Sözlü Sunumlar

SÖZLÜ SUNUMLAR
S01
SmMn2-xFexGe2 Alaşımlarının Magnetik Özellikleri
A. Elmalı, Y. Elerman, I. Dinçer
Fizik Mühendiliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Ankara Üniversitesi, Beşevler, Ankara
Üstün iletkenlik, magnetizma, karışık valans, ağır fermiyon ve Kondo davranışı gibi çok geniş
alanlarda gösterdiği özelliklerden dolayı son yıllarda RMn2X2 (R: nadir yer elementi ve X: Si veya
Ge)alaşımları oldulça fazla incelenmektedir. Bu alaşımlarda Mn tabakalarının magnetik düzenlenimi
tabaka içi Mn-Mn uzaklığına dMn-Mn bağlıdır. Bu alaşımlar dMn-Mn>2.87Å için ferromagnetiktir, buna
karşın dMn-Mn<2.87Å için ise antiferromagnetiktir [1].
RMn2Ge2 alaşımları arasında SmMn2Ge2 kritik uzaklık olan 2.87Å’a yakın bir Mn-Mn uzaklığına sahip
olduğundan özel bir örnektir. Nötron kırınım ve Mössbauer çalişmalarına göre bu alaşım TN2(Mn)=385
K’in üzerinde paramagnetiktir. Bu sıcaklığın altında TC(Mn)=345 K e kadar ise tabaka içi
antiferromagnetik yapıya sahiptir. Curie sıcaklığının altında ise bu alaşım ferromagnetik özellik
gösterir TN1(Mn)=155 K’e kadar. 155 K’de dMn-Mn<2.87Å’den küçük bir Mn-Mn uzaklığına sahip
olduğundan bu alaşım tekrar antiferromagnetik özellik gösterir. TSm=100 K’de ise Sm alt örgüsü
ferromagnetik düzenlenir ve aynı anda Mn alt örgüsüde antiferromagnetik yapıdan ferromagnetik
yapıya geçer. Ayrıca doğal tabakalı yapıya sahip olan bu alaşım, ince filmlerdeki gibi BMD (Büyük
Magnetik Direnç; GMR (Giant magnetoresistance)) özelliği göstermektedir [2].
Bu çalışmada, Mn metali bir başka 3d geçiş metali olan Fe ile yer değiştirilmesi sonucu SmMn2Ge2
alaşımının magnetik özelliklerinin nasıl degişeceği incelenmiştir. Düşük bir dış alanda sicaklığa bağlı
magetik ölçümler yapılmştır. x= 0.05 ve 0.1 örnekleri SmMn2Ge2 ile benzer magnetizosyon eğrisine
sahip olduğu gözlenmiştir. SMn2Ge2’den farklı olarak TN2(Mn) ve TC(Mn) arasındaki ferromagnetik
bölgenin küçüldüğü gözlenmiştir. Bu ferromagnetik bölge 0.15≤x≤1.0 için gözlenmemiştir. Düşük
sıcaklıklarda ise Sm alt örgüsü ferromagnetik düzenlenime sahiptir. Ayrıca düşük alan ölçümleri (50
Oe) ile kilitlenme etkisi gözlenmiş bu kilitlenme etkisi ile TC(Mn), TN1(Mn) ve TSm geçiş sıcaklıkları
tam olarak belirlenmiştir. SmMn2Ge2’nin nötron kırınım çalışması ve x’in 0.05-1.0 değerleri için
yapılan magnetik ölçümler sonucunda elde edilen sonuçlar ile bir magnetik faz diyagramı çizilmiştir
[3].
[1] A. Szytula, J. Leciejewicz, in: K.A. Gschneidner Jr., L. Eyring (Eds.), Handbook on the Physics and
Chemistry of Rare Earths 12 (1989) 133
[2] R. Mallik, E.V. Sampahtkumaran, P.L. Paulose Phys. B 230-232 (1997) 731.
[3] I. Dincer, A. Elmali, Y. Elerman, J. Magn. Magn. Mater. Yayına kabul edildi.
S02
Pr1-xGdxMn2Ge2 (0.0≤x≤1.0) Bileşiklerinin Magnetik Özellikleri
A. Kılıça, S. Kervanb, Ş. Özcanc, A. Gencera
a
Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Ankara Üniversitesi, 06100, Beşevler, Ankara
TAEK, Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi, Malzeme Araştırma Bölümü, 06100, Beşevler,
Ankara
c
Fizik Mühendisliği Bölümü,Mühendislik Fakültesi,Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara
b
Bu çalışmada, Pr1-xGdxMn2Ge2 (0.0≤x≤1.0) örneğinin yapısal ve magnetik karakterizasyonu XRD (Xray diffraction ), DSC (differential scanning calorimetry), AC alınganlık ölçümleri ile yapıldı. Bütün bu
bileşikler hacim merkezli tetragonal ThCr2Si2 tipi yapıda kristallenir ve uzay grubu I4/mmm’dir. Birim
hücre parametreleri Vegard yasasına uyarlar. Bu sistemdeki örnekler Gd konsantrasyonu x'e bağlı
olarak, PrMn2Ge2 bileşiğindeki ferromagnetik düzenlenmeden GdMn2Ge2 bileşiğinde görülen
antiferromagnetik düzenlenmeye doğru bir geçiş gösterir. Düşük sıcaklıklarda, nadir toprak alt örgüsü
de düzenlenerek Mn alt örgüsü yeniden şekillenir. Sonuç olarak magnetik faz geçiş sıcaklıklarından
yararlanılarak x-T magnetik faz diyagramı elde edildi.
S03
Bazı vic-dioksime Türevleri ile Langmuir Tek Katmanların Hazırlanarak Kompleks Oluşturma
Davranışlarının İncelenmesi ve Elde Edilen Şartlarda LB Filmlerinin Üretilmesi
B. Kesimli, A. Topaçlı, C. Topaçlı, G.Gümüşa, İ. Gürola, V. Ahsena,b
Fizik Mühendisliği Bölümü,Mühendislik Fakültesi,Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara
a
TÜBİTAK-Marmara Araştırma Merkezi-Gebze/Kocaeli
b
Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü-Gebze/Kocaeli
Birkaç nanometre (bir tek tabaka) kalınlığındaki ince organik filmler; sensörler, dedektörler,
göstergeler ve elektronik devre bileşenleri gibi bir çok ticari ve pratik uygulama alanı bulduğundan
büyük ilgi görmektedir. Neredeyse sınırsız şartlarda istenilen yapı ve fonksiyonelliğe sahip organik
moleküllerin sentezlenebilme olasılığı oldukça gelişmiş film biriktirme teknikleri ile birleştiğinde
nanometre skalasında elektrik, optik ve biyolojik olarak aktif parçalar üretimi yapılabilmektedir. Katı
bir alttaş üzerine organik ince film biriktirmenin ısıl buharlaştırma, püskürtme (sputtering), moleküler
demet epitaksi (molecular beam epitaxy), Langmuir-Blodgett tekniği ve kendiliğinden bir araya gelme
(self assembly) gibi birçok değişik yöntemi vardır. Langmuir-Blodgett tekniği; tek tabaka kalınlığının
tam kontrolüne, geniş alanlar üzerine homojen film biriktirebilme ve değişen katman
kompozisyonlarında ardarda farklı yapılı çok katlı filmler biriktirebilme olanağı sağladığından
teknoloji ve film kalitesi olarak öne çıkan bir tekniktir [1-4].
Nano mertebesinde yapılan çalışmalar geliştikçe LB film hazırlama tekniği daha fazla dikkat çekmeye
başlamıştır. Seçilen yüzey aktif malzemeye bağlı olarak elde edilen yapı iyi bir dielektrik, pyro, piezo
veya ferroelektrik bir film olabilir. Üretilen bu filmler pyroelektrik IR dedektörleri, piezoelektrik
dönüştürgenler, göstergeler, ferroelektrik bilgi saklama devreleri gibi bir çok uygulama alanında
kullanılır. Ayrıca LB filmler gaz dedektörleri için hassas algılama malzemeleri ve farklı organik
bileşikler için seçici olarak kullanılan biosensörler üretiminde kullanılmaktadır [1].
Katı bir alttaş üzerine ardarda benzer katmanlar kaplanabileceği gibi kullanılan su havuzu uygun ise
birbirinden farklı iki ayrı madde ile çalışılıp ardarda farklı katmanlar kaplamak da mümkündür. Bu tür
yapılar pyroelektrik LB filmlerin yapılmasında kullanılır.
Bu çalışmada, bir grup vic-dioksim türevi ile çalışılmıştır ve bu örneklerin Langmuir monolayerlarının
kararlılıkları ve kompleks oluşturma davranışları üzerinde incelemeler yapılmıştır. 12,13bis(hydroxyimino)-11,14-diazatetracosane(DTC),14,15-bis(hydroxyimino)-13,16dithiaoctacosane(DOC) ve 14,15-bis(hydroxyimino)-13-thiaoctacosane (TOC) örnekleri [5,6] ile
hava/su arayüzünde Langmuir filmleri hazırlanarak basınç-alan izotermleri kaydedilmiş ve bu tek
katmanların kararlılığı kullanılan arafaz sıvısının pH’ına bağlı olarak incelenmiştir. Ayrıca farklı metal
iyonları ile hazırlanan arafaz sıvıları üzerinde de aynı örneklerin tek katman davranışları araştırılmıştır.
Bu incelemeler sonucunda ligandlar için arafaz sıvısı içerisindeki metal konsantrasyonunun, kompleks
oluşumu süresinin ve karşıt iyon etkisinin ligandların kompleks oluşturmasında önemli rol oynadığı
sonucuna varılmıştır.
Daha sonra söz konusu ligandların bu çalışmalar ile belirlenen tek katman şartlarına uygun olarak çok
katlı LB filmleri hazırlanmıştır ve ardarda biriktirilen LB filmlerin pyrolelektrik aktivite gösterip
göstermediği incelenmiştir. Bu incelemeler sıcaklığa ve katman sayısına bağlı olarak yürütülmüştür.
[1] Ulman, A., Ultrathin Organic Films, Academic Press, New York, 1990.
[2] Roberts, G., Langmuir-Blodgett Films, Plenum Press, New York, 1990.
[3] Ashwell, J. G., Molecular Electronics, Research Studies Press, England
[4] Langmuir-Blodgett Instruments Tensiometers Goniometers Surface Chemistry.
http://www.ksvinc.com/LB.htm
[5] Gürol, I., Ahsen, V., Bekaroğlu, Ö., J. Chem. Soc. Dalton Trans. (1992) 2283.
[6] Gürol, I., Ahsen, V., Synth. React. Inorg. Met. Org. Chem., 31(1) (2001) 127.
S04
Lineer Zincir Moleküller için Dielektrik Durulmanın Stokastik Ising Modeli Üzerine Yeni Bir
Çalışma
S. Bozdemir, S. Eker
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Çukurova Üniversitesi, 01330 Adana
Lineer zincir moleküllerin kooperatif durulma olayını analiz etmek için basit, bir-boyutlu stokastik
Ising modeli çalışıldı. Modelde, birbiriyle enyakın etkileşim içinde olan dipolar spinlerin oluşturduğu
bir-boyutlu molekül zinciri ele alındı. Her bir spin, moleküler zincir eksenine dik bir düzlem içinde
serbestçe dönebilmektedir.
Bu modelin analizinde Glauber’in dinamik Ising modeline dayanan Bozdemir’in geliştirdiği dielektrik
durulma modeli kullanıldı. Sonlu elemanlı bir zincir halkası ve sonsuz elemanlı dipolar zincir
molekülü için dipol korelasyon fonksiyonları hem periyodik hem de açık uçlu sınır koşulları için
analitik olarak elde edildi.
′=frekansabağlınormalizeedilmiş,permitiviteninnümerikanaliziyapıldı.Modelinniteldavranışının,lineer
Zaman-gecikmelibudipolkorelasyonfonksiyonlarınınFourierdönüşümündeneldeedilen,εω
polimer ve polimer çözeltileri, alkali halojenür sıvılar, katı kristal ve ferroelektrik gibi lineer zincir
moleküllü maddelerin dielektrik durulma verileriyle uyumlu olduğu görüldü.
S05
Yüksek Enerjili Elektron Radyasyonuna Dirençli Yarıiletken Bir Malzeme: ZnO
C. Coşkun, S. Tüzemen
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Atatürk Üniversitesi, 25240 Erzurum
Geniş (3.4 eV) ve direk bant aralığına sahip olan ZnO (çinko oksit) yarıiletken bileşiği, yüksek kırılma
voltajına ve yüksek erime sıcaklığına sahiptir. Bundan dolayı, yüksek frekans, yüksek güç ve sıcaklık
devrelerinde kullanılabilirler. Yüksek eksiton enerjisine sahip olmalarından dolayı da, UV laser ve
LED uygulamalarında gelecek vaat etmektedirler. Yaygın yarıiletken bileşiklere (GaAs, Si, CdTe vb)
nispetle yüksek enerjili elektron radyasyonuna karşı da oldukça dirençli olmaları nedeniyle parçacık
radyasyonunun yüksek olduğu uzay araştırmalarında ve karasal uygulamalarda (nükleer enerji
santralleri gibi) ümit verici adaylar olarak kabul edilirler. Bununla birlikte, elektron radyasyonu ile
oluşturulan ve ZnO tabanlı devre elemanlarının fiziksel özelliklerini belirleyen nokta kusurların,
malzemenin fiziksel parametrelerini ne şekilde etkilediğini bilmek önemlidir. Bu çalışmada, van de
Graaff elektron jeneratorü kullanılarak, farklı enerji (1-2 MeV), akım yoğunluğu (0.3-3 μA.cm-2) ve
radyasyon dozu (1x1015-5x1016) altında, Eagle-Picher tarafından büyütülmüş ZnO tek kristalindeki
fiziksel nokta kusurlar, sıcaklığa bağlı (100-300 K) in-situ Hall tekniğiyle incelendi. Bu elektron
radyasyonlarıyla, diğer nokta kusurlara ek olarak, düşük sıcaklıklarda birbirine zayıfca bağlı ve çok
kısa ömür süreleri olan Frenkel kusur çiftleri (VZn-ZnI) oluşturuldu. Bu kusurların serbest taşıyıcılar
için saçılma merkezleri olarak rol oynadığı ve düşük sıcaklıklarda mobilite değerini önemli miktarda
düşürdüğü gözlemlendi. Elektron radyasyonu ile oluşturulan diğer kusurlar (sığ akseptör ve donorlar)
arasında, düşük sıcaklıklarda dahi (< 200 K) güçlü bir "compansation" etkisi olduğu ve oda
sıcaklığında bile geride kalıcı kusurlar bırakmaksızın yok oldukları görüldü. Bu nedenle yüksek enerjili
elektron radyasyonu çalışmaları ortaya koyuyor ki; yaratılan kusurlar, oda sıcaklığının oldukça altında
yok olmakta ve bu da ZnO'i radyasyon ortamlarında çalışan yarıiletken tabanlı devre elemanları
teknolojisinde önemli bir aday malzeme yapmaktadır.
S06
Bir 4d Perovskitin Elektronik ve Yapısal Özellikleri : SrZrO3'ın Kübik Fazı
E. Mete, R. Shaltaf, Şinasi Ellialtıoğlu
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Orta Doğu Teknik Üniversitesi,06531 Ankara
Son yıllarda zirkonyum bazlı perovskitler dielektrik ve elektronik özelliklerinden dolayı büyük ilgi
toplamaktadır. Bu çalışmada yüksek sıcaklıkta, 1400 K üzerinde, kübik faza sahip yalıtkan bir 4d
perovskit olan SrZrO3'ın elektronik ve yapısal özelliklerini incelemek için yerel yoğunluk yaklaşımında
ilk-prensip yoğunluk fonksiyonel hesabı yapıldı. Benzer bir hesaplama, kıyaslama amacı ile, yine bir
bant-yalıtkan ve 105 K üzerinde kübik fazda jenerik bir 3d perovskit olan SrTiO3 için de
gerçekleştirildi. Her iki oksit için enerji bantları, durum yoğunlukları ve yük yoğunluk dağılımları elde
edilerek bant yapıları arasında kıyaslamalar ayrıntılı olarak sunuldu, ve elde edilen bu sonuçlar
literatürdeki mevcut veriler ışığında yorumlandı.
S07
InN Örneklerde Aktivasyon Enerji Seviyelerinin Düzlemsel Fotovoltaj Ölçümlerinden Elde
Edilmesi
E. Tıraş, D. Zanato*, N. Balkan*
Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, 06532 Ankara
*Optoelectronics Group, Dept. of ESE, University of Essex, Colchester, CO4 3SQ, UK
InN örneklerin tuzak aktivasyon enerji seviyeleri, düzlemsel fotovoltaj ölçümleri (In-plane
photovoltage, IPV) ile , 93-300 K sıcaklık aralığında, 0-2.3 W laser ışıma şiddeti altında incelendi.
Deneylerde kullanılan örneklerin elektronik ve optik karakterizasyonu, klasik magnetotransport
(elektriksel direnç ve zayıf magnetik alan Hall direnci) ölçümleri 77-300 K sıcaklık aralığında;
fotolüminesans ölçümleri ise oda sıcaklığında yapıldı. Deneysel IPV verileri, kuramsal IPV modelleri
ile karşılaştırılarak, InN örneklerde tuzak aktivasyon enerji seviyeleri 54-68 meV aralığında elde edildi.
Klasik magnetotransport deneylerinden örneklerin Hall taşıyıcı yoğunluğu ve Hall mobilitesi InN
tabaka genişliği ve sıcaklığın fonksiyonu olarak elde edildi. Hall taşıyıcı yoğunluğu ve Hall
mobilitesinin sıcaklıktan bağımsız olduğu gözlendi. Bu veriler kullanılarak InN örneklerde
elektronların saçılma mekanizmaları tartışıldı.
S08
Kompleks Perovskit Yüksek Sıcaklık Süperiletkenlerde Durum Yoğunluğu, Kızılötesi (IR) ve
Raman Spektrumu Arasındaki İlişki
F. Karadağ, A. Ekicibil, A. Coşkun, B. Özçelik
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Çukurova Üniversitesi, 01330 Adana
Bu çalışmada; perovskit yapıda olan LaBaCaCuO, YBaCuO ve BiSrCaCuO yüksek sıcaklık
süperiletken sistemleri için bazı yeni teorik sonuçlar elde edilmiştir. Bu sonuçlar LADY ( Lattice
Dynamics ) programı kullanarak sağlanmıştır ve çalışmada durum yoğunluğu, kızılötesi ile Raman
spektrumu ve entropi ile ısı kapasitesi gibi bazı termodinamik özelliklerin hesaplanması
gerçekleştirilmiştir. YBaCuO için Raman spektrumunu 3800 ve 6300 cm-1 frekans aralığında ve ayrıca
Infrared aktif modlarınıda 200-800 cm-1 frekans aralığında yoğunlaşmış olarak gözlemlenmiştir.
Bundan başka fonon durum yoğunluğunun aynı frekans aralığında yoğunlaşmış olduğu görülmüştür.
Ayrıca, bu malzemelerde izotop etkisi (O16 → O18 ) araştırılmış ve mevcut çalışmada sonuçlar
malzemelerin süperiletkenlik özellikleri ile karşılaştırılmıştır.
S09
Derin Seviye Tranzient Spektroskopy ile Isıl İşleme Tabi Tutulmuş GaTe Yarıiletkeninin
Elektriksel Karakterizasyonu
H. Efeoğlu, A. R. Peaker*
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Atatürk Üniversitesi, 25240 Erzurum
*University of Manchester Institute of Science and Technology, PO Box 88, Manchester, M60 IQD, UK
Tabakalı yapıda kristalleşen p-GaTe yarıiletkeninde derin seviyelerin karakterizasyonu DLTS (Deep
Level Transient Spectroscopy) kullanılarak yapıldı. Yönlendirilmiş katılaşma metodu ile büyütülen
GaTe kristal dilimleri üzerinde fabrikasyonu yapılan Al/GaTe/In yapılarda 300-140 K arasında akım
iletim (I-V) mekanizmasının termal emisyon modeli ile uyumlu olduğu tespit edildi. I-V ölçümlerinde
verilen sıcaklık aralığında idealite faktörü 1.055 - 1.141 ve görünür engel yüksekliği 0.649-0.618 eV
arasında çok az bir değişim gösterdi. İlk kez bu çalışmada Al tabanlı Schottky yapılarda yapılan DLTS
ölçümlerinde büyütme sonrası hiçbir işleme tabi tutulmamış GaTe yarıiletkeninde valans bandı
üzerinde altı adet akseptör seviyesi T1, T2(408 meV), T3(448±10 meV), T4(580±14 meV), T5(659±25
meV), T6(837 meV) tespit edildi. Burada T1 akseptör seviyesinin sıra dışı bir davranışından dolayı
geleneksel DLTS ölçümleri ile aktivasyon enerjisi tespit edilemedi. Azot gazı altında 200-600 oC
aralığında yapılan ısıl işlem sonucunda GaTe’in yüzeyine yakın 0.2 μm kalınlığındaki bölge içinde T6,
T5 derin seviye yoğunluğunda bir artışın olduğu daha derinlerde ise T4 seviyesinin baskın olduğu ve
külçe içinde ise T2 veya T3 tuzak seviyesinin yalnız başına var olduğu DLTS ölçümlerinde ortaya
kondu. Bu ölçümler azot gazı altında ısıl işlem sonucunda GaTe’in yüzey kompozisyonunda önemli
değişimlerin olduğu ve külçe içinde T4, T5 ve T6 derin seviyelerinin yoğunluğunda önemli bir
azalmanın olduğu tespit edildi. Kısmen derin seviye yoğunluğunun azaltılması GaTe’in elektriksel
özelliklerinde bir iyileştirmeye yol açmasına rağmen yüzeyde ortaya çıkan aşırı derin seviye yoğunluğu
azot gazı altında ısıl işlemin bu maksat için uygun olmadığını göstermektedir. Bu maksatla sıvı azot
tuzaklı bir vakum sisteminde 10-5 torr basınç altında quartz tüp içinde bir miktar 6N Te ile kapatılan
GaTe kristali 24 saat süre ile 400 oC de ısıl işleme tabi tutuldu. Isıl işlem sonucunda GaTe’in yüzeyinde
madde kaybı oluştuğu gözlenmiş olup kristal külçe içinden hazırlanan numuneler üzerinde yapılan
ölçümlerde derin seviye yoğunluğunun yaklaşık bir mertebe azaldığı tespit edildi. Bu işlem sonucunda
Ga ve Te ‘in 400 oC de kısmi buhar basıncının çok düşük olmasına rağmen Ga-Te’in bileşik halinde
külçe kristali terk edebildiği bulunmuş olup büyütme sonrası külçe GaTe’in uygun ısıl işlem ile
elektriksel özelliklerinin iyeleştirilebileceği ortaya kondu.
Bu çalışma TBAG 1828 nolu proje kapsamında desteklenmiş olup, DLTS ölçümleri NATO B2 burs
desteği ile UMIST, Manchester/UK de yapılmıştır.
S10
Mie Teorisi ve Homojen Olmayan Sıvılarda Işık Saçılması
H. Şahan
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Çukurova Üniversitesi, 01330 Adana
Bu çalışmada; homojen olmayan süspansiyon sıvıların (örneğin, içerisinde atık maddeler bulunan deniz
suyu ve farklı kimyasal karışımlı sıvılar) yapısal ve fiziksel özellikleri Mie saçılma yöntemi ile
incelenmiştir.
Bilindiği gibi, sıvılardaki homojenliği bozan bu yapıları birer saçılma merkezi olarak kabul edebiliriz.
O zaman saçılma merkezlerinin yapılarını düzlem, silindir, elipsoid olarak ele alarak bu merkezlerden
saçılan elektromanyetik dalgaları T- matris yöntemi ile analiz edebiliriz. Bu çalışmada, dispersiv ortam
olarak, 0°C sıcaklık, ‰ 35 tuzluluk oranına sahip, 4000 Ao dalga boyunda No = 1.35141 – ik (kırılma
indisinin imajiner kısmı; k=0.005, 0.01, 0.05) kırılma indisine sahip deniz suyu ve bu suyun içinde
saçılma merkezi olarak kabul ettiğimiz sırasıyla kırılma indisi; N1 = 1.16 – ik (k=0.005, 0.01, 0.05)
olan quartz, kırılma indisi N2 = 1.17 – ik (k=0.005, 0.01, 0.05) olan kaolinit ve kırılma indisi; N3= 0.14
– ik (k=0.005, 0.01, 0.05) olan montmorillonit olan parçacıklar için ışık saçılması incelendi. Sistemimiz
yan yana dizilmiş ve birbirinden bağımsız (basit yaklaşım) farklı kırılma indislerinden oluşan çok
katmanlı bir plaka sistemi olarak tasarlandı. Bu çok katmanlı plaka sisteminde, sistemin x ekseni
boyunca sıralanan her bir katmanın kalınlığı göreli olarak 4’er birim olmak üzere 0 – 20 büyüklük
parametresi arasında belirlendi. Plaka dizisinin ekseni (+x) doğrultusunda olmak üzere, belirlenen
materyal eksenine dik (TM–polarizasyonlu) elektromanyetik dalga gönderildi. Böylece katmanların
kalınlığına (büyüklük parametresine) bağlı olarak, geçen ışık şiddetinin değişimi elde edildi ve bu
hesaplamalar sonucu saçılma merkezlerinin morfolojisi (yapısı) belirlendi.
S11
Düzlemsel Süperiletkenler İçin e-ph Eliashberg Teorisi
I.N. Askerzade, B.Tanatar*
Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Ankara Üniversitesi, 06100, Beşevler, Ankara
*Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Bilkent Üniversitesi, Ankara
Kuprat superiletkenlerin, magnesium dibörürün MgB2’un kristal yapısının düzlemsel karaktere sahip
oldugu ve bu superiletkenlerde nonadiabatik (Fermi ve Debye enerjilerinin aynı mertebede oldugu
durumda) elektron-fonon etkileşmesinin önemli oldugu kabul görmektedir. Genelleştirilmiş anisotropic
Eliashberg teorisi kullanılarak kritik sıcaklık Tc hesaplanmıştır. McMillan yaklaşımında anisotropinin
ve nonadiabatik elektron-fonon etkisinin kritik sıcaklıgı artırdıgı tespit edilmistir.
Bununla yanısıra Eliashberg teorisinin zayıf elektron-fonon etkileşmesi yaklaşımında (BardeenCooper-Schrieffer modeli) Tc-nin elektronların konsentrasyonuna bagımlılıgı araştırılmıştır. Düzlemsel
superiletkenlerin plasmon spektrumu araştırılmış ve üst örgü modeli kapsamında metalın kalınlıgı
arttıkca plasmon frekansının azaldıgı gösterilmiştir.
S12
Hg1-xCdxTe Yarıiletken Bileşiğinde Taşınım Özelliklerinin Monte Carlo Yöntemiyle İncelenmesi
M. Akarsu, Ö. Özbaş
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Osmangazi Üniversitesi, Eskişehir
Hg1-xCdxTe yarıiletken bileşiğinde elektron taşınımı x=0.2 ile x=1. aralığında Monte Carlo
simulasyonuyla incelendi. Elektron sürüklenme hızı uygulanan elektrik alanın fonksiyonu olarak
belirlendi. Simulasyona dahil edilen saçılma mekanizmaları; kutupsal optik fonon, akustik fonon,
iyonize safsızlık ve alaşım saçılmalarıdır. x=0.2 için düşük alan mobilitesi örgü sıcaklığının
fonksiyonu olarak belirlendi. Elde edilen sonuçlar literatürdeki deneysel verilerle kıyaslandı.
S13
Bose-Einstein Yoğunlaşmış Gazların Dönen Anizotropik Potansiyel Altında Girdap (Vortex)
Örgüsü Yapıları.
M. Ö. Oktel
Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Bilkent Üniversitesi, Ankara
Bose Einstein Yogunlasmis (BEY) bir gaza etki eden donen, anizotropic bir potansiyelin yarattigi
girdap orgulerini inceledik. Ilk olarak boyle bir potansiyelde tek parcacik problemini ele alarak,
yakinlasma yapmadan, tek parcacik dalga fonksiyonlari icin analitik ifadeler elde ettik. Parcaciklar
arasi etkilesimlerin kuvvetine bagli olarak cok sayida veya birkac girdap'in girdigi durumlari ayri ayri
analiz ettik. Cok sayida girdap bulundugu durumda gazin yogunluk profilini hesapladik ve orgunun
anizotropiye ragmen duzgun bir ucgen orgu kaldigini gosterdik. Ayrica orgunun temel
duzlemlerinin(lattice planes) anizotropi yonune paralel dizildigini bulduk. Birkac girdap bulundugu
durumda ise sayisal hesaplama yaparak orgu yapilarini elde ettik. Bu yapilarin izotropik bir potansiyel
altinda olusan yapilardan cok farkli oldugunu gozlemledik.
S14
Bileşik Magnetik Yapılarda Dört-Spin Etkileşiminin Temel Durum ve Magnon Spektrumuna
Etkisi
B. Guliyev, R. Eminov, N. Yıldız
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Yüzüncü Yıl Üniversitesi, Van
Magnit kristallerde 4-spin etkileşiminin temel duruma, rezonans frekanslarına ve spin dalgalarının
enerjisine etkisi incelenmiştir. Bu etkinin tek eksenli kristallerde dış magnit alanın büyüklüğüne ve
yönüne bağlı olduğu tespit edilmiştir. Magnetik alanın simetri eksenine dik doğrultudaki durumunda
alanın belli değerlerinde birinci ve ikinci tür faz geçişlerinin gerçekleşebilmesi görülmüştür.
Dört-spin etkileşimi faz geçiş noktalarının ve sistemin bu noktalar civarında davranışını değiştirdiğini
gösteren ifadeler bulunmuştur. Ayrıca magnon spektrumunda (  k )) 4-spin etkileşiminin katkısı
değerlendirilmiş ve bu katkının rezonans noktalarını değiştirebileceği görülmüştür. Bulunmuş sonuçlar
tek eksenli magnit kristallere, örneğin C6Eu türü yapılara uygulanabilir ve rezonans olaylarının
deneysel sonuçlarına dayanarak 4-spin etkileşim parametreleri değerlendirilebilir.
S15
Tam Yansıtan ve Tam Yansıtmayan Çok Katlı Optik İnce Filimlerin Hazırlanması ve
Karakterizasyonu
Ö. Duyar
Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, 06532 Ankara
İnce filimler, temel taşları olan atomların ya da moleküllerin, kaplanacakları yüzeye vakum ortamında
tek tek dizilmesi ile hazırlanan, kalınlıkları 100 Å ile 10 μm arasında değişen kaplamalardır. Daha kalın
kaplamalar kalın filim olarak adlandırılırlar.
İnce filimler mikroelektronikte yaygın olarak kullanıldığı gibi, optik uygulamaları açısından da çok
büyük öneme sahiptir. Optik kaplamalar, son yıllarda geniş kullanım alanları nedeni ile geniş bir ürün
yelpazesine ve ekonomik pazara sahiptir. Gösterici ekranlardan, lazerlere, yakın UV’den yakın
kırmızıaltı bölgeye kadar pek çok amaçlı kullanılabilen geniş ve dar band geçiren optik filtrelere, ve
güneş pillerine kadar sivil endüstrinin ihtiyacı olan optik sistemlerde kullanım alanı buldukları gibi,
özellikle savunma sanayiinin ihtiyacı olan gece görüş sistemlerinden, güdümlü füzelere ve ısıl
kameralara kadar pek çok optik sistemlerde kullanılmaktadırlar. Ayrıca, çeşitli aynalar ve özellikle
binalardaki enerji tüketimini azaltmakta kullanılan mimari camlarda da çok yaygın olarak
kullanılmaktadırlar.
Optik ince filimlerin çoğu elektromagnetik spektrumun UV, görünür ve IR bölgelerinde çalışmak üzere
hazırlanır. Elektromagnetik spektrumda çıplak gözle görünür bölge yaklaşık olarak 400-700 nm
arasında uzanır. Kızılötesi bölge ise görünür bölgenin kırmızısından itibaren λ=1000000 nm’ye kadar
uzanan bölge olarak alınır. Kızılötesi, yakın orta ve uzak kızılötesi bölgeler olmak üzere üç bölgeye
ayrılır. Dalgaboyu 700 –3000 nm arası yakın kızılötesi bölge, 3000-20000 nm arası orta kızılötesi bölge
20000-1000000 nm arası uzak kızılötesi bölgenin kapsamındadır. Askeri optiğin önemli bir kısmını
kırmızıaltı optik oluşturmaktadır. Bu bölgede çalışan filtreler, aynalar, mercekler için özel kaplamalar
yapmak gerekmektedir. Bu ışımanın algılanması teknolojik ve bilimsel açıdan büyük önem taşır. Gece
görüş sistemleri, güdümlü füzeler, ısıl kameralar bu ışımanın algılanması prensibine göre çalışmaktadır.
Doktora tez çalışmalarım kapsamında, elektromagnetik spektrumun görünür ve yakın kızılötesi
bölgelerinde, tam yansıtan ve tam yansıtmayan çok katlı optik ince filimlerin tasarlanması, uygun ince
filim büyütme teknikleri kullanılarak hazırlanması ve optik karakterizasyonlarının yapılması
amaçlanmaktadır. Bu filimler görünür ve IR bölgelerde çalışan mercek ve pencere yapımında
kullanılırlar. Optik filimlerin tasarımı için temel olarak matris methodu kullanılmaktadır. Bu methodun
temeli, bütün yansıtılmış ya da geçirilmiş demetlerin elektrik ve magnetik alan bileşenlerinin Maxwell
denklemlerinin sınır şartlarını sağlayacak şekilde toplanmasıdır. Çok katlı ince filimlerin tasarımında
kullanılan oldukça detaylı analizler bilgisayar teknikleri sayesinde kolaylaşmaktadır. Bu sunum
çerçevesinde, tam yansıtan ve tam yansıtmayan optik çok katlı filmlerin tasarımı ve bilgisayar destekli
yapılan teorik çalışmalar anlatıldıktan sonra, yapılan deneysel çalışmalardan bir kaç örnek
verilecektir.
S16
A Study of Mg Adsorption On Si(001) Surface From First Principles
R. Shaltaf, E. Mete, and Ş. Ellialtıoğlu
Department of Physics, Middle East Technical University, Ankara 06531
First-principles calculations using density functional theory based on norm-conserving
pseudopotentials have been performed to investigate the Mg adsorption on the Si(001) surface for 1/4,
1/2 and 1 monolayer coverages. For both 1/4 and 1/2 ML coverages it has been found that the most
favorable site for the Mg adsorption is the cave site between two dimer rows consistent with the recent
experiments. For the 1 ML coverage we have found that the most preferable configuration is when both
Mg atoms on 2×1 reconstruction occupy the two shallow sites. We have found that the minimum
energy configurations for 1/4 ML coverage is a 2×2 reconstruction while for the 1/2 and 1 ML
coverages they are 2×1
S17
La1-xRxMn2Si2 (R:nadir yer elementi) Alaşımlarında Mn Alt Örgüsündeki Magnetik Faz
Geçişlerinin Evrensel Davranışı
I. Dinçer, A. Elmalı, Y. Elerman
Fizik Mühendiliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Ankara Üniversitesi, Beşevler, Ankara
RMn2X2 (R: nadir yer elementive X: Si veya Ge) alaşımlarındaki 3d(Mn) ve 4f(nadir yer elementi) alt
örgüleri arasındaki etkileşmesi cok değişik ilginç spinşekillenimlerine neden olmaktadır. RMn2Ge2 (R:
hafif nadir yer elementi) ve LaMn2Si2 alaşımlarında, Mn alt örgüsünün tabakalar arası magnetik
etkileşimi ferromagnetiktir. Buna karşın bu etkileşim RMn2Ge2 (R: ağır nadir yer elementi) ve RMn2Si2
(R: hafif ve ağır nadir yer elementi) alaşımları için antiferromagnetiktir.
Zayıf alan mıknatıslanma ölçümlerinden, ilk kez grubumuz tarafından T~250 K yakınında,
mıknatıslanmada bir artış gözlenmektedir. Bu durum, Mn-momentlerinin doğrusal değilde, c-ekseni ile
küçük bir açı yapacak şekilde düzenlenmesi şeklinde açıklanabilir. Bu magnetik faz geçişi,
ferromagnetik karakterli olduğundan, düzlem içi bileşenlerin ferromagnetik düzenlenimde olduğunu
söyleyebiliriz. Bu düzenlenim ferromagnetik yapıda olduğu için, magnetik Bragg yansimalarının
şiddetlerinden gözlenmemesi doğaldır.
Örgü sabiti 4.06Å<a<4.09Å arasında olan örnekler ise, daha karışık magnetik yapıya sahiptirler.
Azalan sıcaklıkla paramagnetikten düzlem içi antiferromagnetik yapıya geçen Mn-momentleri, T<TC
(inter)’ de eğik yada konik ferromagnetik yapıda düzenlernirler. Dahada düşük sıcaklıklara gidildikçe,
azalan Mn-Mn uzaklığı ve nadir yer elementi alt örgüsünün düzenlenmesi ile, konik ferromagnetik
yapıdan, konik ferrimagnetik yapıya geçiş gözlenir. Bu magnetik geçiş, Mn momentlerinin düzlemler
arası antiferromagnetik düzenlenmesi ile ilgili olduğundan, bu geçiş sıcaklığıTN (inter), olarak
belirlenmiştir.
TN (inter), a’nın azalması ile, bir yay çizerek artmaktadır. A örgü parametresinin azalması, düzlem
içindeki Mn-Mn uzaklığını azaltacağından, Mn momentlerinin düzlemler arası antiferromagnetik
çiftlenimi giederek güçlenecek ve bu da Neèl sıcaklığının artmasına neden olacaktır.
Düşük sıcaklıkta nadir yer elementin alt örgüsünün düzenlenmesi ile, oldukça karmaşık magnetik
yapılar ortaya çıkmaktadır. Bunları aydınlatabilmek için, duyarlı nötron kırınım deneyleri
yapılmaktadır. Nadir yer elementi alt örgüsünün düzenlenme sıcaklığının, a örgü parametresi ile fazla
değişmediği belirlenmiştir [1].
[1] E. Duman, M. Acet, I. Dincer, Y. Elerman, A. Elmali, Journal of Magnetism and Magnetic
Materials, yayına kabul edildi
S18
Dört Boyutlu Ising Modeli İçin Bilinen Sonlu Örgü Ölçekleme ve Logaritmik Düzeltmeli Sonlu
Örgü Ölçekleme Fonksiyonlarının İncelenmesi
Z. Merdan1, R. Erdem2, A. Günen3
1,2
3
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Taşlıçiftlik, Tokat
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, Ankara
Dört boyutlu Ising modelinin, doğrusal boyutu L=4, 6, 8, 10, 12, 14, 16 olan periyodik sınır şartlı soyut
basit küp örgülerde, dört “bit”li demonlar kullanılarak Creutz Cellular Aotomaton ile simülasyonu
yapıldı. Simülasyondan elde edilen veriler bilinen sonlu örgü ölçekleme teorisi ve logaritmik
düzeltmeli sonlu örgü ölçekleme teorisine göre analiz edildi. Manyetik alınganlık için krik üs
γ
logaritmik düzeltme olmaksızın ν
α
γ
=2.2529 logaritmik düzeltmeli ν
α
=2.0057 , özısı için kritik üs
α
logaritmik düzeltme olmaksızın ν =-0.0715 logaritmik düzeltmeli ν =0.0932 ν =-0.1055 elde edildi.
Logaritmik düzeltmeli ölçekleme fonksiyonundan elde edilen kritik üslerin daha önceki çalışmalarla ve
literatürdeki değerlerle daha uyumlu olduğu gözlendi.