4. Sunum

BLG2109 – BİLGİSAYAR DONANIMI
DERS 4
Öğr. Grv. Aybike ŞİMŞEK
Bellekler
Sadece bilgisayarda değil telefon, radyo, TV vs. birçok cihazda
kullanılır.
Bütün bu cihazlar farklı türde bellekleri farklı amaçlar için
kullanırlar.
Genel olarak bellekler elektronik bilgi depolama üniteleridir.
Bilgisayarlarda kullanılan bellekler işlemcinin istediği bilgi ve
komutları maksimum hızda işlemciye ulaştıran ve üzerindeki
bilgileri geçici olarak tutan depolama birimleridir.
İşlemciler her türlü bilgi ve komutu bellek üzerinden alırlar.
Bilgisayarın açılışından kapanışına kadar sağlıklı bir şekilde
çalışmak zorunda olan en önemli bilgisayar bileşenlerinden
biridir.






2
Bellek Çeşitleri
ROM






ROM – mask programmed
PROM – Programmable ROM
EPROM – Erasable Programmable ROM
EEPROM – Electrically Erasable Programmable ROM
FLASH
RAM



3
Static RAM (SRAM)
Dynamic RAM (DRAM)
Read Only Memory (ROM)
Sadece okunabilen bellek türleridir.
Üzerinde üretici firmanın yüklemiş olduğu yazılım bulunur.
Bilgisayarın açılışında bulunan BIOS yazılımı da bir ROM
çip üzerinde (flash bellekte) bulunur.
Sadece okunabilen bellekler beş farklı şekilde üretilirler:









4
ROM
PROM
EPROM
EEPROM
Flash
ROM
Sadece okunabilen bellektir.
Bir defaya mahsus olmak üzere üretim esnasında
programlanır.
Elektrik kesilmesi halinde bile içindeki bilgiler güvenli ve
kalıcıdır.



5
PROM
Genellikle boş olarak satılan PROM çipi bir defaya mahsus
olmak üzere kullanıcı tarafından programlanabilir.
Programlama işlemi için CD yazıcıya benzeyen özel bir
cihaz kullanılır.
PROM çipler diğer ROM belleklere nazaran daha
hassastırlar.
Statik elektrikten bile etkilenerek içindeki bilgiler
bozulabilir.




6
EPROM
PROM çiplere benzerler. PROM’dan tek farkı kullanıcı
tarafından yazılım desteği ile silinebilme özelliğinin
olmasıdır.
Aynı çip üzerine defalarca yazma ve silme işlemi yapılabilir.
Bilginin silinebilmesi için ultraviyole (UV) ışını kullanılır.
Yeni bir bilgi kaydının yapılabilmesi için öncelikle eski
bilginin tamamen silinmesi gerekir.
Yazma ve silme işlemleri için çip üzerinde bulunan pencere
kullanılır.
Her programlama işleminden sonra pencere üzerindeki
bant mutlaka kapatılmalıdır.
EPROM’ların programlanmasında kullanılan özel cihazlar
vardır.







7
EEPROM
EPROM’daki UV ışınları yerine elektriksel olarak yazma ve
silme işlemi yapılan ROM’lardır.
Fakat çipin sadece belirli bir bölümü yeniden yazılabilmek
için silinmeye uygundur.
Bir seferde 1 Byte veri yazma kapasitesi olduğundan çok
yavaş belleklerdir.



8
FLASH
Flash bellekler de birer EEPROM’dur.
Fakat aynı teknoloji ürünü olan gelişmiş ve çok daha hızlı
belleklerdir.
Flash bellekler bir seferde 512 Byte yazma kapasitesine
sahiptir.
Flash belleklerin kendi içinde kullanım alanına göre
değişen birçok çeşidi vardır.
Bilgisayarlarda flash bellekler daha çok BIOS ile birlikte
kullanılır.






9
SSD Flash
Bellek Çeşitleri

ROM






ROM – mask programmed
PROM – Programmable ROM
EPROM – Erasable Programmable ROM
EEPROM – Electrically Erasable Programmable ROM
FLASH
RAM


10
Static RAM (SRAM)
Dynamic RAM (DRAM)
RAM (Random Access Memory)






Bilgisayarda verilerin geçici olarak depolandığı hafıza birimidir.
RAM’ler bilgisayarın açılması esnasında kullanılan en önemli iki
birim olan işlemci ve depolama ünitelerinin uyum içerisinde
çalışabilmesi amacıyla iki birim arasında yer alır.
Depolama üniteleri işlemcinin hızına ayak uyduramayacak kadar
yavaştır.
İşlemcinin istediği bilgileri depolama ünitelerinden zaman
kaybetmeden alınması amacıyla işlemci ile depolama
ünitelerinde rastgele erişimli bellekler kullanılır.
Ana bellek olarak kullanılan bu tür belleklere rastgele erişimli
denmesinin sebebi herhangi bir hücresinde bulunan bilgiye
doğrudan erişim imkanının olmasıdır.
Rasgele erişimli olması sayesinde sıra gözetmeksizin belleğin
istenen adresindeki veriler okunup yazılabilir.
11
RAM (dvm)




RAM’lerin tam anlamıyla karşıtı olan bellekler SAM (Serial
Access Memory)’lerdir.
Bu tür belleklerde bilgiye erişim belirli bir sıra takip
edilerek sağlanır.
Bu erişim metoduna benzeyen en güzel örnek teyp
kasetlerdir.
Günümüzde kullanılan modern bilgisayarlar dört ana
görev noktasında RAM kullanırlar. Bunlar L1, L2, L3
önbellekleri ile ana sistem belleğidir.
12
SRAM(Static RAM)



Önbellek olarak kullanılan L1, L2, L3 önbellekleri için
SRAM teknolojisi kullanılır.
SRAM teknolojisi, transistör kullanan, çok hızlı çalışan ama
bir o kadar da pahalı bir teknolojidir.
SRAM teknolojisi asenkron, senkron ve pipeline burst
isimleri altında üç bölüme ayrılır.



13
Asenkron SRAM, sistem saat frekansına bağlı olmadan çalışan
ve L2 önbelleği olarak kullanılan eski bir SRAM teknolojisidir.
Senkron SRAM, sistem saati ile uyumlu çalışan, daha hızlı ve
daha pahalı bir SRAM teknolojisidir.
Pipeline burst SRAM, günümüzde yaygın olarak kullanılan bir
seferde ana belleğe daha fazla bilgi gönderebilen bir SRAM
teknolojisidir.
SRAM (dvm)



İşlemcinin bütün işlemler için Ram ile iletişim kurması
işlem zamanının artmasına neden olur.
Bu nedenle, uygulama sırasında sıkça icra edilen
komutların işlemci tarafından kolayca alınabileceği bir yer
olan ana bellek ile işlemci arasına önbellek (cache)
konulmuştur.
Önbelleğin tek amacı işlemci ile ana bellek arasındaki hız
farkının olumsuz etkisini düşürüp, işlemci bekleme
zamanını en aza indirmektir.
14
SRAM (dvm)
15
SRAM (dvm)


Örneğin coğrafya dersi anlatan bir öğretmenin ihtiyacı
olan malzemeleri sınıfa getirmeyip her seferinde harita
odasına gidip alması önbelleği kullanmayan bir işlemcinin
çalışmasına benzerken, ihtiyaç duyduğu malzemeleri sınıfa
getirip ihtiyaç duydukça sınıftan alıp kullanan öğretmen ise
önbelleği kullanan bir işlemciye benzetilebilir.
Sürekli dersi bölerek harita odasına gidip gelen öğretmen
1
ders süresinin ünü boşa harcamış olur.
4

İşlemcinin önbellek olmadığı için ana belleğe başvurduğu
süre kullanıcının zamanı ve işlemcinin performansı
açısından büyük bir kayıptır.
16
SRAM (dvm)




Önbellek L1(dahili) ve L2(harici) olmak üzere iki şekilde
kullanılır.
Harici önbellek(L2) anakart üzerinde yer alır.
Her iki ön belleğin aktif olarak kullanılabilmesi için BIOS
setup’ta Level1 Cache ve Level2 Cache seçeneklerinin
mutlaka aktif olması gerekmektedir.
Pasif kalmaları halinde mevcut önbellek fiziksel olarak
bulunmasına rağmen sistem tarafından kullanılmaz.
17
L1 Önbelleği



İşlemci üzerinde yer alan ana önbellektir.
Sık kullanılan komut ve fonksiyonların
bölümdür.
En hızlı önbellek L1’dir.
18
tutulduğu
L2 Önbelleği



İkincil önbellek alanıdır.
Anakart ya da işlemci üzerinde bulunabilir.
Asıl amacı çok sık kullanılan komut ve fonksiyonları
üzerinde tutarak tekrar aynı istek işlemciden geldiğinde
işlemi daha hızlı gerçekleştirerek performans artışı
sağlamaktır.
19
L3 Önbelleği



Hem işlemci hem de anakart üzerinde L2 önbelleği olması
halinde anakart üzerindeki L2 önbelleği L3 olarak
tasarlanır.
Amacı L2 ile aynıdır.
Intel i7 L3 cache 8 MB
20
DRAM (Dynamic RAM)



Dinamik RAM bilgisayarlarda bellek olarak kullandığımız bellek
modelidir.
DRAM teknolojisinde kondansatör ve transistör birlikte
kullanılmıştır.
Veriler kondansatörde tutulurken, anahtarlama işlemi için
transistörler kullanılır.




Kondansatör bilgi depolar, transistor ise bilginin okunması ve
değiştirilmesi için kullanılır.
DRAM içinde bulunan kondansatörler üzerinde bilgiyi
tutabilmek için saniyede binlerce defa tazelemeye ihtiyaç
duyarlar.
Dinamik RAM’ler isimlerini bu tazeleme(yenileme) işleminden
almışlardır.
DRAM’lerin SRAM’lerden daha yavaş çalışmasının nedeni de
budur.
21





DVD ve I/O portlarından gelen ve giden veriler geçici
olarak RAM üzerinde işlenmek üzere tutulur.
RAMler üzerindeki bilgiyi tutabilmeleri için elektrik
enerjisine ihtiyaç duyarlar. Elektrik enerjisi kesildiğinde
üzerlerindeki verilerde kaybolur.
Elektrik yükü prensibi ile çalışır. Veriler elektrik yükleri ile
temsil edilerek hafızada tutulur.
Kondansatörde elektrik yükü varsa 1 yoksa 0 kabul edilir.
Kondansatörler iki plaka arasına yalıtkan malzeme
konulmasıyla elde edilir.
22




RAM, her bir hücresi bir transistor ve kapasitörden oluşan
2 boyutlu(satır ve sütunlardan oluşan) matris yapıya
sahiptir.
Hücreler şarj edilirken hücre hücre değil, satır satır edilir.
Verileri tazeleme oranı(refresh rate) satır bazında
değerlendirilir.
Örneğin 2K tazeleme oranına sahip bir bellekte 2048
adet satır tazeleniyor demektir.
23




Precharge: Okuma ve yazma öncesi hafıza gözlerinin şarj
edilmesi için kullanılan bir terimdir.
CAS-Column Address Strobe Latency (Sütun
Adresleme Darbe Gecikmesi): SDRAM üzerinde istenen
bir sütunun adreslenmesi için harcanan saat çevrim (clock
cycle) sayısıdır. Gecikmeyi ifade eder. CL2(CAS2) ifadesi, 2 saat
darbesinde, CL3(CAS3), 3 saat darbesinde gerçekleştiği
anlamına gelmektedir. Gecikme ne kadar az ise bellek o kadar
hızlıdır.
RAS-Row Address Strobe Latency(Satır Adresleme
Darbe Gecikmesi): CAS gibi SDRAM üzerinde istenen bir
satırın aktif olabilmesi için gereken darbe işaret sayısıdır. Az
olması belleğin hızlı olduğunu gösterir.
RAS to CAS: RAS ve CAS işlemleri arasındaki bekleme darbe
miktarını gösterir.
24

RAS Precharge: Precharge ve aktif komutları arasındaki
darbe işareti cinsinden zaman farkını gösterir. Precharge
komutu RAM’i meşgul gösterirken aktif komutu ise
RAM’in okuma yazmaya açık olduğunu gösterir. Precharge
durumundaki bir hafıza gözü okuma ve yazma işlemlerine
tepki gösteremez.
25


SPD(Serial Presence Detect): RAM üzerinde bulunan
ve içerisinde RAM le ilgili zamanlama ve frekans
parametrelerini tutan EEPROM hafıza yapıdır. Amaç
bilgisayar açıldığında BIOS’a RAM’i tanıtmaktır.
Bank: Hafıza soket veya modüllerinden oluşan sanal bir
birimdir. Bir bellek 2 veya daha fazla banka sahip olabilir.
Günümüzde bellekler daha çok 4 banka sahiptir. Hafızada
bir bilgiye ulaşmak için bank, satır ve sütun adreslerinin
bilinmesi gerekmektedir. Burada amaç eş zamanlı olarak
bir bankta veriler işlenirken diğer bank aynı anda
tazelenebilmektedir(şarj). Bu işlem dolayısıyla bant
genişliğini ve performansı artırmaktadır.
26


Bursting: Hafızaya ardışık veri aktarımı veya hafızadan
ardışık veri transferi sırasında her bir hafıza gözünün
okunması veya yazılması için onay verilmesini beklemeden
belirli uzunluktaki(burst length) verinin transferini
gerçekleştirmeyi sağlar. Bu teknikle performans artmış
olur.
Günümüzde DDR SDRAM(double-data-rate synchronous
dynamic random access memory), DDR2 SDRAM, DDR3
SDRAM ve yeni piyasaya giren DDR4 SDRAM yapıda
hafıza ürünleri kullanılmaktadır. Anakartın desteğine göre
RAM seçimi yapılmalıdır.
27



Bilgisayarda RAM ihtiyacı olduğunda işletim sistemi
tarafından HDD üzerinde RAM gibi kullanılmak üzere
virtual memory(sanal bellek) diye adlandırılan bir alan
ayrılır.
Bundan sonra bu alan, ek RAM olarak kullanılır. Bu durum
tüm açık uygulamalarda gözle görülür bir yavaşlamaya
hatta donmalara neden olur.
Bir işlemci RAM’i 200 ns’de işlerse HDD ayrılan bu alanı
12.000.000 ns’de işler. Bu demektir ki; işlemci RAM
üzerinden 3.5 dakikada bitirdiği aynı işi, HDD ile 4.5 ayda
bitirecekti.
28






Bir işlemci RAM üzerindeki veriye ihtiyaç duyduğunda hafıza
kontrol devresine(MCH=Memory Control Hub) istekte
bulunur.
MCH bu isteği RAM’e aktarır ve MCH veri okunmaya hazır
olduğunda bunu CPU’ya rapor eder.
CPU-MCH-RAM-MCH-CPU arasında gerçekleşen bu işlemler
RAM’in ve veriyolunun yapısına göre değişiklik gösterebilir.
RAM’in aldığı bir talebe karşılık vermesi için geçen süreye
Access Time (erişim süresi) denir.
Hafıza modülleri 80-50ns arasında değişen Access Time
sürelerine sahiptir.
Sürenin kısa olması modülün hızını gösterir.
29
30
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)







Günümüzde kullanılan sistem yollarına ayak uyduramayacak
kadar yavaştır.
Yerini yıllar önce tamamen EDO RAM’lere bırakmıştır.
60 ve 70 ns hızlarında çalışmaktadır.
Bellek kontrolcüsünün bellek içerisinde bir yere ulaşması için o
adresin tam olarak verilmesi gerekir.
Normal RAM’lerde adres sürekli olarak her işlem sonrasında
yeniden istenir ve yeni bir işlem muamelesi görür.
FPM’de ise komutun ilk icrası sırasında verinin tam adresi
bulunur ve sonrasında yapılan işlemler için yeniden adres tespit
etmek yerine verinin devamına bakılır.
Fakat 33 MHz’den daha hızlı işlemcilerde veriler çok hızlı bir
şekilde istendiği için FPM RAM’ler sağlıklı çalışamazlar.
31
EDO RAM (Extended Data Out DRAM)





FPM RAM’in açığını kapatmak amacıyla performansı %30
oranında artırılarak EDO RAM geliştirilmiştir.
66 MHz’in üzerindeki veriyolu hızlarında çalışamazlar.
Bellek hızları genellikle 70,60,50 ns dir.
Anakart üzerindeki SIMM yuvalarını kullanırlar.
İşlem sırasında ilk önce başlatılan komut ya da istek
tamamlanmadan sonraki işlemleri başlatabilir.
32
BEDO DRAM (Burst EDO DRAM)



EDO RAM’lerin geliştirilmesiyle ortaya çıkmıştır.
Bir seferde daha fazla ve daha hızlı veri paketi
gönderebilme özelliği ön plana çıkmıştır.
66 MHz hızındaki veriyolu ile kullanılabilir ama üzerini
desteklemez.
33
SDRAM (Synchronous DRAM)







EDO RAM’den sonra geliştirilmiştir.
100 MHz sistem hızı ile senkron olarak çalışabilir.
İlk kez Pentium II ile beraber kullanıldı.
Senkron kontrol sayesinde bilgi alış verişi sistem saatine bağımlı
olarak yapılarak işlemcinin gereksiz bekleme süresi kaldırılmış
ve bilgiye çok daha hızlı erişim sağlanmıştır.
Anakart veriyolu hızı ve teknolojisinin gelişimine bağlı olarak
PC100 ve PC133 standartlarında iki ayrı tür olarak üretilmiştir.
64 bit veri genişliğine sahiptir. Günümüz bellek yapılarından en
az band genişliğine sahiptir.
DDR çeşit RAM’ lerin temelini oluşturur ve onlardan en az iki
kat yavaş çalışır. Dinamik bellek yapısındadır. 168 pine sahiptir.
34
DDR RAM




Günümüzde SDRAM’in yerini almıştır.
64 bit veri genişliğine sahiptir.
Veri transferi için, saat(clock) işaretinin alçalan ve yükselen
kenarlarını kullanan yapıya sahip, SDRAM çeşididir.
Dolayısıyla SDRAM’ e göre iki kat hızlıdır.
184 pin yapıdadır.
35
36

Üstte DDR SDRAM, altta SDRAM
37
RAMBus DRAM (RDRAM)






DDR RAM’den daha pahalıdır. Bu nedenle DDR RAM daha
yaygın olarak kullanılır.
Çalışma performansı en iyi olan RAM olmasına rağmen
fiyatının çok yüksek oluşu nedeniyle yaygın değildir.
Rambus şirketi tarafından geliştirilmiştir.
Paralel olarak çalışan kanallar sayesinde yüksek yüksek çalışma
hızına erişmiştir.
RDRAM’i diğer belleklerden farklı ve üstün yapan en büyük
özelliği en yakın takipçisi olan bellekten bile en az iki kat daha
hızlı çalışmasıdır.
Rambus modülleri yüksek çalışma hızı nedeniyle normalden
daha fazla ısınır, bu sorun modülün dış kısmında bir kılıf
şeklinde bulunan özel soğutucu ile ortadan kaldırılmıştır.
38
DDR2 Teknolojisi







DDR teknolojisinin bir sonraki adımıdır.
En büyük avantajı hızdır.
Performans artışı ve yüksek bant genişliği sağlar ve DDR
teknolojisine göre %28 daha az güç tüketir.
Fakat geriye dönük olarak uyumsuzdur, sadece DDR2 için
dizayn edilmiş anakartlarda kullanılabilir.
DDR belleklerde 184 pin bulunurken, DDR2 belleklerde
240 pin bulunur.
DDR2 standardı DDR standardında olduğu gibi 64 bit yol
genişliğine sahiptir.
Fakat çift kanal bellek desteği ile 128 bit yol genişliği
performansında çalışmaktadır.
39
DDR2 Teknolojisi (dvm)




DDR2 bellekler üzerinde bulunan yongalar hem şekil hem
de iç yapı itibariyle bir önceki nesil DDR belleklerde
bulunan yongalardan farklıdır.
1.8 V çalışma gerilimi ile çalışırlar ve bu nedenle daha az
ısınırlar.
Düşük çalışma gerilimi ile çalışması mobil sistemler için de
önemli bir avantaj sağlar.
Anakart üzerindeki DDR2 bellek yuvaları ile DDR bellek
yuvalarını birbirinden ayırmak ilk bakışta çok zordur. Bu
nedenle belleğin orta kısmında yer alan çentiğin anakart
üzerindeki bellek yuvasının yapısına uygun olup
olmadığına bakılır.
40
DDR3



64 bit veri genişliğine sahiptir. DDR yapıya sahiptir.
Fakat en az güç gereksinimine sahiptir.
DDR2 ye göre dahili geçici hafıza miktarı büyüktür. DDR3’
ün, I/O bus frekansı DDR2’ye göre iki katı hızda
çalışmaktadır. 240 pin yapıya sahiptir.
41
42
DDR4 SDRAM








Gerilimi azaltılmış, artan transfer oranları ve yüksek hızı ile çok daha
verimli bir hal almıştır.
En son RAM’ler yani DDR3’ler 2007 yılında çıktı fakat geliştiriciler
2005 yılında DDR4 üzerinde çalışmalara başlamıştı.
Samsung 2011 yılında ilk DDR4 belleğini imal etti.
DDR4 yongaları 2133MT/s (saniyede milyon transfer) ve 4266MT/s
arasında transfer hızına sahip.
Karşılaştırma olarak DDR3 teknolojisi 800-2133MT/s’ye sahip.
Hal böyle olunca DDR4 için çok daha güçlü bilgisayarlar ve işlemciler
gerekecektir.
Bu yeni bellek aynı zamanda 1,2 Volt ve daha düşük güç kullanır.
Bu düşük güç tüketimi telefon ve tabletler gibi taşınabilir cihazlarda
daha iyi pil ömrüne olanak sağlayacaktır.



43
DDR2: 400-1066 MT/s hızına sahip ve 1.8 Volt kullanıyor.
DDR3: 800-2133 MT/s hızına sahip ve 1.5 Volt kullanıyor.
DDR4: 2133-4266 MT/s hızına sahip ve 1.05 Volt kullanıyor.

Kingston HyperX Predator
16GB(4x4GB) 2400MHz
DDR4 Ram
(HX424C12PB2K4/16)


Crucial 8GB 2133MHz
DDR4 Ram
(CT8G4DFD8213)

44
1209 TL (hepsiburada.com,
mart 2015)
376 TL (hepsiburada.com,
mart 2015)
Bellek Modülleri



Bellekler ayrıldıkları gruplar itibariyle şekil ve pin sayısı
yönünden birbirinden farklıdırlar.
Bu nedenle sadece özellikleriyle değil, şekil itibariyle de
tanımak gerekir.
Genel olarak bellek modüllerini üç ana grupta
inceleyebiliriz:



45
SIMM – Single In-Line Memory Module
DIMM – Dual In-Line Memory Module
RIMM – Rambus In-Line Memory Module
SIMM






30 ve 72 pinden oluşan sistemler için kullanılan modüldür.
30 pinli modüller Intel 286 ve Intel 386 dönemi
anakartlarında kullanılmaktaydı.
72 pinli modüller ise Intel 486 döneminden başlayıp
Pentium II ortalarına kadar kullanılmıştır.
O dönemde yaygın olarak kullanılan EDO RAM’ler 72
pinlidir. 32 bit işlemci ve veriyolu ile uyumlu çalışmaktaydı.
SIMM RAM’lerin büyük çoğunluğu entegreden meydana
gelir. Bellek üzerinde dokuzuncu yonga parity (eşlik) biti
olarak adlandırılır.
Bunun sayesinde belleğe saklanan 1 Byte’lık bilginin doğru
tutulup tutulmadığı kontrol edilir.
46
SIMM (dvm)



Günümüzde anakartlar eşlik bitini kullanmazlar.
Kullanan bir önceki nesil anakartlar ise bunu iptal
edebilmek için BIOS’da seçenek sunmaktaydı.
Eşlik biti eski sistemlerde faydalı bir şekilde
kullanılabiliyordu, fakat yeni işletim sistemleri böyle bir
hata ile karşılaştıklarında zaten kilitlendiğinden ikazın
anlamı kalmayıp veriler kayboluyor.
47
48
DIMM






168 pinden oluşan ve DIMM modülü kullanan bellekler
SIMM modülünün kullanımına son vermişlerdir.
Pin sayısının fazla olması bu belleklerin bir seferde daha
fazla veri transferi yapabilmesine olanak vermişlerdir.
168 pinden oluşan SDRAM’ler bu nedenle 64 bit veri
transferi yapabilmektedir.
SIMM modüllerinde ise 32 bitin üzerine çıkılamamaktaydı.
SIMM ve DIMM modüller arasında belleklerin takılışı
açısından da farklılıklar vardır.
SIMM bellekler bellek yuvasına belirli bir açı ile takılırken
DIMM bellekler anakarta dikey olarak takılmaktadır.
49
50
51
RIMM



İlk olarak RDRAM ile ortaya çıkmıştır.
DIMM ile aynı soket özelliklerini kullanırlar. Fakat RIMM
modülü 168 yerine 184 pinden oluşur.
BIOS ve anakartın üzerindeki çipsetin desteklemesi
halinde aynı kart üzerinde her iki modül de bulunabilir.
52
SODIMM


Genellikle
notebook
bilgisayarlarda
kullanılan
bellek tipine Small Outline
DIMM yada kısaca SO
DIMM adı verilir.
DIMM ile SO DIMM
arasındaki fark, adından da
anlaşılacağı
gibi
SO
DIMM’in
notebook
bilgisayarlarda kullanılacağı
için standart DIMM’den
daha küçük olmasıdır
53
54
Bellek Seçiminde Nelere Dikkat Edilmelidir?





Belleğin sistem hızına uyumlu olup olmaması
Anakartın ne kadar kapasitede belleği desteklediğine
SIMM bellekler kullanılıyorsa tek başına çalışmadığından
ikişerli gruplar halinde kullanılmasına
Kullanılacak belleğin çalışma gerilimi ile anakartın
varsayılan gerilim değerinin uyumlu olup olmadığına
Anakart üzerindeki yuvalar incelenmeden ve hatta varsa
anakart kitapçığı incelenmeden alınmamasına
55
RAM Uyumsuzluğu Nasıl Anlaşılır?



RAM uyumsuz veya bozuksa bilgisayar açılmaz.
Sistem üzerinde hiç Ram yoksa veya takılan RAM’ler
uyumsuz ise sistem uzun-kesik (yaklaşık 2-3 sn süreli)
sinyal sesi ile kullanıcıyı uyarır.
Bazen daha önce hatasız çalışan sistem ‘memory test fail’
şeklinde açılışta hata verip açılmayabilir. Bu durumda
yapılacak ilk şey RAM’leri çıkarıp güzelce silmek ve RAM
yuvalarında kısa devreye neden olabilecek küçük
materyallerin olup olmadığını kontrol etmektir. Bu işlem
sonrasında yine sorun çözülmüyorsa o zaman RAM’ler
değiştirilip denenebilir.
56
RAM Uyumsuzluğu Nasıl Anlaşılır?

Eğer RAM’ler karışık takılmış ve bir kısmı uyumlu bir
kısmı uyumsuz ise bu durumda sistem uyumlu RAM’ler ile
açılır. Sistem uyumsuz RAM’ler yokmuş gibi davranır.
57
Belleğim Yeterli mi?




Sistem performansını artırmanın ilk ve en önemli
yollarından bir tanesi belleği artırmaktır.
RAM kapasitesinin yüksek olması belirgin bir hız artışına
neden olur ve ucuz bir çözümdür.
RAM kapasitesi yüksek olması sabit disk erişimlerinin
(sanal bellek) ortadan kalkması demektir.
İşlemci düşük hızlı sabit diski beklemek zorunda kalmaz.
58