısı için 25 ve 19 eV sabit elektron kinetik enerjisi parametreleri göz
önüne alınarak, oda sıcaklığında saf Cu(110) kristalinden elde edilen ultraviole TersFotoemisyon Spektroskopi tayfı Yüzey Brillouin Bölgesi’ndeki Y noktasında alınmıştır.
İşgal edilmemiş kütle ve yüzey durumları, ultraviole Ters-Fotoemisyon
Spektroskopisinin enerji yarılması yaklaşık 0,5 eV mertebesinde tahlil edilmiştir. İşgal
edilmemiş Cu(110) yüzey durumlarının deneysel bağlama enerjileri 1,8 eV, 2,0 eV ve
2,5 eV’de rapor edilmiştir. Hesaplanmış değerler 2,5 eV, 4,85 eV, 5,63 eV, 6,4 eV, 6,9
eV ve 7,3 eV’de rapor edilmiştir. İlk kez bu çalışmada işgal edilmemiş durumlar 2,3 eV,
8,0 eV, 8,8 eV ve 9,4 eV’de ortaya çıkarılmıştır.
96
P63: Ultraviole Ters–Fotoemisyon Spektroskopi Metodu İle Cu(110)
Kristali Üzerinde Na Filmlerinin İşgal Edilmemiş Bölgedeki Elektron
Yapısının İncelenmesi
O. Zeybek
Balıkesir Universitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Soma Caddesi,
10100 Balıkesir
Ultraviole Ters-Fotoemisyon Spekroskopisi atomların, moleküllerin yada katıların işgal
edilmemiş bölgedeki elektronların elektronik yapılarının incelenmesi için kullanılan bir
spektroskopik metodudur. Bu metot iki işgal edilmemiş durum arasındaki radyoaktif
translasyonu ile yayılan ultraviole foton şiddetinin ölçülmesini kapsar. Alaşımlı
yüzeylerin ve temiz yüzeylerin geometrik yapısı ile birlikte elektronik ve optiksel
davranışlarının incelenmesi onların geniş bir biçimde endüstriyel uygulamalarının
anlaşılması için gereklidir. Bir çok yüzey fiziği ve yüzey kristallografik teknikleri için
tekli kristal örnekleri gereklidir ki bu amaç doğrultusunda bu çalışmada (110) yüzey
kesitli Cu kullanıldı. Yaklaşık olarak 2 eV civarında temiz Cu(110) kristalinin işgal
edilmemiş durumlarının yoğunlukları, Na filmlerinin kalınlığının artmasıyla azaldığı bu
çalışmada bulunmuştur. Bu sonuç Yansıma Anisotropi Spektroskopi metodu ile elde
edilen sonuçlarla uyum içindedir. Ultraviole Ters-Fotoemisyon Spektroskopi metodu ile
Cu(110) kristali üzerinde absorbe olmuş Na filmleri üzerine oda sıcaklığında gelen
elektron demetinin normal olmayan geliş açılarının ölçümleri gerçekleştirildi. Bu
çalışmada yüzey durumlarının enerji pozisyonları Y noktası etrafındaki 4,7 eV
mertebesindeki boşluk bandı etrafında odaklanılmıştır. Ultraviole Ters-Fotoemisyon
Spektroskopisi deneyinde, 17 ve 19 eV enerji seviyesinde gelen elektron enerjilerinin Na
filmlerinin kalınlığının artmasıyla 7,8 eV’de Fermi seviyesine doğru bir kayma olduğu da
bulunmuştur.
97
P64: m-Phenylenediamine Köprülü İki Çekirdekli Cu2(L-m-pda)
2H2O, [L = 2-hydroxy-3-methoxybenzaldehyde)] Bakır(II)
2
Kompleksinin Kristal Yapısı ve Magnetik Özelliklerinin Yarıdeneysel Moleküler Orbital Yöntemlerle Analizi
C. T. Zeyreka, A. Elmalıb, Y. Elermanb
Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi, 06100 Beşevler-Ankara, Türkiye
Ankara Üniv., Müh. Fak., Fizik Müh. Bölümü, 06100 Beşevler-Ankara, Türkiye
a
b
Bu çalışmada, m-phenylenediamine köprülü iki çekirdekli Cu2(L-m-pda)22H2O, [L =
2-hydroxy-3-methoxybenzaldehyde) bakır(II) kompleksinin, kristal yapısı ve magnetik
özellikleri incelenmiştir. Komplekse ait kristalografik bilgiler şu şekilde bulunmuştur:
Kristal sistemi: triklinik, uzay grubu: P 1 , örgü parametreleri: a = 8.953(2) Å, b =
11.264(1) Å, c = 11.318(2) Å,  = 100.74(2),  = 105.23(10),  = 103.47(3), V =
1033(1) Å3, Z = 1, R = 0.0445, Dhesap=1.524 g.cm-3. Her bir bakır(II) iyonu Schiff bazı
ligandlarının N2O2 grupları ile koordinasyonuyla, tetrahedron geometriye sahiptir.
Molekül içi CuCu uzaklığı 7.401(6) Å’ dur. Kristal yapı içerisinde bakır(II) iyonları ile
koordinasyona girmemiş iki su molekülü vardır ve bu su molekülleri ile kompleksin
oksijen atomları arasında hidrojen bağları bulunmaktadır {O5–Ha. . .O4 [2.37(1)], O5–Hb.
..
O3 [2.42(1)], O5–Hb. . .O1 [2.77(1)], O5–Hb. . .O2 [2.19(1)], O5–Ha. . O1 [2.44(1)], O6–
Hb. . .O3 [2.99(1)], O6–Hb. . .O5 [1.89(1)], and O6–Ha. . .O5 [2.12(1) Å]}
Kompleksteki Cu(II) iyonları
arasındaki magnetik süper
C 11
C 12
değiş-tokuş etkileşmelerinin
C10
C 14
C 13
O6
C9
belirlenmesi amacı ile, 5K’
C16
C 15
C8
C22
N2
den oda sıcaklığına kadar
O3
O2
C 20
sıcaklığa bağlı magnetik
O5
C 18
O1
Cu1
alınganlık
ölçümleri
C19
O4
N1
C 17
yapılmıştır. Deneysel olarak
C 21
C2
C6
C7
C1
gözlenen
magnetik
C5
alınganlık ile teorik olarak
C3
C4
hesaplanan
magnetik
alınganlık değerleri en küçük
Cu2(L-m-pda)22H2O
kareler
yöntemi
ile
karşılaştırılarak süper değiştokuş etkileşmesine ait parametreler J =  0.4 cm-1 ve g = 2.17 bulunmuştur.
Extended Hückel Moleküler Orbital (EHMO) yöntemi kullanılarak yapılan moleküler
orbital hesapları ile, yapıdaki süper-değiştokuş etkileşmesi yolundaki moleküler
orbitallerin, etkileşmeye katkıları açıklanmaya çalışılmıştır. Böylece HOMO’ leri ile
LUMO’ ler arasındaki enerji farkı hesaplanmıştır. Kompleksin kristal yapısı ile magnetik
özellikleri ve yapılan benzer çalışmalar göz önüne alınarak, gözlenen zayıf
antiferromagnetik değiş-tokuş etkileşmesinin hangi faktörlere bağlı olduğu araştırılmıştır.
98
Dizin
Kimi özet sahiplerinin verdikleri anahtar kelimelere göre düzenlenmiştir.
( -ışını · 61
(Al-TiW+PtSi)–nSi Schottky diyotları · 37
İlave kapasite · 68
A
Akım iletim mekanizması · 37
ara yüzey durum yoğunluğu · 41, 92
ara yüzey durumları · 67, 68
B
Bi4Ti3O12 amorf filmler · 41
Bi4Ti3O12 ince filmler · 38
C
critical current · 53
D
dielektrik kayıp · 38
dielektrik sabiti · 38
difüzyon potansiyeli · 89
E
elektriksel karakteristikler · 61
elektriksel özellikler · 92
elektro fiziksel parametreler · 36
Engel yüksekliğinin homojensizliği · 40
F
flux pinning · 53
frekans bağımlılığı · 68
G
GaAs · 49
Gaussian dağılımı · 40
gerilim bağımlılığı · 68
I
idealite faktörü · 41, 67
K
Kristal büyültme · 89
M
Magnetostriction · 53
MBE · 89
Meissner current · 53
MIS yapı · 61
MIS yapılar · 49
MOS yapı · 92
99
P
potansiyel engel yüksekliği · 89
R
radyasyon etkileri · 61
reversible Abrikosov diamagnetism · 53
RHEED · 89
S
Schottky engel homojensizliği · 67
Schottky engeli · 49
seri direnç · 41, 49, 61, 67, 68, 89, 92
sıcaklığa bağımlılık · 36, 37
Sıcaklık bağımlılığı · 40
SnO2-Bi4Ti3O12-Au ince film · 38
Standard sapma · 40
surface barrier · 53
surface sheath · 53
T
Ti10W90-nSi Schottky diyotları · 36
Y
Yalıtkan tabaka · 67
100
Katılımcılar
Selim ACAR
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Barış AKAOĞLU
Orta Doğu Teknik Üniversitesi
[email protected]
Arzu AKBAŞ
Hacettepe Üniversitesi
[email protected]
Nurgül AKINCI
Zonguldak Karaelmas Üniversitesi
[email protected]
İdris AKYÜZ
Osmangazi Üniversitesi
[email protected]
Şemsettin ALTINDAL
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Hamit ALYAR
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Nihat ARIKAN
Gazi Üniversitesi
[email protected]
N. Burcu ARSLAN
Ondokuz Mayıs Üniversitesi
[email protected]
Erdal ARSLAN
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Murat ARTUÇ
[email protected]
Mehmet ASLANTAŞ
[email protected]
Ferhunde ATAY
[email protected]
Aytunç ATEŞ
Atatürk Üniversitesi
[email protected]
İlker AY
[email protected]
Sezgin AYDIN
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Gülnur AYGÜN
[email protected]
Serdar BADOĞLU
[email protected]
Hasan BARUT
Gazi Üniversitesi
Yunus BAŞ
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Ülkü Bayhan
[email protected]
Nevzat Bayri
İnönü Üniversitesi
[email protected]
Aylin BENGİ
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Mehmet BİBER
[email protected]
Vildan BİLGİN
Mehmet Sait
BOZGEYİK
[email protected]
Çukurova Üniversitesi
[email protected]
Ceyhun BULUTAY
Bilkent Üniversitesi
[email protected]
M. Mahir BÜLBÜL
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Musa Mutlu CAN
[email protected]
Emre COŞKUN
G.Y.T.E
Öznur ÇAKIR
Ankara Üniversitesi
[email protected]
Mehmet ÇAKMAK
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Nagihan ÇAYLAK
[email protected]
Selahattin ÇELEBİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi
[email protected]
Ömer ÇELİK
[email protected]
Ali ÇETİNKAYA
[email protected]
Mehmet ÇİVİ
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Engin DELİGÖZ
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Emine DÖNMEZ
Balıkesir Üniversitesi
[email protected]
101
Perihan DURMUS
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Hasan EFEOĞLU
[email protected]
Ahmet EKİCİBİL
[email protected]
Şinasi ELLİALTIOĞLU
[email protected]
Ayhan ELMALI
[email protected]
Aynur ERAY
[email protected]
Emre ERSİN
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Gülen FERAH
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Tezer FIRAT
[email protected]
Ali GENCER
[email protected]
Elif GÜÇ
Gazi Üniversitesi
Nusret GÜÇLÜ
Gaziosmanpaşa Üniversitesi
[email protected]
Demet GÜLEN
[email protected]
Oğuz GÜLSEREN
[email protected]
Alkan GÜLSES
[email protected]
Hilal GÜMÜŞ
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Tayyar GÜNGÖR
[email protected]
Ebru GÜNGÖR
[email protected]
Semra GÜVEN
Ondokuzmayıs Üniversitesi
[email protected]
Ziya B. GÜVENÇ
Çankaya Üniversitesi
[email protected]
Tuğrul HAKİOĞLU
B. Yasemin IŞIK
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Semra İDE
[email protected]
Fedai İNANIR
Karadeniz Teknik Üniversitesi
[email protected]
Hatice KANBUR
Gazi Üniversitesi
[email protected]
İlker KARA
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Faruk KARADAĞ
[email protected]
Serdar KARADENİZ
ANAEM
[email protected]
Rıdvan KARAPINAR
Yüzüncü Yıl Üniversitesi
[email protected]
Mehmet KASAP
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Gökhan KAŞTAŞ
Ondokuzmayıs Üniversitesi
[email protected]
Neşe KAVASOĞLU
[email protected]
M. Burak KAYNAR
[email protected]
Canan KAZAK
[email protected]
Engin KENDİ
[email protected]
Selçuk KERVAN
ANAEM (TAEK)
[email protected]
Kâzım KEŞLİOĞLU
Erciyes Üniversitesi
[email protected]
Ahmet KILIÇ
[email protected]
Ali İhsan KILIÇ
Gazi Üniversitesi
V. Serkan KOLAT
İnönü Üniversitesi
Sabit KORÇAK
Gazi Üniversitesi
Demet KORUCU
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Uğur KÖLEMEN
[email protected]
Salih KÖSE
[email protected]
102
[email protected]
Hilal YÜCEL KURT
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Ayşe KUZUCU
[email protected]
S. B. LİŞESİVDİN
Gazi Üniversitesi
[email protected]
A. M. MAMEDOV
[email protected]
Tofig S. MAMMADOV
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Ersen METE
[email protected]
Öznur METE
[email protected]
Nazan OCAK
[email protected]
Özcan ÖKTÜ
[email protected]
Tolga ÖNCÜ
ANTHAM (TAEK)
[email protected]
Şadan ÖZCAN
[email protected]
Süleyman ÖZÇELİK
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Mustafa ÖZDURAN
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Tahsin ÖZER
Kahranmaraş Sütcü İmam Üniv.
[email protected]
Metin ÖZER
Gazi Üniversitesi
metinö[email protected]
Aycan ÖZKAN
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Berdan ÖZKURT
[email protected]
M. Kemal ÖZTÜRK
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Lütfi ÖZYÜZER
İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü
[email protected]
Serap SAFRAN
[email protected]
Hanife SARAÇOĞLU
[email protected]
Beyza SARIKAVAK
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Nurgül SEFEROĞLU
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Yusuf SELAMET
İzmir Yuksek Teknoloji Enstitusu
[email protected]
Ayşe SEYHAN
[email protected]
Fethi SOYALP
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Serkan SOYLU
[email protected]
Hasan ŞAHİN
Cumhuriyet Üniversitesi
[email protected]
Ahmet Ümit ŞAHİN
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Emre TANIR
[email protected]
Adem TATAROĞLU
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Amir SEPEHRİANZAR
Hüseyin TECİMER
[email protected]
Ali TEKE
[email protected]
Ali Şimşek TEKEREK
[email protected]
Esin UÇAR
[email protected]
Güventürk UĞURLU
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Aydın UZEL
Gazi Üniversitesi
[email protected].
Orhan UZUN
[email protected]
Can Doğan VURDU
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Özlem YEŞİLTAŞ
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Hasan YILDIRIM
[email protected]
Abdullah YILDIZ
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Ümit YURDUGÜL
Gazi Üniversitesi
[email protected]
103
H. Hilal Yücel KURT
Gazi Üniversitesi
[email protected]
Sevgi YÜRÜŞ
[email protected]
Orhan ZEYBEK
[email protected]
C. Tuğrul ZEYREK
ANAEM
[email protected]
Fadime ZORLU
Gazi Üniversitesi
104

11. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı - METU Physics

Transkript

Benzer belgeler

Zeka Nasıl Yükseltilir?

künye - Gazi Publishing

Tokat Etkinlik Programı

FÜSUN ÇAKIROĞLU

Bir Bakışta

Sayı 23 Yaz-Güz 2006

12 yıl atatürkün doktorları arasında vazife aldım